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（1）如圖所示，直線I、Ⅱ分別是電源1與電源2的路端電壓隨輸出電流變化的圖線，曲線Ⅲ是一個(gè)小燈泡的伏安特性曲線，則電源1和電源2的內(nèi)阻之比為．若把該小燈泡先后分別與電源1和電源2單獨(dú)連接時(shí)，則在這兩種連接狀態(tài)下，小燈泡消耗的功率之比為．
（2）某學(xué)生用螺旋測(cè)微器在測(cè)定某一金屬絲的直徑時(shí)，測(cè)得的結(jié)果如圖甲所示，則該金屬絲的直徑d=mm．另一位學(xué)生用游標(biāo)尺上標(biāo)有20等分刻度的游標(biāo)卡尺測(cè)一工件的長(zhǎng)度，測(cè)得的結(jié)果如圖乙所示，則該工件的長(zhǎng)度L=cm．

（3）如圖所示，某同學(xué)用插針法測(cè)定一半圓形玻璃磚的折射率，在平鋪的白紙上垂直紙面插大頭針P₁、P₂確定入射光線，
并讓入射光線過圓心O，在玻璃磚（圖中實(shí)線部分）另一側(cè)垂直紙面插大頭針P₃，使P₃擋住P₁、P₂的像，連接OP₃．圖中MN為分界面，虛線半圓與玻璃磚對(duì)稱，B、C分別是入射光線、折射光線與圓的交點(diǎn)，AB、CD均垂直于法線并分別交法線于A、D點(diǎn)．設(shè)AB的長(zhǎng)度為l₁，AO的長(zhǎng)度為l₂，CD的長(zhǎng)度為l₃，DO的長(zhǎng)度為l₄，圓的半徑為R，為較方便地表示出玻璃磚的折射率，需用刻度尺測(cè)量的是（用上述所給物理量的字母表示），則玻璃磚的折射率可表示為．
（4）在“用多用表測(cè)電阻”的實(shí)驗(yàn)中，下列說法中正確的是
A．測(cè)電阻時(shí)，紅、黑表筆分別錯(cuò)插入負(fù)、正插孔，只要其它方法正確，不影響被測(cè)量電阻的結(jié)果
B．測(cè)量阻值不同的電阻時(shí)都必須重新調(diào)零
C．用×1的歐姆檔測(cè)量時(shí)，指針恰好指示在10Ω與20Ω正中間，所測(cè)電阻的阻值一定小于15Ω
D．多用表使用完畢后，應(yīng)將選擇開關(guān)置于歐姆表最大檔，以防表頭燒壞．

如圖甲所示，一矩形閉合線圈在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中繞垂直于磁場(chǎng)方向的轉(zhuǎn)軸OO'以恒定的角速度ω轉(zhuǎn)動(dòng)，當(dāng)線圈平面與磁場(chǎng)方向平行時(shí)開始計(jì)時(shí)，線圈中產(chǎn)生的交變電流按照?qǐng)D乙所示的余弦規(guī)律變化．在

π

2ω

時(shí)刻（　�。�

空間僅存在一沿x軸方向的靜電場(chǎng)，電場(chǎng)強(qiáng)度E隨x變化的關(guān)系如圖所示，圖線關(guān)于坐標(biāo)原點(diǎn)旋轉(zhuǎn)對(duì)稱，A、B是x軸上關(guān)于原點(diǎn)對(duì)稱的兩點(diǎn)，電子在該電場(chǎng)中僅受電場(chǎng)力作用，則（　�。�

如圖所示，小球從斜面上D點(diǎn)水平拋出后又落在斜面上C點(diǎn)，已知斜面與水平面夾角α=37°，小球從D點(diǎn)拋出時(shí)速度為10m/s，小球質(zhì)量為2kg，不考慮空氣阻力．（取g=10m/s²，sin37°=0.6，cos37°=0.8）則（　　）

天津市某中學(xué)生在本校實(shí)驗(yàn)室利用一單擺做小角度擺動(dòng)，通過實(shí)驗(yàn)得到擺球振動(dòng)位移x隨時(shí)間t變化的關(guān)系如圖所示，則下列說法正確的是（　�。�

下列說法正確的是（　�。�

（2005?南通模擬）如圖所示，在空中有一水平方向的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，區(qū)域的上下邊緣間距為h，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B．有一寬度為b（b＜h）、長(zhǎng)度為L(zhǎng)、電阻為R、質(zhì)量為m的矩形導(dǎo)體線圈緊貼磁場(chǎng)區(qū)域的上邊緣從靜止起豎直下落，當(dāng)線圈的PQ邊到達(dá)磁場(chǎng)下邊緣時(shí)，恰好開始勻速運(yùn)動(dòng)．求線圈穿越磁場(chǎng)區(qū)域經(jīng)歷的時(shí)間．

（2012?東莞二模）如圖所示，水平放置的平行板電容器，原來兩板不帶電，上極板接地，它的極板長(zhǎng)L=0.1m，兩板間距離d=0.4cm，有一束相同的帶電微粒以相同的初速度先后從兩板中央平行極板射入，由于重力作用微粒能落到下板上，微粒所帶電荷立即轉(zhuǎn)移到下極板且均勻分布在下極板上．設(shè)前一微粒落到下極板上時(shí)后一微粒才能開始射入兩極板間．已知微粒質(zhì)量為 m=2×10^-6kg，電量q=1×10^-8C，電容器電容為C=10^-6F，取g=10m/s²．求：
（1）為使第一個(gè)微粒的落點(diǎn)范圍能在下板中點(diǎn)到緊靠邊緣的B點(diǎn)之內(nèi)，求微粒入射的初速度v₀的取值范圍；
（2）若帶電微粒以第一問中初速度v₀的最小值入射，則最多能有多少個(gè)帶電微粒落到下極板上．

（2005?南通模擬）建筑工地常用氣錘打樁，設(shè)錘的質(zhì)量為M=50kg，錘從高2.5m處自由落下，打在質(zhì)量為m=30kg的樁上，錘和樁不分離，結(jié)果樁打下0.1m深，求打樁過程受到的平均阻力．（g取10m/s²）

（2005?南通模擬）一個(gè)實(shí)心圓柱導(dǎo)體和一個(gè)中空?qǐng)A柱形導(dǎo)體共軸放置，其間為真空．實(shí)心柱體半徑為a，中空柱體內(nèi)半徑為b，如圖所示，其間有磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，一個(gè)電子以徑向速度從內(nèi)柱體表面射出，試問電子的速度滿足什么條件才能和中空柱體相碰，設(shè)電子質(zhì)量為m，電量為e．