| q |
| m |
| ||
| 15 |
| mg |
| q |
| 10 |
| 25 |
2
| ||
| 15 |
| L |
| R |
| ||
| 2 |
| v2 |
| R |
| qBR |
| m |
| ||
| 3 |
| v |
| t |
| 0.58 |
| 0.4 |
| ma |
| q |
| 2πm |
| qB |
| 4π |
| 5 |
| θ |
| 360° |
| T |
| 6 |
| T |
| 6 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖13所示,A板左側(cè)存在著水平向左的勻強(qiáng)電場E,,A板上有一水平小孔正對右側(cè)豎直屏上的D點(diǎn),A板與屏之間距離為L,A板與屏之間存在豎直向下的勻強(qiáng)電場E2和沿垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場。一個帶負(fù)電的可視為質(zhì)點(diǎn)的微粒從P點(diǎn)以某一初速度v0豎直向上射入電場,經(jīng)時間0.4s恰好從A板中的小孔水平進(jìn)入右側(cè)區(qū)域,并作勻速圓周運(yùn)動,最終打在屏上的C處。已知微粒電量和質(zhì)量的比值
= 25 C/kg,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.1T,A板與屏之間距離L=0.2m,屏上C點(diǎn)離D點(diǎn)的距離為h =
m。不考慮微粒對電場和磁場的影響,取g=10m/s 。求:
(1)勻強(qiáng)電場易的大;
(2)微粒從A板小孔射入速度移的大小;
(3)勻強(qiáng)電場E1的大。
(4)微粒從P點(diǎn)運(yùn)動到C點(diǎn)的總時間。
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如圖13所示,A板左側(cè)存在著水平向左的勻強(qiáng)電場E,,A板上有一水平小孔正對右側(cè)豎直屏上的D點(diǎn),A板與屏之間距離為L,A板與屏之間存在豎直向下的勻強(qiáng)電場E2和沿垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場。一個帶負(fù)電的可視為質(zhì)點(diǎn)的微粒從P點(diǎn)以某一初速度v0豎直向上射入電場,經(jīng)時間0.4s恰好從A板中的小孔水平進(jìn)入右側(cè)區(qū)域,并作勻速圓周運(yùn)動,最終打在屏上的C處。已知微粒電量和質(zhì)量的比值
= 25 C/kg,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.1T,A板與屏之間距離L=0.2m,屏上C點(diǎn)離D點(diǎn)的距離為h =
m。不考慮微粒對電場和磁場的影響,取g=10m/s 。求:
(1)勻強(qiáng)電場易的大。
(2)微粒從A板小孔射入速度移的大。
(3)勻強(qiáng)電場E1的大。
(4)微粒從P點(diǎn)運(yùn)動到C點(diǎn)的總時間。
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