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科目： 來(lái)源： 題型：單選題

下列化合物按其晶體的熔點(diǎn)由高到低排列正確的是（  ）。

A．SiO2　CsCl　CBr4　CF4
B．SiO2　CsCl　CF4　CBr4
C．CsCl　SiO2　CBr4　CF4
D．CF4　CBr4　CsCl　SiO2

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科目： 來(lái)源： 題型：單選題

下列有關(guān)分子晶體熔點(diǎn)的高低敘述中，正確的是（  ）。

A．Cl2＞I2 B．SiCl4＞CCl4
C．N2＞O2 D．C（CH3）4＞CH3CH2CH2CH2CH3

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科目： 來(lái)源： 題型：單選題

下列性質(zhì)適合于分子晶體的是（  ）。

A．熔點(diǎn)1 070 ℃，易溶于水，水溶液能導(dǎo)電
B．熔點(diǎn)10.31 ℃，液態(tài)不導(dǎo)電，水溶液導(dǎo)電
C．難溶于CS2，熔點(diǎn)1 128 ℃，沸點(diǎn)4 446 ℃
D．熔點(diǎn)97.81 ℃，質(zhì)軟導(dǎo)電，密度0.97 g·cm－3

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科目： 來(lái)源： 題型：單選題

下列晶體中由原子直接構(gòu)成的單質(zhì)有（  ）。

A．硫 B．生鐵 C．金剛石 D．金屬鎂 

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科目： 來(lái)源： 題型：單選題

下表是某些原子晶體的熔點(diǎn)和硬度

原子晶體
金剛石
氮化硼
碳化硅
石英
硅
鍺
熔點(diǎn)/℃
3 900
3 000
2 700
1 710
1 410
1 211
硬度
10
9.5
9.5
7
6.5
6.0
 
分析表中的數(shù)據(jù)，判斷下列敘述正確的是（  ）。
①構(gòu)成原子晶體的原子種類(lèi)越多，晶體的熔點(diǎn)越高
②構(gòu)成原子晶體的原子間的共價(jià)鍵鍵能越大，晶體的熔點(diǎn)越高
③構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越大，晶體的硬度越大
④構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越小，晶體的硬度越大
A．①②     B．③④      C．①③      D．②④

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科目： 來(lái)源： 題型：單選題

氫是重要而潔凈的能源。要利用氫氣作為能源，必須解決好安全有效地儲(chǔ)存氫氣的問(wèn)題。化學(xué)家研究出利用合金儲(chǔ)存氫氣的方法，其中鑭（La）鎳（Ni）合金是一種儲(chǔ)氫材料，這種合金的晶體結(jié)構(gòu)已經(jīng)測(cè)定，其基本結(jié)構(gòu)單元如圖所示，則該合金的化學(xué)式可表示為（  ）。

A．LaNi5 B．LaNi C．La14Ni24 D．La7Ni12

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科目： 來(lái)源： 題型：單選題

已知A元素原子核外電子共占有5個(gè)軌道且有2個(gè)成單電子；B元素原子核外能量最高電子為：n＝3、l＝1、m＝1、ms＝＋，n＝3、l＝1、m＝0、ms＝＋。則A、B兩元素所形成化合物的晶體類(lèi)型為（  ）。
A．分子晶體       B．原子晶體       C．離子晶體      D．金屬晶體

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科目： 來(lái)源： 題型：單選題

下列對(duì)化學(xué)知識(shí)概括合理的是（  ）。

A．原子晶體、離子晶體、金屬晶體、分子晶體中都一定存在化學(xué)鍵
B．同素異形體之間的轉(zhuǎn)化都是物理變化
C．原子晶體的熔點(diǎn)不一定比金屬晶體的高，分子晶體的熔點(diǎn)不一定比金屬晶體的低
D．一種元素可能有多種氧化物，但同種化合價(jià)只對(duì)應(yīng)一種氧化物

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科目： 來(lái)源： 題型：單選題

干冰晶體是一種面心立方結(jié)構(gòu)，如圖所示，即每8個(gè)CO2構(gòu)成立方體，且在6個(gè)面的中心各有1個(gè)，在每個(gè)CO2周?chē)嚯x為a（其中a為立方體棱長(zhǎng)）的CO2有（  ）。

A．4個(gè)B．8個(gè)C．12個(gè)D．6個(gè)

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科目： 來(lái)源： 題型：單選題

下列各類(lèi)物質(zhì)中，固態(tài)時(shí)只能形成離子晶體的是（  ）。

A．非金屬氧化物 B．非金屬單質(zhì) C．強(qiáng)酸 D．強(qiáng)堿 

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同步練習(xí)冊(cè)答案