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質(zhì)子、中子和氘核的質(zhì)量分別為m₁、m₂和m₃.當(dāng)一個(gè)質(zhì)子和一個(gè)中子結(jié)合成氘核時(shí)，釋放的能量是（c表示真空中的光速）

A．

B．

C．

D．

下列說(shuō)法中正確的是

A．物體溫度降低，其分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能增大

B．物體溫度升高，其分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能增大

C．物體溫度降低，其內(nèi)能一定增大

D．物體溫度不變，其內(nèi)能一定不變

在光滑水平地面上有一凹槽A，中央放一小物塊B。物塊與左右兩邊槽壁的距離如圖所示，L為1.0m。凹槽與物塊的質(zhì)量均為m，兩者之間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ為0.5。開(kāi)始時(shí)物塊靜止，凹槽以初速度向右運(yùn)動(dòng)，設(shè)物塊與凹槽壁碰撞過(guò)程中沒(méi)有能量損失，且碰撞時(shí)間不計(jì)。g取10m/s²。求：

（1）物塊與凹槽相對(duì)靜止時(shí)的共同速度；

（2）從凹槽開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到兩者相對(duì)靜止物塊與右側(cè)槽壁碰撞的次數(shù)；

（3）從凹槽開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到兩者相對(duì)靜止所經(jīng)歷的時(shí)間及該時(shí)間內(nèi)凹槽運(yùn)動(dòng)的位移大小。

如圖1所示，勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B為0.5T，其方向垂直于傾角θ為30⁰的斜面向上。絕緣斜面上固定有“Λ”形狀的光滑金屬導(dǎo)軌MPN（電阻忽略不計(jì)），MP和NP長(zhǎng)度均為2.5m。MN連線水平。長(zhǎng)為3m。以MN的中點(diǎn)O為原點(diǎn)、OP為x軸建立一坐標(biāo)系Ox。一根粗細(xì)均勻的金屬桿CD，長(zhǎng)度d為3m，質(zhì)量m為1kg，電阻R為0.3Ω，在拉力F的作用下，從MN處以恒定的速度v=1m/s在導(dǎo)軌上沿x軸正向運(yùn)動(dòng)（金屬桿與導(dǎo)軌接觸良好）。g取10m/s²。

（1）求金屬桿CD運(yùn)動(dòng)過(guò)程中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)E及運(yùn)動(dòng)到x=0.8m電勢(shì)差U_CD；

（2）推導(dǎo)金屬桿CD從MN處運(yùn)動(dòng)到P點(diǎn)過(guò)程中拉力F與位置坐標(biāo)x的關(guān)系式，并在圖2中畫出F-x關(guān)系圖象；

（3）求金屬桿CD從MN處運(yùn)動(dòng)到P點(diǎn)的全過(guò)程產(chǎn)生的焦耳熱。

如圖所示，充電后的平行板電容器水平放置，電容為C，極板間距離為d，上極板正中有一小孔。質(zhì)量為m、電荷量為+q的小球從小孔正上方高h處由靜止開(kāi)始下落，穿過(guò)小孔到達(dá)下極板處速度恰為零（空氣阻力忽略不計(jì)，極板間電場(chǎng)可視為勻強(qiáng)電場(chǎng)，重力加速度為g）。求：

（1）小球到達(dá)小孔處的速度；

（2）極板間電場(chǎng)強(qiáng)度大小和電容器所帶電荷量；

（3）小球從開(kāi)始下落運(yùn)動(dòng)到下極板的時(shí)間。

某同學(xué)為了測(cè)量一個(gè)量程為3V的電壓表的內(nèi)阻，進(jìn)行了如下實(shí)驗(yàn)：

（1）他先用多用電表進(jìn)行了正確的測(cè)量，測(cè)量時(shí)指針位置如圖1所示，得出電壓表內(nèi)阻為3.00×10³Ω，此時(shí)電壓表的指針也偏轉(zhuǎn)了。已知多用表歐姆檔表盤中央刻度值為“15”，表內(nèi)電池電動(dòng)勢(shì)為1.5V，則電壓表的示數(shù)應(yīng)為

       V(結(jié)果保留兩位有效數(shù)字)。

（2）為了更準(zhǔn)確地測(cè)量該電壓表的內(nèi)阻R_V，該同學(xué)設(shè)計(jì)了圖2所示的電路圖，實(shí)驗(yàn)步驟如下：

A．?dāng)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)S，按圖2連接好電路；

B．把滑動(dòng)變阻器R的滑片P滑到b端；

C．將電阻箱R₀的阻值調(diào)到零；

D．閉合開(kāi)關(guān)S；

E．移動(dòng)滑動(dòng)變阻器R的滑片P的位置，使電壓表的指針指到3V位置；

F．保持滑動(dòng)變阻器R的滑片P位置不變，調(diào)節(jié)電阻箱R₀的阻值使電壓表的指針指到1.5V位置，讀出此時(shí)電阻箱R₀的阻值，此值即為電壓表內(nèi)阻R_V的測(cè)量值；

