如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管W#W$W%.K**S*&5^U,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,
=90°。(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角
;
(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;
(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點
處,質量為16m的離子打在
處。求
和
之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質量范圍。
(1)正離子被電壓為U0的加速電場加速后速度設為V1,設
對正離子,應用動能定理有eU0=
mV12,
正離子垂直射入勻強偏轉電場,作類平拋運動
受到電場力F=qE0、產生的加速度為a=
,即a=
,
垂直電場方向勻速運動,有2d=V1t,
沿場強方向:Y=
at2,
聯立解得E0=![]()
又tanφ=
,解得φ=45°;
(2)
正離子進入磁場時的速度大小為V2=
,
解得V2=
正離子在勻強磁場中作勻速圓周運動,由洛侖茲力提供向心力,qV2B=
,
解得離子在磁場中做圓周運動的半徑R=2
;
(3)根據R=2
可知,
質量為4m的離子在磁場中的運動打在S1,運動半徑為R1=2
,
質量為16m的離子在磁場中的運動打在S2,運動半徑為R2=2
,
又ON=R2-R1,
由幾何關系可知S1和S2之間的距離ΔS=
-R1,
聯立解得ΔS=4(
-)
;
由R′2=(2 R1)2+( R′-R1)2解得R′=
R1,
再根據
R1<R<
R1,
解得m<mx<25m。
科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管W#W$W%.K**S*&5^U,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,
=90°。
(忽略粒子所受重力和一切阻力)
(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角
;
(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;
(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點
處,質量為16m的離子打在
處。求
和
之間的距離。
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。
(忽略粒子所受重力和一切阻力)
(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角;
(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;
(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點處,質量為16m的離子打在
處。求
和
之間的距離。
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科目:高中物理 來源:2010-2011學年山西省臨汾一中忻州一中長治二中高三第三次四校聯考(理綜)物理部 題型:計算題
如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,
=90°。
(忽略粒子所受重力和一切阻力)
(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角
;
(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;
(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點
處,質量為16m的離子打在
處。求
和
之間的距離。
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科目:高中物理 來源:2012年四川省遂寧市射洪中學高考物理模擬試卷(四)(解析版) 題型:解答題
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