同學(xué)用電阻箱、多用電表、開關(guān)和導(dǎo)線測一節(jié)舊干電池的電動勢和內(nèi)阻.
⑴他先用多用表電壓檔直接接在電源兩極,讀數(shù)如圖甲,則電源電動勢約為 V.
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⑵為了更準(zhǔn)確的測量電源的電動勢和內(nèi)電阻,他用多用表的“直流100mA”檔設(shè)計了如圖乙的測量電路,為了電表安全,請估算開關(guān)閉合前電阻箱的最小取值為 Ω.
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⑶將多用電表的選擇開關(guān)從OFF旋轉(zhuǎn)至“直流100mA”檔,調(diào)節(jié)電阻箱到合適的值并記錄其讀數(shù)R,合上開關(guān)從多用表上讀出相應(yīng)的示數(shù)I.
⑷重復(fù)⑶獲得多組數(shù)據(jù),根據(jù)數(shù)據(jù)作出了如圖丙所示的
圖線.
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⑸由圖線得干電池的電動勢E = V(保留三位有效數(shù)字),內(nèi)阻r= Ω (取整數(shù)),多用表的內(nèi)電阻對 (選填“E”、“r”或“E和r”)的測量結(jié)果有影響。
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,在兩條平行的虛線內(nèi)存在著寬度為L、電場強度為E的勻強電場,在與右側(cè)虛線相距也為L處有一與電場平行的屏.現(xiàn)有一電荷量為+q、質(zhì)量為m的帶電粒子(重力不計),以垂直于電場線方向的初速度v0射入電場中,v0方向的延長線與屏的交點為O.試求:
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(1)粒子從射入到打到屏上所用的時間;
(2)粒子剛射出電場時的速度方向與初速度方向間夾角的正切值tan α;
(3)粒子打到屏上的點到O點的距離Y.
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科目:高中物理 來源: 題型:
一水平傳送帶保持2m/s的速度順時針轉(zhuǎn)動,某時刻將一質(zhì)量為0.5kg的小物塊輕輕放在傳送帶的最左端,已知物塊與傳送帶間的動摩擦因數(shù)為0.2,傳送帶兩輪輪心間的距離為3m,則物塊運動到傳送帶最右端的時間為____ s;此過程中摩擦力對物塊的沖量大小為___
。(g取
)
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,Q1和Q2是兩個電荷量大小相等的點電荷,MN是兩電荷的連線,HG是兩電荷連線的中垂線,O是垂足。下列說法正確的是( )
A.若兩電荷是異種電荷,則OM的中點與ON的中點電勢一定相等
B.若兩電荷是異種電荷,則O點的電場強度大小,與MN上各點相比是最小的,而與HG上各點相比是最大的
C.若兩電荷是同種電荷,則OM中點與ON中點處的電場強度一定相同
D.若兩電荷是同種電荷,則O點的電場強度大小,與MN上各點相比是最小的,與HG上各點相比是最大的
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,電壓表和電流表的讀數(shù)分別為10V和0.1A,電流表的內(nèi)阻為0.2Ω,那么有關(guān)待測電阻Rx的說法正確的是:( )
A.Rx的測量值比真實值小
B.Rx的真實值為100Ω
C.Rx的真實值為100.2Ω
D.Rx的真實值為99.8Ω
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,扇形AOB為透明柱狀介質(zhì)的橫截面,半徑為R,介質(zhì)折射率為
,圓心角為45°,一束平行于OB的單色光由OA面射入介質(zhì),要使柱體AB面上沒有光線射出,至少要在O點上方豎直放置多高的遮光板?(不考慮OB面的反射)。
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科目:高中物理 來源: 題型:
關(guān)于麥克斯韋電磁場理論,下列說法中正確的是( )
A.在電場周圍一定產(chǎn)生磁場,磁場周圍一定產(chǎn)生電場
B.在變化的電場周圍一定產(chǎn)生變化的磁場,變化的磁場周圍一定產(chǎn)生變化的電場
C.均勻變化的電場周圍一定產(chǎn)生均勻變化的磁場
D.周期性變化的電場周圍一定產(chǎn)生周期性變化的磁場
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科目:高中物理 來源: 題型:
分別在光滑水平面、粗糙水平面和粗糙斜面上推同一物體,如圖(a)、(b)、(c)所示.如果所用的圖示推力大小相等,在物體發(fā)生大小相等位移的過程中,推力對物體所做的功( 。
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| A. | 在光滑水平面上較大 | B. | 在粗糙水平面上較大 |
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| C. | 在粗糙斜面上較大 | D. | 相等 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
為了測量一微安表頭A的內(nèi)阻,某同學(xué)設(shè)計了如圖所示的電路.圖中,A0是標(biāo)準(zhǔn)電流表,R0和RN分別是滑動變阻器和電阻箱,S和S1分別是單刀雙擲開關(guān)和單刀單擲開關(guān),E是電池.完成下列實驗步驟中的填空:
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(1)將S撥向接點1,接通S1,調(diào)節(jié) ,使待測表頭指針偏轉(zhuǎn)到適當(dāng)位置,記下此時 的讀數(shù)I;
(2)然后將S撥向接點2,調(diào)節(jié) ,使 , 記下此時RN的讀數(shù);
(3)多次重復(fù)上述過程,計算RN讀數(shù)的 ,此即為待測微安表頭內(nèi)阻的測量值.
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