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如圖所示，有一個(gè)均勻帶電球體，球心為O，半徑為R，電荷體密度為ρ，球內(nèi)有一個(gè)球形的空腔，半徑為R’，OO’的距離為a.

(1)求O’處的場(chǎng)強(qiáng)E’.

(2)求證空腔內(nèi)場(chǎng)強(qiáng)處處相同.

(1)4πkaρ/3                (2)略

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，在一個(gè)均勻的磁場(chǎng)中有一U形導(dǎo)線框abcd，線框處于水平面內(nèi)，磁場(chǎng)與線框平面垂直，R為一電阻，ef為垂直于ab的一根導(dǎo)體桿，它可在ab、cd上無(wú)摩擦地滑動(dòng)．桿ef及線框中導(dǎo)線的電阻都可不計(jì)．開始時(shí)，給ef一個(gè)向右的初速度，則有（　�。�
A、ef將減速向右運(yùn)動(dòng)B、ef將加速向右運(yùn)動(dòng)C、ef將勻速向右運(yùn)動(dòng)D、ef將往返運(yùn)動(dòng)

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科目：高中物理 來(lái)源：新五星級(jí)題庫(kù)高中物理 題型：038

如圖所示，有一個(gè)均勻帶電球體，球心為O，半徑為R，電荷體密度為ρ，球內(nèi)有一個(gè)球形的空腔，半徑為，O的距離為a．

(1)求處的場(chǎng)強(qiáng)．

(2)求證空腔內(nèi)場(chǎng)強(qiáng)處處相同．

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科目：高中物理 來(lái)源：2012-2013學(xué)年北京市海淀區(qū)高三上學(xué)期期末考試物理試卷（解析版） 題型：選擇題

霍爾式位移傳感器的測(cè)量原理如圖所示，有一個(gè)沿z軸方向均勻變化的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=B0+kz(B0、k均為常數(shù))。將霍爾元件固定在物體上，保持通過(guò)霍爾元件的電流I不變(方向如圖所示)，當(dāng)物體沿z軸正方向平移時(shí)，由于位置不同，霍爾元件在y軸方向的上、下表面的電勢(shì)差U也不同。則(    )

A.磁感應(yīng)強(qiáng)度B越大，上、下表面的電勢(shì)差U越大

B.k越大，傳感器靈敏度()越高

C.若圖中霍爾元件是電子導(dǎo)電，則下板電勢(shì)高

D.電流，越大，上、下表面的電勢(shì)差U越小

 

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科目：高中物理 來(lái)源：2012-2013學(xué)年北京市海淀區(qū)高三第一學(xué)期期末考試物理試卷（解析版） 題型：選擇題

霍爾式位移傳感器的測(cè)量原理如圖所示，有一個(gè)沿z軸方向均勻變化的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=B0+kz(B0、k均為常數(shù))。將霍爾元件固定在物體上，保持通過(guò)霍爾元件的電流I不變(方向如圖9所示)，當(dāng)物體沿z軸正方向平移時(shí)，由于位置不同，霍爾元件在y軸方向的上、下表面的電勢(shì)差U也不同。則    (    )

A.磁感應(yīng)強(qiáng)度B越大，上、下表面的電勢(shì)差U越大

B.k越大，傳感器靈敏度()越高

C.若圖中霍爾元件是電子導(dǎo)電，則下板電勢(shì)高

D.電流越大，上、下表面的電勢(shì)差U越小

 

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