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【題目】如圖所示,實線表示兩個相干波源S1、S2發(fā)出的波峰位置,設波的周期為T,波長為
,波的傳播速度為v,下列說法正確的是______________(選對1個給2分,選對2個給4分,選對3個給5分,沒選錯一個扣3分,最低得分為0)
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A.圖中的a點為振動減弱點的位置
B.圖中的b點為振動加強點的位置
C.從圖中時刻開始,波源Sl的波峰傳播到a、b位置的最短時間均為T/2
D.v=λT
E.波源S1的波經過干涉之后波的性質完全改變
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【題目】下列說法正確的是______________(選對1個給2分,選對2個給4分,選對3個給5分,沒選錯一個扣3分,最低得分為0)
A.空氣不能自發(fā)地分力成氮氣、氧氣、二氧化碳等各種不同的氣體
B.一定質量的理想氣體,若壓強和體積不變,其內能可能增大
C.表面張力的產生,是因為液體表面層分子間的作用表現為相互排斥
D.一定質量的理想氣體,絕熱壓縮過程中,分子平均動能一定增大
E.標準狀態(tài)下氧氣的摩爾體積為22.4L/mol,則平均每個分子所占的空間約為3.72×10-26m3
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【題目】如圖,單匝矩形導線框abcd與勻強磁場垂直,線框電阻不計,線框繞與cd邊重合的固定轉軸以恒定角速度從圖示位置開始勻速轉動,理想變壓器匝數比為n1:n2.開關S斷開時,額定功率為P的燈泡L1正常發(fā)光,電流表示數為I,電流表內阻不計,下列說法正確的是( 。
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A. 線框中產生的電流為正弦式交變電流
B. 線框從圖中位置轉過
時,感應電動勢瞬時值為![]()
C. 燈泡L1的額定電壓等于![]()
D. 如果閉合開關S,則電流表示數變大
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【題目】如圖所示,MN右側有一正三角形勻強磁場區(qū)域(邊緣磁場忽略不計),上邊界與MN垂直,現有一與磁場邊界完全相同的三角形導體框,從圖示位置垂直于MN勻速向右運動,導體框穿過磁場過程中所受安培力F隨時間變化的圖象,以及框中導體的感應電流i隨時間變化的圖象正確的是(取安培力向左為正,逆時針電流為正)
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A.
B.
C.
D. ![]()
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【題目】如圖所示,半圓形框架豎直放置在粗糙的水平地面上,光滑的小球P在水平外力F的作用下處于靜止狀態(tài),P與圓心O的連線與水平面的夾角為θ,將力F在豎直面內沿順時針方向緩慢地轉過90°,框架與小球始終保持靜止狀態(tài)。在此過程中下列說法正確的是
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A. 框架對小球的支持力先減小后增大
B. 拉力F的最小值為mgcosθ
C. 地面對框架的摩擦力減小
D. 框架對地面的壓力先增大后減小
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【題目】下列的若干敘述中正確的是
A. 將核子束縛在原子核內的核力,是不同于萬有引力和電磁力的另一種相互作用
B. 對于同種金屬產生光電效應時逸出光電子的最大初動能Ek與照射光的頻率成線性關系
C. 一塊純凈的放射性元素的礦石經過一個半衰期以后它的總質量僅剩下一半
D. 按照玻爾理論,氫原子核外電子從半徑較小的軌道躍遷多半徑較大的軌道時,電子的動能減小原子的能量也減小了
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【題目】如圖所示,豎直放置在地面上的結構相似的絕熱氣缸A與導熱氣缸B,由剛性輕質細桿連接的絕熱活塞與兩氣缸間均無摩擦,已知兩氣缸的橫截面積之比SA:SB=2:1,兩氣缸內裝有某理想氣體。開始時氣缸中的活塞與缸底的距離均為L,溫度均為T0,已知外界大氣壓為p0,現緩慢加熱A中氣體,停止加熱達到穩(wěn)定后,A中氣體溫度變?yōu)樵瓉淼?/span>1.5倍,設環(huán)境溫度始終保持不變;钊馁|量、氣缸壁的厚度均忽略不計,氣缸B的質量是M=
,(題中對應溫度為熱力學溫度)求:
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(i)初始狀態(tài)時,B氣缸中的氣體壓強;
(ⅱ)停止加熱達到穩(wěn)定后,氣缸B上升的高度
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【題目】如圖所示,一個橫截面為半徑R=2cm的圓柱形玻璃,放置在水平地面上,地面上有一個光源P,可發(fā)出不同顏色的線狀光束恰好照射到柱形玻璃的水平直徑的左側A點,且光源射出的光線和橫截面在同一平面。綠色光束射到A點,經柱形玻璃后在B點(圖中未標出)光源恰沿水平方向射出(不考慮在玻璃內的反射光)。已知射出點B與A點的水平距離是d=3cm,求:
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(i)綠光在該柱形玻璃內的運動時間;(取光在空氣中速度為3×108m/s)
(ii)若將這束綠光改成藍光,經柱形玻璃射出后能否在地面上形成光斑。(不用說明理由)
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【題目】如圖所示,abcd是質量為m、邊長為l、電阻為R的正方形金屬線框,PQMN為傾角為θ、絕緣的光滑矩形斜面。在斜面的ABCD區(qū)域充滿勻強磁場,磁場的方向垂直于斜面,磁感應強度為B,PQ、MN、AB、CD均水平,AB與CD間距離為d(d>l)。abcd是由靜止開始沿斜面下滑,下滑過程線框的cd邊始終平行于PQ,并且cd邊到達磁場上邊界AB時的速度與到達下邊界CD的速度均為v,求:
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(1)線框通過磁場過程中,線框產生的焦耳熱;
(2)線框通過磁場過程中,運動時的最小速度;
(3)線框通過磁場所用的時間。
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【題目】如圖所示,金屬板的右側存在n(n大于2)個有理想邊界的勻強磁場,磁場的上邊界與下邊界間的距離足夠大。相鄰磁場的方向相反,ABCD區(qū)域里磁場的方向垂直于紙面向里,CDEF區(qū)域里磁場的方向垂直于紙面向外,以此類推,第n個磁場方向向里。區(qū)域中磁感應強度的大小均為B,磁場區(qū)域的寬度均相同。當加速電壓為某一值時,一電子由靜止開始,經電場加速后,以速度v0垂直于磁場邊界AB進入勻強磁場,經
的時間后,到達另一磁場邊界EF.已知電子的質量為m,電荷量為e. 求:
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(1)每一磁場的寬度d;
(2)若要保證電子能夠到達磁場邊界EF,加速電壓U至少為多少?
(3)現撤去加速裝置,使ABCD區(qū)域的磁感應強度變?yōu)?/span>2B,第n個磁場(最右側)磁感應強度變
為
(其它磁場均不變),使電子仍以速率v0從磁場邊界AB的同一位置射入,可改變射入時速度的方向.現使得電子穿過ABCD區(qū)的時間最短,求電子穿出整個磁場區(qū)域的時間t和電子從磁場射出的位置到水平虛線的距離x.
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