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（2010?鹽城二模）如圖甲是阻值為5Ω的線圈與阻值為15Ω的電阻R構(gòu)成的回路．線圈在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中繞垂直于磁場(chǎng)方向的軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)隨時(shí)間變化的規(guī)律如圖乙所示．則（　�。�

載流子濃度（單位體積內(nèi)自由電荷的個(gè)數(shù)）是半導(dǎo)體材料的重要參數(shù)，工藝上通過(guò)控制三價(jià)或者五價(jià)摻雜原子的濃度，來(lái)控制P型或者N型半導(dǎo)體的載流子濃度．利用霍爾效應(yīng)可以測(cè)量載流子的濃度或者類型．如圖所示一塊半導(dǎo)體材料樣品，高為d寬為b，均勻磁場(chǎng)垂直于樣品表面，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，樣品中通過(guò)的電流為I，現(xiàn)在測(cè)得霍爾電壓為U_H，每個(gè)自由電荷所帶電荷大小為e，下列說(shuō)法中正確的是（　　）

如圖，帶電小球套在豎直放置的絕緣直桿上，把此裝置放在范圍足夠大的正交的勻強(qiáng)電場(chǎng)E和勻強(qiáng)磁場(chǎng)B中，小球的質(zhì)量為m，帶電量為q，桿與球之間動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，將小球由靜止釋放，其加速度a，速度的變化情況（　�。�

（2010?鎮(zhèn)江一模）如圖所示，兩條足夠長(zhǎng)的平行金屬導(dǎo)軌水平放置，導(dǎo)軌的一端接有電阻和開(kāi)關(guān)，導(dǎo)軌光滑且電阻不計(jì)，勻強(qiáng)磁場(chǎng)的方向與導(dǎo)軌平面垂直，金屬桿ab置于導(dǎo)軌上．當(dāng)開(kāi)關(guān)S斷開(kāi)時(shí)，在桿ab上作用一水平向右的恒力F，使桿ab向右運(yùn)動(dòng)進(jìn)入磁場(chǎng)．一段時(shí)間后閉合開(kāi)關(guān)并開(kāi)始計(jì)時(shí)，金屬桿在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中始終與導(dǎo)軌垂直且接觸良好．下列關(guān)于金屬桿ab的v-t圖象不可能的是 （　�。�

一根長(zhǎng)0.2m的導(dǎo)線，通以3A的電流后垂直放入磁場(chǎng)，它受到的磁場(chǎng)的作用力為6X10^-2N，則
（1）磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B多大？
（2）當(dāng)導(dǎo)線的長(zhǎng)度在原位置縮短為原來(lái)的一半時(shí)，磁感應(yīng)強(qiáng)度又為多大？此時(shí)導(dǎo)線受到的磁場(chǎng)的作用力為多少？

（2005?昌平區(qū)模擬）如圖所示，把一個(gè)面積為4.0×10^-2m²的單匝矩形線圈放在磁感應(yīng)強(qiáng)度為2.0×10^-2T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，當(dāng)線圈平面與磁場(chǎng)方向平行時(shí)，穿過(guò)線圈平面的磁通量為Wb；當(dāng)線圈繞OO’軸轉(zhuǎn)動(dòng)至與磁場(chǎng)方向垂直位置時(shí)，穿過(guò)線圈平面的磁通量為Wb．

下列電學(xué)器件中，電容器是，B是通過(guò)改變 來(lái)改變電阻阻值的，A的名稱是．

A為已知電場(chǎng)中的一固定點(diǎn)，在A點(diǎn)放一電量為q的電荷，所受電場(chǎng)力為F，A點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為E，則（　�。�

真空中兩個(gè)靜止點(diǎn)電荷間相互作用力為：F=k

Qq

r2

，若兩電荷間距離不變，兩電荷電量都增大為原來(lái)的2 倍，下列判斷正確的是（　　）

一個(gè)閉合電路產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)較大，是因?yàn)榇┻^(guò)這個(gè)閉合電路的（　�。