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（2011?江蘇模擬）如圖所示，小物體放在高度為h=1.25m、長度為S=1.5m的粗糙水平固定桌面的左端A點(diǎn)，以初速度v_A=4m/s向右滑行，離開桌子邊緣B后，落在水平地面C點(diǎn)，C點(diǎn)與B點(diǎn)的水平距離x=1m，不計空氣阻力．試求：（g取10m/s²）
（1）小物體與桌面之間的動摩擦因數(shù)．
（2）為使小物體離開桌子邊緣B后水平射程加倍，即x′=2x某同學(xué)認(rèn)為應(yīng)使小物體的初速度v_A′加倍，即v_A′=2v_A，你同意他的觀點(diǎn)嗎？試通過計算驗(yàn)證你的結(jié)論．

（2009?海淀區(qū)二模）撐桿跳高是一項(xiàng)技術(shù)性很強(qiáng)的體育運(yùn)動，完整的過程可以簡化成三個階段：持桿助跑、撐桿起跳上升、越桿下落．在第二十九屆北京奧運(yùn)會比賽中，身高1.74m的俄羅斯女運(yùn)動員伊辛巴耶娃以5.05m的成績打破世界紀(jì)錄．設(shè)伊辛巴耶娃從靜止開始以加速度a=1.0m/s²勻加速助跑，速度達(dá)到v=8.0m/s時撐桿起跳，使重心升高h(yuǎn)₁=4.20m后越過橫桿，過桿時的速度不計，過桿后做自由落體運(yùn)動，重心下降h₂=4.05m時身體接觸軟墊，從接觸軟墊到速度減為零的時間t=0.90s．已知伊辛巴耶娃的質(zhì)量m=65kg，重力加速度g取10m/s²，不計撐桿的質(zhì)量和空氣的阻力．求：
（1）伊辛巴耶娃起跳前的助跑距離；
（2）伊辛巴耶娃在撐桿起跳上升階段至少要做的功；
（3）在伊辛巴耶娃接觸軟墊到速度減為零的過程中，軟墊對運(yùn)動員平均作用力的大�。�

在科學(xué)探究活動中，分析實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)并歸納得出結(jié)論是非常重要的環(huán)節(jié)．在“探究物體直線運(yùn)動的規(guī)律”實(shí)驗(yàn)中，某實(shí)驗(yàn)小組測得位移s和時間t的數(shù)據(jù)如下表．

物理量	1	2	3	4	5	6
時間t（s）	0.89	1.24	1.52	1.58	1.97	2.15
位移s（m）	0.25	0.50	0.75	1.00	1.25	1.50

（1）根據(jù)數(shù)據(jù)在坐標(biāo)紙上作出物體運(yùn)動的s-t圖象．
（2）根據(jù)作圖可判斷出表格中第組數(shù)據(jù)有錯誤．
（3）若某同學(xué)提出位移與時間的二次方成正比的猜想，為驗(yàn)證猜想是否正確，應(yīng)作圖象．若該猜想成立，則物體做直線運(yùn)動．

一帶電量q=6.4×10^-19C、質(zhì)量m=1.6×10^-25㎏的初速度為零的粒子，經(jīng)電壓U=200V的加速電場加速后，沿垂直于電場線方向進(jìn)入E=1.0×10³V/m均勻偏轉(zhuǎn)電場．已知粒子在穿越偏轉(zhuǎn)電場過程中沿場強(qiáng)方向的位移為5cm，不計粒子所受重力，求偏轉(zhuǎn)電場的寬度和粒子穿越偏轉(zhuǎn)電場過程中偏角的正切．

一個電源接8Ω電阻時，通過電源的電流為0.15A，接13Ω電阻時，通過電源的電流是0.10A，求電源的電動勢和內(nèi)阻．

在描述小電珠的伏安特性曲線的實(shí)驗(yàn)中，為了減少實(shí)驗(yàn)誤差，電流表采用（填“外接法”或“內(nèi)接法”）．滑動變阻器以（填“分壓式”或“限流式”）方式接入電路，這樣做的好處是可以使小電珠兩端的電壓可以從開始調(diào)節(jié)．將電路圖畫在圖中．