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如圖所示，ab和cd是位于水平面內(nèi)的平行金屬軌道，間距為l，其電阻可忽略不計，ac之間連接一阻值為R的電阻．ef為一垂直于ab和cd的金屬桿，它與ad和cd接觸良好并可沿軌道方向無摩擦地滑動．電阻可忽略．整個裝置處在勻強磁場中，磁場方向垂直于圖中紙面向里，磁感應(yīng)強度為B，當(dāng)施外力使桿ef以速度v向右勻速運動時，桿ef所受的安培力為(　　)
A．B．C．D．
A

試題分析：acef組成一個閉合回路，ef相當(dāng)于電源，所以ef受到的安培力，聯(lián)立可得桿ef所受的安培力為,故A正確；
點評：做本題的關(guān)鍵是知道ef相當(dāng)于電源，
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：不詳 題型：填空題

如圖所示，一正方形導(dǎo)線框邊長為，質(zhì)量為m，電阻為R。從某一高度豎直落入磁感應(yīng)強度為B的水平勻強磁場中，磁場寬度為d，且d>l。線框邊剛進(jìn)入磁場時線框恰好做勻速運動，此時線框的速度為__________。若線框邊剛要離開磁場時線框又恰好做勻速運動，則線框在穿過磁場的過程中產(chǎn)生的電能為__________。（已知重力加速度為g）

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，一個矩形線框從勻強磁場的上方自由落下，進(jìn)入勻強磁場中，然后再從磁場中穿出，已知勻強磁場區(qū)域的寬度L大于線框的高度h，則下列說法正確的是
A．線框只在進(jìn)入和穿出磁場的過程中，才有感應(yīng)電流產(chǎn)生
B．線框從進(jìn)入到穿出磁場的整個過程中，都有感應(yīng)電流生
C．線框在進(jìn)入和穿出磁場的過程中，都是機械能轉(zhuǎn)化成電能
D．整個線框都在磁場中運動時，機械能轉(zhuǎn)化成電能

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：計算題

如圖所示，在傾角θ＝30°，相距L＝1m的光滑軌道上端連有一電阻R＝9Ω，整個軌道處于垂直軌道方向的磁感應(yīng)強度B＝1T的勻強磁場中，現(xiàn)在軌道上由靜止釋放一質(zhì)量m＝100g，電阻r＝lΩ的金屬棒，當(dāng)棒下滑s＝5m時恰好達(dá)到最大速度，不計導(dǎo)軌電阻.

求:
(1)棒下滑的最大速度.
(2) 棒下滑的速度為3m/s時棒的加速度大小為多少
(3) 電阻R在這個過程中產(chǎn)生的熱量.

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：計算題

如圖所示，在平面內(nèi)有一扇形金屬框，其半徑為，邊與軸重合，邊與軸重合，且為坐標(biāo)原點，邊與邊的電阻不計，圓弧上單位長度的電阻為。金屬桿MN長度為L，放在金屬框上，MN與邊緊鄰，金屬桿ac長度的電阻為R0。磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場與框架平面垂直并充滿平面�，F(xiàn)對MN桿施加一個外力（圖中未畫出），使之以C點為軸順時針勻速轉(zhuǎn)動，角速度為。求：

（1）在MN桿運動過程中，通過桿的電流I與轉(zhuǎn)過的角度間的關(guān)系；
（2）整個電路消耗電功率的最小值是多少？

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，光滑導(dǎo)軌傾斜放置，其下端連接一個燈泡，勻強磁場垂直于導(dǎo)軌所在平面，當(dāng)ab棒下滑到穩(wěn)定狀態(tài)時，小燈泡獲得的功率為P0，除燈泡外，其他電阻不計，要使穩(wěn)定狀態(tài)燈泡的功率變?yōu)?P0，下列措施正確的是 (　　)．
A．換一個電阻為原來一半的燈泡
B．把磁感應(yīng)強度B增為原來的2倍
C．換一根質(zhì)量為原來的倍的金屬棒
D．把導(dǎo)軌間的距離增大為原來的倍

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：計算題

如右圖所示，用粗細(xì)相同的銅絲做成邊長分別為L和2L的兩只閉合線框a和b，以相同的速度從磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場區(qū)域中勻速地拉到磁場外，不考慮線框的動能，若外力對環(huán)做的功分別為Wa、Wb，則Wa∶Wb為多少？

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：計算題

如圖所示，質(zhì)量為m、邊長為L的正方形線框，從有界的勻強磁場上方由靜止自由下落，線框電阻為R，勻強磁場的高度為H，（L<H），磁感應(yīng)強度為B，線框下落過程中ab邊與磁場邊界平行且保持水平。已知ab邊剛進(jìn)入磁場時和ab邊剛穿出磁場時線框都做減速運動，加速度大小都為．求：

（1）ab邊剛進(jìn)入磁場時和ab邊剛出磁場時的速度大��；
（2）cd邊剛進(jìn)入磁場時，線框的速度大�。�
（3）線框進(jìn)入磁場的過程中，產(chǎn)生的熱量．

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：計算題

如圖所示，一個U形導(dǎo)體框架，其寬度L=1m，框架所在平面與水平面的夾用α=30°。其電阻可忽略不計。設(shè)勻強磁場與U形框架的平面垂直。勻強磁場的磁感強度B＝0.2T。今有一條形導(dǎo)體ab，其質(zhì)量為m＝0.5kg，有效電阻R=0.1Ω，跨接在U形框架上，并且能無摩擦地滑動，求:

（1）由靜止釋放導(dǎo)體，導(dǎo)體ab下滑的最大速度vm；
（2）在最大速度vm時，在ab上釋放的電功率。（g=10m/s2）。

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同步練習(xí)冊答案