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如圖所示，水平面上有兩根相距0.5m的足夠長的光滑平行金屬導(dǎo)軌MN和PQ，之間有一導(dǎo)體棒ab，導(dǎo)軌和導(dǎo)體棒的電阻忽略不計(jì)，在M和P之間接有阻值為R=2Ω的定值電阻。質(zhì)量為0.2kg的導(dǎo)體棒ab長l＝0.5m，與導(dǎo)軌接觸良好。整個(gè)裝置處于方向豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁感應(yīng)強(qiáng)度B＝0.4T�，F(xiàn)在在導(dǎo)體棒ab上施加一個(gè)水平向右，大小為0.02N的恒力，使導(dǎo)體棒ab由靜止開始運(yùn)動(dòng)，求：

⑴當(dāng)ab中的電流為多大時(shí)，導(dǎo)體棒ab的速度最大？

⑵ab的最大速度是多少？

⑶若導(dǎo)體棒從開始到速度剛達(dá)到最大的過程中運(yùn)動(dòng)的位移s=10m，則在此過程中R上產(chǎn)生的熱量是多少？

如圖所示，處于勻強(qiáng)磁場(chǎng)中的兩根足夠長、電阻不計(jì)的平行金屬導(dǎo)軌相距1 m，導(dǎo)軌平面與水平面成θ＝37°角，下端連接阻值為R的電阻．勻強(qiáng)磁場(chǎng)方向與導(dǎo)軌平面垂直，質(zhì)量為0.2 kg、電阻不計(jì)的金屬棒放在兩導(dǎo)軌上，棒與導(dǎo)軌垂直并保持良好接觸，它們之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為0.25.

(1)求金屬棒沿導(dǎo)軌由靜止開始下滑時(shí)的加速度大�。�

(2)當(dāng)金屬棒下滑速度達(dá)到穩(wěn)定時(shí)，電阻R消耗的功率為8 W，求該速度的大�。�

(3)在上問中，若R＝2 Ω，金屬棒中的電流方向由a到b，求磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小與方向．

(g取10 m/s2，sin 37°＝0.6，cos 37°＝0.8)

如圖所示，在平面直角坐標(biāo)系xOy中，第I象限存在沿y軸負(fù)方向的勻強(qiáng)電場(chǎng)，第IV象限存在垂直于坐標(biāo)平面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，一帶正電的粒子從y軸正半軸上的M點(diǎn)以速度v0垂直于y軸射入電場(chǎng)，經(jīng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)后到達(dá)x軸上的N點(diǎn)，然后射入磁場(chǎng)，最后從y軸負(fù)半軸上的P點(diǎn)垂直于y軸射出磁場(chǎng)，已知M點(diǎn)的坐標(biāo)是（0,h）,N點(diǎn)的坐標(biāo)是(2h,0),不計(jì)粒子重力，求：

（1）粒子到達(dá)N點(diǎn)時(shí)的速度v的大小以及v與初速度v0的夾角；

（2）粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑r；

（3）粒子從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到P點(diǎn)的總時(shí)間t。

如圖所示，在y軸的右方有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，在x軸的下方有一場(chǎng)強(qiáng)為E的方向平行x軸向右的勻強(qiáng)電場(chǎng)．有一鉛板放置在y軸處，且與紙面垂直．現(xiàn)有一質(zhì)量為m、電荷量為q的粒子（不計(jì)重力）由靜止經(jīng)過加速電壓為U的電場(chǎng)加速，然后以垂直于鉛板的方向從A處沿直線穿過鉛板，而后從x軸上的D處以與x軸正向夾角為60°的方向進(jìn)入電場(chǎng)和磁場(chǎng)疊加的區(qū)域，最后到達(dá)y軸上的C點(diǎn)．已知OD長為l，求：

