| 細(xì)菌在含青霉素 培養(yǎng)基上生長(zhǎng)情況 | 細(xì)菌在含四環(huán)素培養(yǎng)基上生長(zhǎng)情況 | |
| ① | 能生長(zhǎng) | 能生長(zhǎng) |
| ② | 能生長(zhǎng) | 不能生長(zhǎng) |
| ③ | 不能生長(zhǎng) | 能生長(zhǎng) |
| A. | ①是c;②是b;③是a | B. | ①是a和b;②是a;③是b | ||
| C. | ①是a和b;②是b;③是a | D. | ①是c;②是a;③是b |
分析 由圖可知,a是抗氨芐青霉素基因,如果外源基因插入到a中,此基因結(jié)構(gòu)被破壞,細(xì)菌無抗氨芐青霉素能力.將細(xì)菌放入含有氨芐青霉素培養(yǎng)基上生長(zhǎng),則會(huì)死亡;相反,會(huì)存活.b是抗四環(huán)素基因,如果外源基因插入到b中,抗四環(huán)素基因結(jié)構(gòu)被破壞,細(xì)菌無抗四環(huán)素能力.將細(xì)菌放入含有四環(huán)素培養(yǎng)基上生長(zhǎng),則會(huì)死亡;相反,會(huì)存活.
解答 解:第①組中細(xì)胞能在含氨芐青霉素培養(yǎng)基上生長(zhǎng),說明抗氨芐青霉素基因沒有被破壞;細(xì)菌能在含四環(huán)素培養(yǎng)基上的生長(zhǎng),說明抗四環(huán)素基因沒有被破壞.說明了外源基因插入位置是c;
第②組中細(xì)胞能在含氨芐青霉素培養(yǎng)基上生長(zhǎng),說明抗氨芐青霉素基因沒有被破壞;細(xì)菌不能在含四環(huán)素培養(yǎng)基上的生長(zhǎng),說明抗四環(huán)素基因被破壞.說明了外源基因插入位置是b;
③細(xì)胞不能在含氨芐青霉素培養(yǎng)基上生長(zhǎng),說明抗氨芐青霉素基因被破壞;細(xì)菌能在含四環(huán)素培養(yǎng)基上的生長(zhǎng),說明抗四環(huán)素基因沒有被破壞.說明了外源基因插入位置是a.
故選:A.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了基因工程的相關(guān)內(nèi)容,意在考查學(xué)生對(duì)標(biāo)記基因的生理功能的理解,能理解所學(xué)知識(shí)的要點(diǎn),把握知識(shí)間的內(nèi)在聯(lián)系.
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科目:高中生物 來源: 題型:選擇題
| A. | 利用淀粉、淀粉酶、斐林試劑探究溫度對(duì)酶活性的影響 | |
| B. | 利用淀粉、蔗糖酶、淀粉酶和碘液驗(yàn)證酶的專一性 | |
| C. | 利用pH為5、7、9緩沖液、胃蛋白酶和蛋清探究pH對(duì)酶活性的影響 | |
| D. | 利用肝臟研磨液、過氧化氫和蒸餾水探究酶催化的高效性 |
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科目:高中生物 來源: 題型:解答題
| 光照時(shí)間 | 黑暗階段 | |||||||||||
| 時(shí)間 | 8:00 | 9:00 | 10:00 | 11:00 | 12:00-24:00 | 1:00 | 2:00 | 3:00 | 4:00 | 5:00 | 6:00 | 7:00 |
| CO2濃度(μL/L) | 660 | 420 | 300 | 180 | 180 | 270 | 360 | 450 | 520 | 570 | 610 | 640 |
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科目:高中生物 來源: 題型:解答題
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科目:高中生物 來源: 題型:選擇題
| A. | 右側(cè)較高,兩溶液濃度相等 | B. | 右側(cè)較高,且右側(cè)濃度較高 | ||
| C. | 左側(cè)較高,且左側(cè)濃度較低 | D. | 兩側(cè)高度相等,且濃度相同 |
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科目:高中生物 來源: 題型:選擇題
| A. | 致敏B細(xì)胞 | B. | 效應(yīng)B細(xì)胞 | ||
| C. | 效應(yīng)細(xì)胞毒性T細(xì)胞 | D. | 成熟的輔助性T細(xì)胞 |
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科目:高中生物 來源: 題型:解答題
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科目:高中生物 來源: 題型:解答題
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