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如圖所示，勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直穿過(guò)框架平面，B＝1T。金屬桿ab長(zhǎng)0.5m，其電阻Rab＝0.5Ω，電壓表為理想電壓表，電流表為理想電流表，電阻R＝1.5Ω。桿ab以速度v＝4m／s向右勻速運(yùn)動(dòng)，則

（1）當(dāng)S接A時(shí)，電壓表的讀數(shù)為　　      ，電流表的讀數(shù)為　　   。
（2）當(dāng)S接B時(shí)，電壓表的讀數(shù)為　　      ，電流表的讀數(shù)為　　   。
（3）當(dāng)S接C時(shí)，電壓表的讀數(shù)為　　      ，電流表的讀數(shù)為　　   。 

（1）2 V， 0。（2）1.5V， 1 A。（3）0，4 A。

解析

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2009?宜昌模擬）如圖所示，相距2L的AB、CD兩直線間的區(qū)域存在著兩個(gè)方向相下方的電場(chǎng)界勻強(qiáng)電場(chǎng)，其中PT上方的電場(chǎng)E1豎直向下，下方的電場(chǎng)E0豎直向上，PQ上連續(xù)分布著電量為+q、質(zhì)量為m的粒子，依次以相同的初速度v0．垂直射入E0中，PQ=L．若從Q點(diǎn)射入的粒子恰從M點(diǎn)水平射出，其軌跡如圖，MT=
L2
．不計(jì)粒子的重力及它們間的相互作用．試求：
（1）E0與E1的大��；
（2）若從M點(diǎn)射出的粒子恰從中點(diǎn)S孔垂直射入邊長(zhǎng)為a的正方形容器中，容器中存在如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，已知粒子運(yùn)動(dòng)的半徑小于a．欲使粒子與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出（粒子與絕緣壁碰撞時(shí)無(wú)能量和電量損失），求磁感應(yīng)強(qiáng)度B應(yīng)滿足的條件？
（3）在PQ間還有許多水平射入電場(chǎng)的粒子通過(guò)電場(chǎng)后也能從CD邊水平射出，這些入射點(diǎn)到P點(diǎn)的距離應(yīng)滿足的條件？

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科目：高中物理 來(lái)源：福建省三明一中2011屆高三上學(xué)期第三次月考物理試題 題型：038

如圖所示，相距2L的AB、CD兩直線間的區(qū)域存在著兩個(gè)方向相反的有界勻強(qiáng)電場(chǎng)，其中PT上方的電場(chǎng)E1豎直向下，下方的電場(chǎng)E0豎直向上，PQ上連續(xù)分布著電量為＋q、質(zhì)量為m的粒子，依次以相同的初速度v0垂直射入E0中，PQ＝L．若從Q點(diǎn)射入的粒子恰從M點(diǎn)水平射出，其軌跡如圖，MT＝．不計(jì)粒子的重力及它們間的相互作用．試求：

(1)E0與E1的大��；

(2)若從M點(diǎn)射出的粒子恰從中點(diǎn)S孔垂直射入邊長(zhǎng)為a的正方形容器中，容器中存在如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，已知粒子運(yùn)動(dòng)的半徑小于a．欲使粒子與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出(粒子與絕緣壁碰撞時(shí)無(wú)能量和電量損失)，求磁感應(yīng)強(qiáng)度B應(yīng)滿足的條件？

(3)在PQ間還有許多水平射入電場(chǎng)的粒子通過(guò)電場(chǎng)后也能從CD邊水平射出，這些入射點(diǎn)到P點(diǎn)的距離應(yīng)滿足的條件？

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示，相距2L的AB、CD兩直線間的區(qū)域存在著兩個(gè)方向相反的有界勻強(qiáng)電場(chǎng)，其中PT上方的電場(chǎng)E1豎直向下，下方的電場(chǎng)E0豎直向上，PQ上連續(xù)分布著電量為＋q、質(zhì)量為m的粒子，依次以相同的初速度v0垂直射入E0中，PQ＝L。若從Q點(diǎn)射入的粒子恰從M點(diǎn)水平射出，其軌跡如圖，MT＝。不計(jì)粒子的重力及它們間的相互作用。試求：

（1）E0與E1的大小；

（2）若從M點(diǎn)射出的粒子恰從中點(diǎn)S孔垂直射入邊長(zhǎng)為a的正方形容器中，容器中存在如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，已知粒子運(yùn)動(dòng)的半徑小于a。欲使粒子與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出（粒子與絕緣壁碰撞時(shí)無(wú)能量和電量損失），求磁感應(yīng)強(qiáng)度B應(yīng)滿足的條件？

（3）在PQ間還有許多水平射入電場(chǎng)的粒子通過(guò)電場(chǎng)后也能從CD邊水平射出，這些入射點(diǎn)到P點(diǎn)的距離應(yīng)滿足的條件？

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示，相距2L的AB、CD兩直線間的區(qū)域存在著兩個(gè)方向相反的有界勻強(qiáng)電場(chǎng)，其中PT上方的電場(chǎng)E1豎直向下，下方的電場(chǎng)E0豎直向上，PQ上連續(xù)分布著電量為＋q、質(zhì)量為m的粒子，依次以相同的初速度v0垂直射入E0中，PQ＝L。若從Q點(diǎn)射入的粒子恰從M點(diǎn)水平射出，其軌跡如圖，MT＝。不計(jì)粒子的重力及它們間的相互作用。試求：

（1）E0與E1的大�。�

（2）若從M點(diǎn)射出的粒子恰從中點(diǎn)S孔垂直射入邊長(zhǎng)為a的正方形容器中，容器中存在如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，已知粒子運(yùn)動(dòng)的半徑小于a。欲使粒子與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出（粒子與絕緣壁碰撞時(shí)無(wú)能量和電量損失），求磁感應(yīng)強(qiáng)度B應(yīng)滿足的條件？

（3）在PQ間還有許多水平射入電場(chǎng)的粒子通過(guò)電場(chǎng)后也能從CD邊水平射出，這些入射點(diǎn)到P點(diǎn)的距離應(yīng)滿足的條件？

 

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科目：高中物理 來(lái)源：2010-2011學(xué)年福建省高三上學(xué)期第三次月考物理試卷 題型：計(jì)算題

如圖所示，相距2L的AB、CD兩直線間的區(qū)域存在著兩個(gè)方向相反的有界勻強(qiáng)電場(chǎng)，其中PT上方的電場(chǎng)E1豎直向下，下方的電場(chǎng)E0豎直向上，PQ上連續(xù)分布著電量為＋q、質(zhì)量為m的粒子，依次以相同的初速度v0垂直射入E0中，PQ＝L。若從Q點(diǎn)射入的粒子恰從M點(diǎn)水平射出，其軌跡如圖，MT＝。不計(jì)粒子的重力及它們間的相互作用。試求：

（1）E0與E1的大��；

（2）若從M點(diǎn)射出的粒子恰從中點(diǎn)S孔垂直射入邊長(zhǎng)為a的正方形容器中，容器中存在如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，已知粒子運(yùn)動(dòng)的半徑小于a。欲使粒子與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出（粒子與絕緣壁碰撞時(shí)無(wú)能量和電量損失），求磁感應(yīng)強(qiáng)度B應(yīng)滿足的條件？

（3）在PQ間還有許多水平射入電場(chǎng)的粒子通過(guò)電場(chǎng)后也能從CD邊水平射出，這些入射點(diǎn)到P點(diǎn)的距離應(yīng)滿足的條件？

 

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