(1)粒子經(jīng)過加速電場(chǎng)后的速度

(2)粒子經(jīng)過鉛板時(shí)損失了多少動(dòng)能？

(3)粒子到達(dá)C點(diǎn)時(shí)的速度多大？

把質(zhì)量M為的正點(diǎn)電荷，在電場(chǎng)中從靜止釋放,運(yùn)動(dòng)的過程中如果不記重力，正確的是

A．點(diǎn)電荷運(yùn)動(dòng)軌跡必與電場(chǎng)重合

B．點(diǎn)電荷的速度方向，必定和所在點(diǎn)的電場(chǎng)線的切線方向一致

C．點(diǎn)電荷的加速度方向，必與所在點(diǎn)的電場(chǎng)線的切線方向一致

D．點(diǎn)電荷的受力方向，必與所在點(diǎn)的電場(chǎng)線的切線方向一致

集成電路應(yīng)用廣泛、集成度越來越高，現(xiàn)在集成電路的集成度已達(dá)幾億個(gè)元件，目前科學(xué)家們正朝著集成度突破10億個(gè)元件的目標(biāo)邁進(jìn)，集成度越高，各種電子元件越微型化，如圖甲一是我國自行研制成功的中央處理器（CPU）芯片“龍芯”1號(hào)，下圖二中，R1和R2是材料相同、厚度相同、表面為正方形的導(dǎo)體，但R2的尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于R1的尺寸，通過兩導(dǎo)體的電流方向如圖乙所示，則這兩個(gè)導(dǎo)體的電阻R1、R2的關(guān)系說法正確的是

A．R1＞R2 B．R1＜R2 C．R1=R2 D．無法確定

如圖所示，電源內(nèi)阻為r，定值電阻R0＝r/2，可變電阻R的最大阻值為2r，當(dāng)可變電阻的滑動(dòng)觸頭從最左端向右端滑動(dòng)過程中

A．電源的輸出功率一直變大

B．電源的輸出功率一直變小

C．當(dāng)可變電阻滑到R＝r/2時(shí)電源的輸出功率最大

D．當(dāng)可變電阻滑到R＝r時(shí)電源的輸出功率最大

如圖，水平光滑導(dǎo)軌接有電源，電動(dòng)勢(shì)為E，內(nèi)電阻為r，其它的電阻不計(jì)，導(dǎo)軌上有三根導(dǎo)體棒a、b、c,長度關(guān)系為c最長，b最短，將c彎成一直徑與b等長的半圓，整個(gè)裝置置下向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，三棒受到安培力的關(guān)系為

A．Fa＞Fb＞Fc B．Fa＝Fb＝Fc C．Fb＜Fa＜Fc D．Fa＞Fb＝Fc

從太陽或其他星體上放射出的宇宙射線中含有大量的高能帶電粒子，這些高能粒子流到達(dá)地球會(huì)對(duì)地球上的生命帶來危害，但是由于地球周圍存在磁場(chǎng)，地磁場(chǎng)能改變宇宙射線中帶電粒子的運(yùn)動(dòng)方向，對(duì)地球上的生命起到保護(hù)作用，如圖，那么

A．地磁場(chǎng)對(duì)宇宙射線的阻擋作用各處相同

B．地磁場(chǎng)對(duì)垂直射向地球表面的宇宙射線的阻擋作用在南、北兩極最強(qiáng)，赤道附近最弱

C．地磁場(chǎng)對(duì)垂直射向地球表面的宇宙射線的阻擋作用在南、北兩極最弱，赤道附近最強(qiáng)

D．地磁場(chǎng)會(huì)使沿地球赤道平面內(nèi)射來的宇宙射線中的帶電粒子向兩極偏轉(zhuǎn)

示的電路中，a、b、c為三盞完全相同的燈泡，L是一個(gè)自感系數(shù)很大、直流電阻為零的自感線圈，E為電源，S為開關(guān)。關(guān)于三盞燈泡，下列說法正確的是

A．合上開關(guān)，c、b先亮，a后亮

B．合上開關(guān)一會(huì)后，a、b一樣亮

C．?dāng)嚅_開關(guān)，b、c同時(shí)熄滅，a緩慢熄滅

D．?dāng)嚅_開關(guān)，c馬上熄滅， b閃一下后和a一起緩慢熄滅