| A. | 金屬桿ab所受的安培力大小為BILsinθ | |
| B. | 金屬桿ab所受的安培力大小為BIL | |
| C. | 金屬桿ab所受的摩擦力大小為BILsinθ | |
| D. | 金屬桿ab所受的摩擦力大小為μmg |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
| A. | μg | B. | $\frac{g}{μ}$ | C. | $\frac{μ}{g}$ | D. | g |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
| A. | 電場(chǎng)線方向由B指向A | B. | A點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)一定大于B點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng) | ||
| C. | 如Q為負(fù)電荷,則Q在A點(diǎn)左側(cè) | D. | 從A運(yùn)動(dòng)到B,電子電勢(shì)能增加 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
| A. | ($\frac{{L}_{1}}{{L}_{2}}$)2 | B. | ($\frac{{L}_{1}}{{L}_{2}}$)3 | C. | ($\frac{{L}_{2}}{{L}_{1}}$)2 | D. | ($\frac{{L}_{2}}{{L}_{1}}$)3 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
| A. | 二價(jià)銅離子打在屏上時(shí)的速度小 | |
| B. | 離子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)后,二價(jià)銅離子飛到屏上用的時(shí)間短 | |
| C. | 離子通過加速電場(chǎng)過程中,電場(chǎng)力對(duì)二價(jià)銅離子做的功大 | |
| D. | 在離開偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)時(shí),兩種離子在電場(chǎng)方向上的位移不相等 |
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