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注入工藝中，初速度可忽略的離子P+和P3+，經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里，有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，如圖所示，已知離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出。在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)，離子P+和P3+（   ）

A．在內(nèi)場(chǎng)中的加速度之比為1:1
B．在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為:1
C．在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1：2
D．離開(kāi)電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1:3

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

精英家教網(wǎng)在半導(dǎo)體離子注入工藝中，初速度可忽略的離子P+和P3+，經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里，有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，如圖所示．已知離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出．在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)，離子P+和P3+（　�。�

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

在半導(dǎo)體離子注入工藝中，初速度可忽略的離子P+和P3+，經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里，有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，如圖所示。已知離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出。在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)，離子P+和P3+

A．在電場(chǎng)中的加速度之比為1:1

B．在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為:1

C．在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1 : 2

D．離開(kāi)電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1 : 3

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

在半導(dǎo)體離子注入工藝中，初速度可忽略的磷離子P＋和P3＋，經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，如圖所示．已知離子P＋在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ＝30°后從磁場(chǎng)右邊界射出．在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)，離子P＋和P3＋(　　)

A．在電場(chǎng)中的加速度之比為1∶1

B．在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為∶1

C．在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1∶2

D．離開(kāi)電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1∶3

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科目：高中物理 來(lái)源：2013年全國(guó)普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試?yán)砜凭C合能力測(cè)試物理（浙江卷解析版） 題型：選擇題

注入工藝中，初速度可忽略的離子P+和P3+，經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里，有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，如圖所示，已知離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出。在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)，離子P+和P3+（   ）

A．在內(nèi)場(chǎng)中的加速度之比為1:1

B．在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為:1

C．在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1：2

D．離開(kāi)電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1:3

 

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科目：高中物理 來(lái)源：2013年浙江省高考物理試卷（解析版） 題型：選擇題

在半導(dǎo)體離子注入工藝中，初速度可忽略的離子P+和P3+，經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里，有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，如圖所示．已知離子P+在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ=30°后從磁場(chǎng)右邊界射出．在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)，離子P+和P3+（ ）

A．在內(nèi)場(chǎng)中的加速度之比為1：1
B．在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為：1
C．在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1：2
D．離開(kāi)電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1：3

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