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16．如圖，直角三角形金屬框abc放置在勻強磁場中，磁感應強度大小為B，方向平行于ab邊向上．當金屬框繞ab邊以角速度ω逆時針轉動時，a、b、c三點的電勢分別為U_a、U_b、U_c．已知bc邊的長度為l．下列判斷正確的是（　�。�

	A．	Ua＞Uc，金屬框中無電流
	B．	Ub＜Uc，金屬框中電流方向沿a-b-c-a
	C．	Ubc=-$\frac{1}{2}$Bl2ω，金屬框中無電流
	D．	Ubc=$\frac{1}{2}$Bl2ω，金屬框中電流方向沿a-b-c-a

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15．如圖所示，有關分子力和分子勢能曲線的說法中，正確的是（　�。�

	A．	當r=r0時，分子為零，分子勢能最小也為零
	B．	當r＞r0時，分子力和分子勢能都隨距離的增大而增大
	C．	在兩分子由無窮遠逐漸靠近直至距離最小的過程中分子力先做正功后做負功
	D．	在兩分子由無窮遠逐漸靠近直至距離最小的過程中分子勢能先增大，后減小，最后又增大

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13．如圖所示，mn為平行于斜面底邊的直線，其下方有垂直于斜面的勻強磁場，一矩形導線框自粗糙斜面上端滑下，且下滑過程中線框ab邊始終與mn平行，則（　�。�

	A．	線框進入磁場過程中ab邊所受安培力沿斜面向上
	B．	線框進入磁場過程中一定做減速運動
	C．	線框中產生的焦耳熱一定等于線框減少的機械能
	D．	線框從不同高度釋放至完全進入磁場過程中，通過導線橫截面的電量相等

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12．如圖，兩平行金屬導軌位于同一水平面上，相距l(xiāng)，左端與一電阻R相連；整個系統(tǒng)置于勻強磁場中，磁感應強度大小為B，方向豎直向下．一質量為m、電阻為R的導體棒置于導軌上，在水平外力作用下沿導軌以速度v勻速向右滑動，滑動過程中始終保持與導軌垂直并接觸良好．已知導體棒與導軌間的動摩擦因數(shù)為μ，重力加速度大小為g，導軌和導體棒的電阻均可忽略．下列說法正確的是（　�。�

	A．	電阻R消耗的功率P=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{v}^{2}}{2R}$		B．	電阻R消耗的功率P=μmgv
	C．	水平外力的大小F=$\frac{{B}^{2}{l}^{2}v}{R}$+μmg		D．	水平外力的大小F=$\frac{{B}^{2}{l}^{2}v}{R}$-μmg

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11．如圖，一束光沿半徑方向射向一塊半圓形玻璃磚，在玻璃磚底面上的入射角為θ，經折射后射出a、b兩束光線，則（　　）

	A．	在玻璃中，a光的傳播速度小于b光的傳播速度
	B．	在真空中，a光的波長小于b光的波長
	C．	若改變光束的入射方向使θ角逐漸變大，則折射光線b首先消失
	D．	分別用a、b光在同一個雙縫干涉實驗裝置上做實驗，a光的干涉條紋間距大于b光的干涉條紋間距

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10．在電磁波發(fā)射技術中，使電磁波隨各種信號而改變的技術叫調制，調制分調幅和調頻兩種．如圖①所示有A、B兩幅圖．在收音機電路中天線接收下來的電信號既有高頻成分又有低頻成分，經放大后送到下一級，需要把高頻成分和低頻成分分開，只讓低頻成分輸入下一級，如果采用如練圖②所示的電路，圖中虛線框a和b內只用一個電容器或電感器．以下關于電磁波的發(fā)射和接收的說法中，正確的是（　　）

	A．	在電磁波的發(fā)射技術中，圖①中A是調幅波
	B．	在電磁波的發(fā)射技術中，圖①中B是調幅波
	C．	圖②中a是電容器，用來通高頻阻低頻，b是電感器，用來阻高頻通低頻
	D．	圖②中a是電感器，用來阻交流通直流，b是電容器，用來阻高頻通低頻

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9．如圖所示電路中，變壓器為理想變壓器，a、b接在電壓有效值不變的交流電源兩端，R₀為定值電阻，R為滑動變阻器．現(xiàn)將變阻器的滑片從一個位置滑動到另一個位置，觀察到電流表A₁的示數(shù)增大了0.2A，電流表A₂的示數(shù)增大了0.8A．則下列說法正確的是（　　）

	A．	電壓表V1示數(shù)增大		B．	電壓表V2不變，V3示數(shù)減小
	C．	該變壓器起升壓作用		D．	變阻器滑片是沿c→d的方向滑動

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