G．?dāng)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)S。

實(shí)驗(yàn)中可供選擇的實(shí)驗(yàn)器材有：

a．待測(cè)電壓表

b．滑動(dòng)變阻器：最大阻值2000Ω

c．滑動(dòng)變阻器：最大阻值10Ω

d．電阻箱：最大阻值9999.9Ω，阻值最小該變量為0.1Ω

e．電阻箱：最大阻值999.9Ω，阻值最小該變量為0.1Ω

f．電池組：電動(dòng)勢(shì)約6V，內(nèi)阻可忽略

g．開(kāi)關(guān)，導(dǎo)線若干

按照這位同學(xué)設(shè)計(jì)的實(shí)驗(yàn)方案，回答下列問(wèn)題：

①要使測(cè)量更精確，除了選用電池組、導(dǎo)線、開(kāi)關(guān)和待測(cè)電壓表外，還應(yīng)從提供的滑動(dòng)變阻器中選用

        （填“b”或“c”），電阻箱中選用         （填“d”或“e”）。

②電壓表的內(nèi)阻R_V的測(cè)量值R_測(cè)和真實(shí)值R_真相比，R_測(cè)     R_真（填“>”或“<”）；若R_V越大，則越         （填“大”或“小”）。

圖1是“研究平拋物體運(yùn)動(dòng)”的實(shí)驗(yàn)裝置圖，通過(guò)描點(diǎn)畫出平拋小球的運(yùn)動(dòng)軌跡。

（1）以下是實(shí)驗(yàn)過(guò)程中的一些做法，其中合理的有 。

a．安裝斜槽軌道，使其末端保持水平

b．每次小球釋放的初始位置可以任意選擇

c．每次小球應(yīng)從同一高度由靜止釋放

d．為描出小球的運(yùn)動(dòng)軌跡，描繪的點(diǎn)可以用折線連接

（2）實(shí)驗(yàn)得到平拋小球的運(yùn)動(dòng)軌跡，在軌跡上取一些點(diǎn)，以平拋起點(diǎn)O為坐標(biāo)原點(diǎn)，測(cè)量它們的水平坐標(biāo)x和豎直坐標(biāo)y，圖2中y-x²圖象能說(shuō)明平拋小球運(yùn)動(dòng)軌跡為拋物線的是 。

（3）圖3是某同學(xué)根據(jù)實(shí)驗(yàn)畫出的平拋小球的運(yùn)動(dòng)軌跡，O為平拋的起點(diǎn)，在軌跡上任取三點(diǎn)A、B、C，測(cè)得A、B兩點(diǎn)豎直坐標(biāo)y₁為5.0cm、y₂為45.0cm，A、B兩點(diǎn)水平間距Δx為40.0cm。則平拋小球的初速度v₀為 m/s，若C點(diǎn)的豎直坐標(biāo)y₃為60.0cm，則小球在C點(diǎn)的速度v_C為 m/s(結(jié)果保留兩位有效數(shù)字，g取10m/s²)。

英國(guó)物理學(xué)家麥克斯韋認(rèn)為，磁場(chǎng)變化時(shí)會(huì)在空間激發(fā)感生電場(chǎng)。如圖所示，一個(gè)半徑為r的絕緣細(xì)圓環(huán)水平放置，環(huán)內(nèi)存在豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B，環(huán)上套一帶電量為+q的小球。已知磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間均勻增加，其變化率為k，若小球在環(huán)上運(yùn)動(dòng)一周，則感生電場(chǎng)對(duì)小球的作用力所做功的大小是

A．0                       B．

C．                 D．

如圖所示，一傾斜的勻質(zhì)圓盤繞垂直于盤面的固定對(duì)稱軸以恒定的角速度ω轉(zhuǎn)動(dòng)，盤面上離轉(zhuǎn)軸距離2.5m處有一小物體與圓盤始終保持相對(duì)靜止。物體與盤面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為（設(shè)最大靜摩擦力等于滑動(dòng)摩擦力），盤面與水平面的夾角為30⁰，g取10m/s²。則ω的最大值是

A．                 B．

C．                 D．

 “人造小太陽(yáng)”托卡馬克裝置使用強(qiáng)磁場(chǎng)約束高溫等離子體，使其中的帶電粒子被盡可能限制在裝置內(nèi)部，而不與裝置器壁碰撞。已知等離子體中帶電粒子的平均動(dòng)能與等離子體的溫度T成正比，為約束更高溫度的等離子體，則需要更強(qiáng)的磁場(chǎng)，以使帶電粒子的運(yùn)動(dòng)半徑不變。由此可判斷所需的磁感應(yīng)強(qiáng)度B正比于

A．       B．       C．       D．