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圖3
A.若電源內(nèi)阻不可忽略,則U減小 B.若電源內(nèi)阻可以忽略,則U增大
C.若電源內(nèi)阻不可忽略,則Q增大 D.若電源內(nèi)阻可以忽略,則Q減小
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圖1
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圖2
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A.物體分子間距離減小,分子力一定增大
B.物體分子間距離增大,分子勢能可能增大
C.物體從外界吸收熱量,其內(nèi)能一定增大
D.質(zhì)量、溫度均相等的兩個物體,它們的內(nèi)能可能不相等
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A.
B.
C.
D.![]()
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圖12
(1)磁場的磁感應強度B;
(2)若保持電容器的電荷量不變,移動左板使兩板間距變?yōu)樵瓉淼?IMG align="middle" height=41 src="http://thumb.zyjl.cn/pic1/1898/img/02//73//32/189802733210008432/3.gif" width=16 align=absMiddle v:shapes="_x0000_i1205">,粒子仍從左板小孔進入,為使該粒子還能通過P點,則必須將磁場的上邊界向下移動到什么位置?
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圖11
(2)導體桿穿過磁場的過程中通過電阻R上的電荷量;
(3)導體桿穿過磁場的過程中整個電路中產(chǎn)生的焦耳熱.
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圖10
(2)若已知AB=l1,那么物塊第一次到達B點時的速度vB是多大?
(3)若已知BC=l2,那么物塊所帶的電荷量q是多大?
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圖9
(1)當滑片P滑到最左端B時,電流表讀數(shù);
(2)當滑片P位于滑動變阻器的中點時,變阻器上消耗的功率.
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圖8
(1)粒子下落過程中電場力做的功;
(2)粒子打在板上時的動能;
(3)計算粒子最后落在金屬板上所形成的圖形的面積大小.
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圖7
(1)同步衛(wèi)星的高度;
(2)同步衛(wèi)星能覆蓋到的赤道上的圓弧所對應的圓心角θ.
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