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如圖2，一質(zhì)量為m的條形磁鐵用細(xì)線懸掛在天花板上，細(xì)線從一水平金屬環(huán)中穿過�，F(xiàn)將環(huán)從位置Ⅰ釋放，環(huán)經(jīng)過磁鐵到達(dá)位置Ⅱ。設(shè)環(huán)經(jīng)過磁鐵上端和下端附近時細(xì)線的張力分別為T₁和T₂，重力加速度大小為g，則(　　)

圖2

A．T₁>mg，T₂>mg

B．T₁<mg，T₂<mg

C．T₁>mg，T₂<mg

D．T₁<mg，T₂>mg

如圖1所示，一條形磁鐵從左向右勻速穿過線圈，當(dāng)磁鐵經(jīng)過A、B兩位置時，線圈中(　　)

圖1

A．感應(yīng)電流方向相同，感應(yīng)電流所受作用力的方向相同

B．感應(yīng)電流方向相反，感應(yīng)電流所受作用力的方向相反

C．感應(yīng)電流方向相反，感應(yīng)電流所受作用力的方向相同

D．感應(yīng)電流方向相同，感應(yīng)電流所受作用力的方向相反

如圖14所示，第四象限內(nèi)有互相正交的勻強(qiáng)電場E與勻強(qiáng)磁場B₁，E的大小為1.5×10³ V/m，B₁大小為0.5 T；第一象限的某個矩形區(qū)域內(nèi)，有方向垂直紙面的勻強(qiáng)磁場，磁場的下邊界與x軸重合。一質(zhì)量m＝1×10^－14 kg，電荷量q＝2×10^－10 C的帶正電微粒以某一速度v沿與y軸正方向或60°角的M點(diǎn)射入，沿直線運(yùn)動，經(jīng)P點(diǎn)后即進(jìn)入處于第一象限內(nèi)的磁場B₂區(qū)域。一段時間后，微粒經(jīng)過y軸上的N點(diǎn)并沿與y軸正方向成60°角的方向飛出。M點(diǎn)的坐標(biāo)為(0，－10)，N點(diǎn)的坐標(biāo)為(0,30)，不計微粒重力，g取10 m/s²。則求：

圖14

(1)微粒運(yùn)動速度v的大�。�

(2)勻強(qiáng)磁場B₂的大��；

(3)B₂磁場區(qū)域的最小面積。

如圖13所示，一個板長為L，板間距離也是L的平行板電容器上極板帶正電，下極板帶負(fù)電，在極板右邊的空間里存在著垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場。有一質(zhì)量為m，重力不計，帶電量為－q的粒子從極板正中間以初速度為v₀水平射入，恰能從上極板邊緣飛出又能從下極板邊緣飛入，求：

圖13

(1)兩極板間勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度E的大小和方向；

(2)－q粒子飛出極板時的速度v的大小與方向；

(3)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。

在半導(dǎo)體離子注入工藝中，初速度可忽略的磷離子P^＋和P^3＋，經(jīng)電壓為U的電場加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，如圖12所示。已知離子P^＋在磁場中轉(zhuǎn)過θ＝30°后從磁場右邊界射出。在電場和磁場中運(yùn)動時，離子P^＋和P^3＋(　　)

圖12

A．在電場中的加速度之比為1∶1

B．在磁場中運(yùn)動的半徑之比為 ∶1

C．在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1∶2

D．離開電場區(qū)域時的動能之比為1∶3

如圖10所示為一個質(zhì)量為m、電荷量為＋q的圓環(huán)，可在水平放置的足夠長的粗糙細(xì)桿上滑動，細(xì)桿處于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場中，不計空氣阻力，現(xiàn)給圓環(huán)向右的初速度v₀，在以后的運(yùn)動過程中，圓環(huán)運(yùn)動的速度圖像可能是圖11中的(　　)

圖10

圖11

如圖9所示，兩平行、正對金屬板水平放置，使上面金屬板帶上一定量正電荷，下面金屬板帶上等量的負(fù)電荷，再在它們之間加上垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場，一個帶電粒子以初速度v₀沿垂直于電場和磁場的方向從兩金屬板左端中央射入后向上偏轉(zhuǎn)。若帶電粒子所受重力可忽略不計，仍按上述方式將帶電粒子射入兩板間，為使其向下偏轉(zhuǎn)，下列措施中可能可行的是(　　)

圖9

A．僅增大帶電粒子射入時的速度

B．僅增大兩金屬板所帶的電荷量

C．僅減小粒子所帶電荷量

D．僅改變粒子的電性

物體導(dǎo)電是由其中的自由電荷定向移動引起的，這些可以移動的自由電荷又叫載流子。金屬導(dǎo)體的載流子是自由電子，現(xiàn)代廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料分為兩大類：一類是N型半導(dǎo)體，它的載流子為電子；另一類是P型半導(dǎo)體，它的載流子為“空穴”，相當(dāng)于帶正電的粒子，如果把某種材料制成的長方體放在勻強(qiáng)磁場中，磁場方向如圖8所示，且與前后側(cè)面垂直，長方體中通有方向水平向右的電流，設(shè)長方體的上下表面M、N的電勢分別為φ_M和φ_N，則下列判斷中正確的是(　　)

圖8

A．如果是P型半導(dǎo)體，有φ_M>φ_N

B．如果是N型半導(dǎo)體，有φ_M<φ_N

C．如果是P型半導(dǎo)體，有φ_M<φ_N

D．如果是金屬導(dǎo)體，有φ_M>φ_N

如圖7所示，在x軸上方存在垂直紙面向里的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場，x軸下方存在垂直紙面向外的磁感應(yīng)強(qiáng)度為的勻強(qiáng)磁場。一帶負(fù)電的粒子從原點(diǎn)O以與x軸成30°角斜向上射入磁場，且在上方運(yùn)動半徑為R。不計重力，則(　　)

圖7

A．粒子經(jīng)偏轉(zhuǎn)一定能回到原點(diǎn)O

B．粒子在x軸上方和下方兩磁場中運(yùn)動的半徑之比為2∶1

C．粒子完成一次周期性運(yùn)動的時間為

D．粒子第二次射入x軸上方磁場時，沿x軸前進(jìn)3R

如圖6所示的虛線區(qū)域內(nèi)，充滿垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場和豎直向下的勻強(qiáng)電場。一帶電粒子a(不計重力)以一定的初速度由左邊界的O點(diǎn)射入磁場、電場區(qū)域，恰好沿直線由區(qū)域右邊界的O′點(diǎn)(圖中未標(biāo)出)穿出。若撤去該區(qū)域內(nèi)的磁場而保留電場不變，另一個同樣的粒子b(不計重力)仍以相同初速度由O點(diǎn)射入，從區(qū)域右邊界穿出，則粒子b(　　)

圖6

A．穿出位置一定在O′點(diǎn)下方

B．穿出位置一定在O′點(diǎn)上方

C．運(yùn)動時，在電場中的電勢能一定減小

D．在電場中運(yùn)動時，動能一定減小