科目: 來(lái)源: 題型:
如圖所示,AOB是由某種透明物質(zhì)制成的
圓柱體橫截面(O為圓心)折射率
。今有一束平行光以45°的入射角向柱體的OA平面,這些光線中有一部分不能從柱體的AB面上射出,設(shè)凡射到OB面的光線全部被吸收,也不考慮OA面的反射,求圓柱AB面上能射出光線的部分占AB表面的幾分之幾?
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科目: 來(lái)源: 題型:
一振動(dòng)周期為T、位于x=0處的波源從平衡位置開(kāi)始沿y軸正方向做簡(jiǎn)諧運(yùn)動(dòng),該波源產(chǎn)生的簡(jiǎn)諧橫波沿x軸正方向傳播,波速為v,關(guān)于在
處的質(zhì)點(diǎn)P,下列說(shuō)法正確的是 ( )
A.質(zhì)點(diǎn)P振動(dòng)周期為T ,速度的最大值為v
B.若某時(shí)刻質(zhì)點(diǎn)P振動(dòng)的速度方向沿y軸負(fù)方向,則該時(shí)刻波源處質(zhì)點(diǎn)振動(dòng)的速度方向沿y軸正方向
C.質(zhì)點(diǎn)P開(kāi)始振動(dòng)的方向沿y軸正方向
D.若某時(shí)刻波源在波峰,則質(zhì)點(diǎn)P一定在波谷
E. 若某時(shí)刻波源在波谷,則質(zhì)點(diǎn)P也一定在波谷
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科目: 來(lái)源: 題型:
一氣象探測(cè)氣球,在充有壓強(qiáng)為1.OOatm(即76.0cmHg)、溫度為27.0℃的氦氣時(shí),體積為3.50m3.在上升至海拔6.50km高空的過(guò)程中,氣球內(nèi)氦氣逐漸減小到此高度上的大氣壓36.0cmGg,氣球內(nèi)部因啟動(dòng)一持續(xù)加熱過(guò)程而維持其溫度不變.此后停止加熱,保持高度不變.已知在這一海拔高度氣溫為-48.0℃.求:
(1)氦氣在停止加熱前的體積
(2)氦氣在停止加熱較長(zhǎng)一段時(shí)間后的體積
(3)若忽略氣球內(nèi)分子間相互作用,停止加熱后,氣球內(nèi)氣體吸熱還是放熱?簡(jiǎn)要說(shuō)明理由。
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科目: 來(lái)源: 題型:
下列說(shuō)法中正確的是 ( )
A.隨著低溫技術(shù)的發(fā)展,我們可以使溫度逐漸降低,但最終還是達(dá)不到絕對(duì)零度
B.用手捏面包,面包體積會(huì)縮小,說(shuō)明分子之間有間隙
C.分子間的距離r存在某一值r0,當(dāng)r大于r0時(shí),分子間斥力大于引力;當(dāng)r小于r0時(shí)分子間斥力小于引力
D.由于液體表面分子間距離大于液體內(nèi)部分子間的距離,液面分子間表現(xiàn)為引力,所以液體表面具有收縮的趨勢(shì)
E.溫度越高,分子熱運(yùn)動(dòng)的平均速度就越大
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科目: 來(lái)源: 題型:
如圖(a)所示,一導(dǎo)熱性能良好、內(nèi)壁光滑的氣缸水平放置,橫截面積為S=2×10-3m2、質(zhì)量為m=4kg厚度不計(jì)的活塞與氣缸底部之間封閉了一部分氣體,此時(shí)活塞與氣缸底部之間的距離為24cm,在活塞的右側(cè)12cm處有一對(duì)與氣缸固定連接的卡環(huán),氣體的溫度為300K,大氣壓強(qiáng)P0=1.0×105Pa,F(xiàn)將氣缸豎直放置,如圖(b)所示,取g=10m/s2 。求:
(1)活塞與氣缸底部之間的距離;
(2)加熱到675K時(shí)封閉氣體的壓強(qiáng)。
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科目: 來(lái)源: 題型:
以下說(shuō)法中正確的是 ( )
A. 墑增加原理說(shuō)明一切自然過(guò)程總是向著分子熱運(yùn)動(dòng)的無(wú)序性減少的方向進(jìn)行
B. 在絕熱條件下壓縮氣體,氣體的內(nèi)能一定增加
C.液晶既有液體的流動(dòng)性,又具有單晶體的各向異性
D.由于液體表面分子間距離大于液體內(nèi)部分子間的距離,液面分子間表現(xiàn)為引力,所以液體表面具有收縮的趨勢(shì)
E.封閉氣體的密度變小,單位時(shí)間內(nèi)打到器壁單位面積上的分子數(shù)減少,分子動(dòng)能增加,氣體的壓強(qiáng)可能不變
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科目: 來(lái)源: 題型:
如圖所示,在坐標(biāo)原點(diǎn)有一放射源放出質(zhì)量為m、帶電量為+q的粒子,假設(shè)粒子的速率都為v,方向均沿紙面.現(xiàn)在x<a的區(qū)域加一垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為
,不計(jì)粒子的重力.求:
(1)粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的最短時(shí)間是多少?
