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（1）如圖為一正在測(cè)量中的多用電表表盤(pán)．

?如果是用×100Ω擋測(cè)量電阻，則讀數(shù)為_(kāi)_____Ω．

?如果是用直流50mA擋測(cè)量電流，則讀數(shù)為_(kāi)_____ mA．

?如果是用直流10V擋測(cè)量電壓，則讀數(shù)為_(kāi)_____ V．

電磁炮是利用電磁發(fā)射技術(shù)制成的一種先進(jìn)的高能殺傷武器，具有速度快命中率高，發(fā)射成本低，減少污染等特點(diǎn)，是21世紀(jì)的理想兵器，它的主要原理如圖所示，1982年澳大利亞大學(xué)制成的能把2.2g的彈體加速到10km/s的電磁炮（常規(guī)炮彈約為20km/s），若軌道寬為2m，長(zhǎng)為100m，通過(guò)的電流為10A，求：

（1）軌道間所加的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B

（2）磁場(chǎng)力的最大功率

如圖所示，A、B為一條電場(chǎng)線上的兩點(diǎn)，則 ( )

A.A處的電場(chǎng)強(qiáng)度比B處大

B.A、B兩點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度可能相等

C.將某一試探電荷從A點(diǎn)移到B點(diǎn)，電場(chǎng)力對(duì)該試探電荷做正功

D.同一試探電荷在A點(diǎn)的電勢(shì)能比它在B點(diǎn)的電勢(shì)能多

某同學(xué)用伏安法測(cè)電阻，分別采用了甲、乙兩種電路測(cè)量，關(guān)于誤差分析正確的是 ( )

A．若選擇甲圖，測(cè)量值偏大

B．若選擇乙圖，測(cè)量值偏大

C．若被測(cè)電阻Rx與電流表內(nèi)阻接近，應(yīng)該選擇乙圖誤差較小

D．若被測(cè)電阻Rx與電壓表內(nèi)阻接近，應(yīng)該選擇甲圖誤差較小

如圖所示，均勻的長(zhǎng)方形薄片合金電阻板abcd，ab邊為 L1，ad邊為L(zhǎng)2，當(dāng)端點(diǎn)I、Ⅱ或Ⅲ、Ⅳ接入電路時(shí)，RIII：RⅢⅣ

A．L1：L2 B．L2：L1

C．L12：L22 D．L22：L12

某導(dǎo)體中的電流I隨其兩端電壓U的變化如圖所示,則下列說(shuō)法中正確的是 ( )

A.加5 V電壓時(shí),導(dǎo)體的電阻為0.2 Ω

B.加12 V電壓時(shí),導(dǎo)體的電阻約為8 Ω

C.隨著電壓的增大,導(dǎo)體的電阻不斷增大

D.隨著電壓的增大,導(dǎo)體的電阻不斷減小

一個(gè)電子以v0＝4×107m/s的速度，方向與電場(chǎng)方向相同，射入電場(chǎng)強(qiáng)度E＝2×105V/m的勻強(qiáng)電場(chǎng)中，如圖所示，已知電子電量e＝－1.6×10－19C，電子質(zhì)量m＝9.1×10－31kg.試求：

（1）從電子的入射點(diǎn)到達(dá)速度為0之點(diǎn)的兩點(diǎn)間電勢(shì)差是多少? 兩點(diǎn)間距離是多少?

（2）電子到達(dá)速度為0之前所需的時(shí)間是多少?

如圖所示，兩根平行放置的長(zhǎng)直導(dǎo)線a和b載有大小相同方向相反的電流，a受到的磁場(chǎng)力大小為F1，當(dāng)加入一與導(dǎo)線所在平面垂直的勻強(qiáng)磁場(chǎng)后，a受到的磁場(chǎng)力大小變?yōu)镕2，則此時(shí)b受到的磁場(chǎng)力大小變?yōu)?/p>

A. F2 B. C. D.

如圖所示，有一根直導(dǎo)線上通以恒定電流I，方向垂直指向紙內(nèi)，且和勻強(qiáng)磁場(chǎng)B垂直，則在圖中圓周上，磁感應(yīng)強(qiáng)度數(shù)值最大的點(diǎn)是

A.a點(diǎn) B.b點(diǎn) C.c點(diǎn) D.d點(diǎn)

如圖所示，一條形磁鐵放在水平桌面上，在它的左上方固定一直導(dǎo)線，導(dǎo)線與磁場(chǎng)垂直，若給導(dǎo)線通以垂直于紙面向里的電流，則（ ）

A.磁鐵對(duì)桌面壓力增大 B.磁場(chǎng)對(duì)桌面壓力減小

C.桌面對(duì)磁鐵沒(méi)有摩擦力 D.桌面對(duì)磁鐵摩擦力向左