如圖所示,有一個正方形的勻強磁場區(qū)域abcd,e是ad的中點,f是cd的中點,如果在a點沿對角線方向以速度v射入一帶負電的帶電粒子,恰好從e點射出,則
A.如果粒子的速度增大為原來的二倍,將從d點射出
B.如果粒子的速度增大為原來的三倍,將f點射出
C.如果粒子的速度不變,磁場的磁感應強度變?yōu)樵瓉淼亩叮矊膁點射出
D.只改變粒子的速度使其分別從e,d,f點射出時,從f點射出所用的時間最短
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科目:高中物理 來源: 題型:
| R | 2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
| A、 | B、 | C、 | D、 |
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科目:高中物理 來源:2012-2013學年北京市海淀區(qū)高三上學期期末考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題
霍爾式位移傳感器的測量原理如圖所示,有一個沿z軸方向均勻變化的勻強磁場,磁感應強度B=B0+kz(B0、k均為常數)。將霍爾元件固定在物體上,保持通過霍爾元件的電流I不變(方向如圖所示),當物體沿z軸正方向平移時,由于位置不同,霍爾元件在y軸方向的上、下表面的電勢差U也不同。則( )
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A.磁感應強度B越大,上、下表面的電勢差U越大
B.k越大,傳感器靈敏度(
)越高
C.若圖中霍爾元件是電子導電,則下板電勢高
D.電流,越大,上、下表面的電勢差U越小
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科目:高中物理 來源:2012-2013學年北京市海淀區(qū)高三第一學期期末考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題
霍爾式位移傳感器的測量原理如圖所示,有一個沿z軸方向均勻變化的勻強磁場,磁感應強度B=B0+kz(B0、k均為常數)。將霍爾元件固定在物體上,保持通過霍爾元件的電流I不變(方向如圖9所示),當物體沿z軸正方向平移時,由于位置不同,霍爾元件在y軸方向的上、下表面的電勢差U也不同。則 ( )
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A.磁感應強度B越大,上、下表面的電勢差U越大
B.k越大,傳感器靈敏度(
)越高
C.若圖中霍爾元件是電子導電,則下板電勢高
D.電流越大,上、下表面的電勢差U越小
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