(2)為了使粒子不離開(kāi)磁場(chǎng),在x=
處放一塊與y軸平行的擋板,該擋板能吸收所有打到它上面的粒子,則板的長(zhǎng)度至少為多少?
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科目: 來(lái)源: 題型:
如圖所示,xOy坐標(biāo)系內(nèi)有勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向里,x<0區(qū)域內(nèi)有勻強(qiáng)電場(chǎng)(圖中未畫出),y軸為電場(chǎng)右邊界.磁場(chǎng)中放置一半徑為R的圓柱形圓筒,圓心O1的坐標(biāo)為(2R,0),圓筒軸線與磁場(chǎng)平行,現(xiàn)有范圍足夠大的平行電子束以速度v0從很遠(yuǎn)處垂直于y軸沿x軸正方向做勻速直線運(yùn)動(dòng)射入磁場(chǎng)區(qū),已知電子質(zhì)量為m,電荷量為e,不考慮打到圓筒表面的電子對(duì)射入磁場(chǎng)的電子的影響.求:
(1)x<0區(qū)域內(nèi)的勻強(qiáng)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)大小和方向;
(2)若圓筒外表面各處都沒(méi)有電子打到,則電子初速度應(yīng)滿足什么條件?
(3)若電子初速度滿足v0=
,則y軸上哪些范圍射入磁場(chǎng)的電子能打到圓筒上?圓筒表面有電子打到的區(qū)域和圓筒表面沒(méi)有電子打到的區(qū)域的面積之比是多少?
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科目: 來(lái)源: 題型:
如圖所示,在xoy坐標(biāo)系中分布著三個(gè)有界場(chǎng)區(qū):第一象限中有一半徑為r =0.1m的圓形磁場(chǎng)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度B1=1T,方向垂直紙面向里,該區(qū)域同時(shí)與x軸、y軸相切,切點(diǎn)分別為A、C;第四象限中,由y軸、拋物線FG(y= -10x2+x - 0.025,單位:m)和直線DH( y = x - 0.425,單位:m)構(gòu)成的區(qū)域中,存在著方向豎直向下、強(qiáng)度E=2.5N/C的勻強(qiáng)電場(chǎng);以及直線DH右下方存在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B2=0.5T。現(xiàn)有大量質(zhì)量為1×10-6 kg(重力不計(jì)),電量大小為2×10-4 C,速率均為20m/s的帶負(fù)電的粒子從
處垂直磁場(chǎng)進(jìn)入第一象限,速度方向與y軸夾角在0至180度之間。
(1)求這些粒子在圓形磁場(chǎng)區(qū)域中運(yùn)動(dòng)的半徑;
(2)試證明這些粒子經(jīng)過(guò)x軸時(shí)速度方向均與x軸垂直;
(3)通過(guò)計(jì)算說(shuō)明這些粒子會(huì)經(jīng)過(guò)y軸上的同一點(diǎn),并求出該點(diǎn)坐標(biāo)。
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科目: 來(lái)源: 題型:
如圖所示,在直角坐標(biāo)系xOy的原點(diǎn)O處有一放射源S,放射源S在xOy平面內(nèi)均勻發(fā)射速度大小相等的正電粒子,位于y軸的右側(cè)垂直于x軸有一長(zhǎng)度為L的很薄的熒光屏MN,熒光屏正反兩側(cè)均涂有熒光粉,MN與x軸交于O'點(diǎn)。已知三角形MNO為正三角形,放射源S射出的粒子質(zhì)量為m,帶電荷量為q,速度大小為v,不計(jì)粒子的重力。
(1)若只在y軸右側(cè)加一平行于x軸的勻強(qiáng)電場(chǎng),要使y軸右側(cè)射出的所有粒子都能打到熒光屏MN上,試求電場(chǎng)強(qiáng)度的最小值Emin及此條件下打到熒光屏M點(diǎn)的粒子的動(dòng)能;
(2)若在力xOy平面內(nèi)只加一方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),要使粒子能打到熒光屏MN的反面O'點(diǎn),試求磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度的最大值Bmax;
(3)若在xOy平面內(nèi)只加一方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度與(2)題中所求Bmax相同,試求粒子打在熒光屏MN的正面O'點(diǎn)所需的時(shí)間t1和打在熒光屏MN的反面O'點(diǎn)所需的時(shí)間t2之比。
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