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如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管W#W$W%.K**S*&5^U,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。(忽略粒子所受重力)

(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點處,質量為16m的離子打在處。求之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質量范圍。

  (1)正離子被電壓為U0的加速電場加速后速度設為V1,設

對正離子,應用動能定理有eU0mV12,

正離子垂直射入勻強偏轉電場,作類平拋運動

受到電場力F=qE0、產生的加速度為a=,即a=,

垂直電場方向勻速運動,有2d=V1t,

沿場強方向:Y=at2

聯立解得E0

又tanφ=,解得φ=45°;

(2)正離子進入磁場時的速度大小為V2,

解得V2

正離子在勻強磁場中作勻速圓周運動,由洛侖茲力提供向心力,qV2B=

解得離子在磁場中做圓周運動的半徑R=2;

(3)根據R=2可知,

質量為4m的離子在磁場中的運動打在S1,運動半徑為R1=2,

質量為16m的離子在磁場中的運動打在S2,運動半徑為R2=2,

又ON=R2-R1,

由幾何關系可知S1和S2之間的距離ΔS=-R1

聯立解得ΔS=4(-);

由R′2=(2 R1)2+( R′-R1)2解得R′=R1

再根據R1<R<R1,

解得m<mx<25m。

練習冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

(2009?重慶)如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場.已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;
(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處,質量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質量范圍.

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如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管W#W$W%.K**S*&5^U,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點處,質量為16m的離子打在處。求之間的距離。

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如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點處,質量為16m的離子打在處。求之間的距離。

 

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如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點處,質量為16m的離子打在處。求之間的距離。

 

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(1)求偏轉電場場強E的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;
(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處,質量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質量范圍.

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