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科目： 來源： 題型：選擇題

科目： 來源： 題型：多選題

5．如圖所示，U形光滑金屬框架豎直放置，bc水平，ab、cd豎直且足夠長(zhǎng)，b、c間有一定值電阻R，其他電阻均可忽略，ef是一電阻不計(jì)，質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒，導(dǎo)體棒始終垂直框架并與框架保持良好接觸，整個(gè)裝置處于垂直框架所在平面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中．已知重力加速度為g．當(dāng)導(dǎo)體棒ef由靜止下滑一段時(shí)間后，閉合開關(guān)S，則開關(guān)S閉合后（　�。�

	A．	導(dǎo)體棒ef的加速度一定小于g
	B．	導(dǎo)體棒ef的加速度可能大于g
	C．	導(dǎo)體棒ef最終速度跟開關(guān)S閉合的時(shí)刻無關(guān)
	D．	導(dǎo)體棒ef的機(jī)械能與回路中產(chǎn)生的內(nèi)能之和一定守恒

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4．如圖所示，在a點(diǎn)由靜止釋放一個(gè)質(zhì)量為m、電荷量為q的帶電粒子，粒子到達(dá)b點(diǎn)時(shí)速度恰好為零，設(shè)ab所在的電場(chǎng)線豎直向下，a、b間的高度差為h，則（　　）

	A．	帶電粒子帶負(fù)電		B．	a、b兩點(diǎn)間的電勢(shì)差Uab=$\frac{mgh}{q}$
	C．	b點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大小為$\frac{mg}{q}$		D．	b點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大于a點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)

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3．如圖所示，實(shí)線是一簇未標(biāo)明方向的勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)線，虛線是一帶電粒子通過該電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的運(yùn)動(dòng)軌跡，a、b是軌跡上的兩點(diǎn)．若帶電粒子在運(yùn)動(dòng)中只受電場(chǎng)力作用，則根據(jù)此圖可知（　　）

	A．	帶電粒子所帶電性
	B．	帶電粒子在a、b兩點(diǎn)的受力方向
	C．	帶電粒子在a、b兩點(diǎn)的速度何處較大
	D．	帶電粒子在a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)何處較高

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2．一點(diǎn)電荷在兩平行金屬板間形成的電場(chǎng)線分布如圖所示，已知下方金屬板的上表面光滑，A、B為電場(chǎng)中的兩點(diǎn)，則下列說法正確的是（　�。�

	A．	A點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度比B點(diǎn)的大
	B．	A點(diǎn)的電勢(shì)比B點(diǎn)的高
	C．	將檢驗(yàn)電荷從A點(diǎn)沿不同路徑到B點(diǎn)，電場(chǎng)力所做的功不同
	D．	若帶電小球以某一初速度沿下金屬板上表面向右運(yùn)動(dòng)，一定是先加速后減速

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1．如圖所示，MN是一負(fù)點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)中的一條電場(chǎng)線．一個(gè)帶正電的粒子（不計(jì)重力）從a到b穿越這條電場(chǎng)線的軌跡如圖中虛線所示．下列結(jié)論正確的是（　�。�

	A．	帶電粒子從a到b過程中動(dòng)能逐漸減小
	B．	負(fù)點(diǎn)電荷一定位于M點(diǎn)右側(cè)
	C．	帶電粒子在a點(diǎn)時(shí)具有的電勢(shì)能大于在b點(diǎn)時(shí)具有的電勢(shì)能
	D．	帶電粒子在a點(diǎn)的加速度小于在b點(diǎn)的加速度

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20．如圖所示，實(shí)線是一帶電粒子在電場(chǎng)中僅受電場(chǎng)力作用的運(yùn)動(dòng)軌跡，虛線a、b、c是該電場(chǎng)的電場(chǎng)線或等勢(shì)面（電勢(shì)差相等），M、N是粒子運(yùn)動(dòng)軌跡上的兩個(gè)點(diǎn)，則下列說法中正確的是（　　）

	A．	若虛線為電場(chǎng)線，則粒子在M點(diǎn)的加速度比在N點(diǎn)的加速度大
	B．	若虛線為電場(chǎng)線，則粒子從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)至N點(diǎn)的過程中電勢(shì)能減小
	C．	若虛線為等勢(shì)面，則三等勢(shì)面的電勢(shì)高低關(guān)系為φa＞φb＞φc
	D．	若虛線為等勢(shì)面，則粒子在N點(diǎn)的速率小于在M點(diǎn)的速率

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19．兩個(gè)異種點(diǎn)電荷周圍電場(chǎng)線分布如圖所示，P、Q為電路中同一條電場(chǎng)線上的兩點(diǎn)．則（　�。�

	A．	P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)小于Q點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)
	B．	P點(diǎn)電勢(shì)高于Q點(diǎn)電勢(shì)
	C．	同一正電荷在P點(diǎn)的電勢(shì)能一定大于在Q點(diǎn)的電勢(shì)能
	D．	正電荷從p點(diǎn)移動(dòng)到Q點(diǎn)，電場(chǎng)力做正功

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18．在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)（場(chǎng)強(qiáng)為E）和勻強(qiáng)磁場(chǎng)（磁感應(yīng)強(qiáng)度為B）共存的場(chǎng)區(qū)中，一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線的方向以速度v₀射入場(chǎng)區(qū)，設(shè)電子射出場(chǎng)區(qū)時(shí)的速度為v，則（　�。�

	A．	若v0＞$\frac{E}{B}$，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，射出場(chǎng)區(qū)時(shí)，速度v＜v0
	B．	若v0＞$\frac{E}{B}$，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，射出場(chǎng)區(qū)時(shí)，速度v＞v0
	C．	若v0＜$\frac{E}{B}$，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，射出場(chǎng)區(qū)時(shí)，速度v＞v0
	D．	若v0＜$\frac{E}{B}$，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，射出場(chǎng)區(qū)時(shí)，速度v＜v0

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17．如圖所示，甲圖是空間某電場(chǎng)中的一條電場(chǎng)線，A，B是這條電場(chǎng)線上的兩點(diǎn)，現(xiàn)將一負(fù)電荷從A點(diǎn)自由釋放，電荷沿著電場(chǎng)線從A到B的運(yùn)動(dòng)過程v-t圖象如圖乙所示，試比較A、B兩點(diǎn)電勢(shì)的高低和電場(chǎng)強(qiáng)度的大小（　�。�

A．

φA＜φB

B．

φA＞φB

C．

EA＜EB

D．

EA＞EB