(2012年3月蘭州診斷)如圖所示,第四象限內(nèi)有互相正交的勻強(qiáng)電場(chǎng)E與勻強(qiáng)磁場(chǎng)B1,E的大小為1.5×l03v/m,B1大小為0.5T;第一象限的某個(gè)矩形區(qū)域內(nèi),有方向垂直紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)的下邊界與x軸重合。一質(zhì)量m=l×10-14kg.電荷量q=2×10-10C的帶正電微粒以某一速度v沿與y軸正方向60°角從M點(diǎn)射入,沿直線運(yùn)動(dòng),經(jīng)P點(diǎn)后即進(jìn)入處于第一象限內(nèi)的磁場(chǎng)B2區(qū)域。一段時(shí)間后,小球經(jīng)過(guò)y軸上的N點(diǎn)并與y軸正方向成60°角的方向飛出。M點(diǎn)的坐標(biāo)為(0,-10),N點(diǎn)的坐標(biāo)為(0,30),不計(jì)微粒重力,g取10m/s2。則求:
(1)微粒運(yùn)動(dòng)速度v的大。
(2)勻強(qiáng)磁場(chǎng)B2的大。
(3)B2磁場(chǎng)區(qū)域的最小面積。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
(2012年3月蘭州診斷)如圖所示,一電子槍發(fā)射出的電子(初速度很小,可視為零)進(jìn)入加速電場(chǎng)加速后,垂直射入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),射出后偏轉(zhuǎn)位移為Y,要使偏轉(zhuǎn)位移增大,下列哪些措施是可行的(不考慮電子射出時(shí)碰到偏轉(zhuǎn)電極板的情況)
A.增大偏轉(zhuǎn)電壓U B.增大加速電壓U0
C.增大偏轉(zhuǎn)極板間距離 D.將發(fā)射電子改成發(fā)射負(fù)離子
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
(2012年3月蘭州診斷)如圖所示,在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有固定的金屬框架ABC,已知∠B=θ,導(dǎo)體棒DE在框架上從B點(diǎn)開(kāi)始在外力作用下,沿垂直DE方向以速度v勻速向右平移,使導(dǎo)體棒和框架構(gòu)成等腰三角形回路。設(shè)框架和導(dǎo)體棒材料相同,其單位長(zhǎng)度的電阻均為R,框架和導(dǎo)體棒均足夠長(zhǎng).不計(jì)摩擦及接觸電阻。關(guān)于回路中的電流I和電功率P隨時(shí)間t變化的下列四個(gè)圖象中正確的是
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