如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在xOy平面的第一象限,存在以x軸、y軸及雙曲線(xiàn)
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0、y=L的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域Ⅱ.兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,不計(jì)電子所受重力,電子的電荷量為e,則:
![]()
(1)求從電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ的邊界B點(diǎn)(B點(diǎn)的縱坐標(biāo)為L(zhǎng))處由靜止釋放電子,到達(dá)區(qū)域Ⅱ的M點(diǎn)時(shí)的速度;
(2) 求(1)中的電子離開(kāi)MNPQ時(shí)的坐標(biāo);
(3)證明在電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ的AB曲線(xiàn)上任何一點(diǎn)處,由靜止釋放電子恰能從MNPQ區(qū)域左下角P點(diǎn)離開(kāi);
(1) v=
;(2)(-2L,0);
(3)離開(kāi)點(diǎn)的橫坐標(biāo)X1=-2L,縱坐標(biāo)y1=y-y’=0,即(-2L,0)為P點(diǎn)。
【解析】
試題分析:
(1) B點(diǎn)坐標(biāo)(
, L),在電場(chǎng)I中電子被加速到v,由動(dòng)能定理
eE
=
,解得v=![]()
(2)電子進(jìn)入電場(chǎng)II做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),有
t=
;
;![]()
所以橫坐標(biāo)x= - 2L;縱坐標(biāo)y=L-y=0即為(-2L,0)
(3)設(shè)釋放點(diǎn)在電場(chǎng)區(qū)域I的AB曲線(xiàn)邊界,其坐標(biāo)為(x,y),在電場(chǎng)I中電子被加速到v1,然后進(jìn)入電場(chǎng)II做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),有eEx=
;t=
;
;
所以離開(kāi)點(diǎn)的橫坐標(biāo)X1=-2L,縱坐標(biāo)y1=y-y’=0,即(-2L,0)為P點(diǎn)。
考點(diǎn): 帶電粒子在電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
| L | n |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
| L2 | 4x |
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