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科目: 來(lái)源: 題型:填空題

工業(yè)上制取硝酸銨的流程圖如下,請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)在上述工業(yè)制硝酸的生產(chǎn)中,B設(shè)備的名稱(chēng)是             ,其中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為                                                    。
(2)此生產(chǎn)過(guò)程中,N2與H2合成NH3所用的催化劑是              。1909年化學(xué)家哈伯在實(shí)驗(yàn)室首次合成了氨,2007年化學(xué)家格哈德·埃特爾在哈伯研究所證實(shí)了氫氣與氮?dú)庠诠腆w催化劑表面合成氨的反應(yīng)過(guò)程,示意圖如下:

分別表示N2、H2、NH3。圖⑤表示生成的NH3離開(kāi)催化劑表面,圖②和圖③的含義分別是                、                    。
(3)在合成氨的設(shè)備(合成塔)中,設(shè)置熱交換器的目的是                     ;在合成硝酸的吸收塔中通入空氣的目的是                              。
(4)生產(chǎn)硝酸的過(guò)程中常會(huì)產(chǎn)生一些氮的氧化物,可用如下兩種方法處理:
堿液吸收法:NO+NO2+2NaOH=2NaNO2+H2O
NH3還原法:8NH3+6NO2 7N2+12H2O(NO也有類(lèi)似的反應(yīng))
以上兩種方法中,符合綠色化學(xué)的是                                   
(5)某化肥廠用NH3制備N(xiāo)H4NO3。已知:由NH3制NO的產(chǎn)率是96%、NO制HNO3的產(chǎn)率是92%,則制HNO3所用去的NH3的質(zhì)量占總耗NH3質(zhì)量(不考慮其它損耗)的       %。
(6)硝酸銨是一種常用的氮肥,在貯存和使用該化肥時(shí),應(yīng)注意的事項(xiàng)及理由是:

 
注意事項(xiàng)
理由

 
 

 
 
 

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科目: 來(lái)源: 題型:填空題

離子化合物AB2的陰、陽(yáng)離子的電子層結(jié)構(gòu)相同,1 mol AB2中含54 mol電子,且有下列反應(yīng):
①H2+B2C
②B2+X→Y+AB2+H2O
③Y+C→AB2+Z,Z有漂白作用。
根據(jù)上述條件回答下列問(wèn)題:
(1)寫(xiě)出下列物質(zhì)的化學(xué)式:AB2__________,X________,Y________,Z________。
(2)用電子式表示AB2的形成過(guò)程:_____________________________________________。
(3)寫(xiě)出反應(yīng)②的化學(xué)方程式:______________________________________。

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科目: 來(lái)源: 題型:填空題

硅在地殼中的含量較高,硅及其化合物的開(kāi)發(fā)由來(lái)已久,在現(xiàn)代生活中有廣泛應(yīng)用。回答下列問(wèn)題:
(1)陶瓷、水泥和玻璃是常用的傳統(tǒng)的無(wú)機(jī)非金屬材料,其中生產(chǎn)普通玻璃的主要原料有                     。
(2)高純硅是現(xiàn)代信息、半導(dǎo)體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上提純硅有多種路線(xiàn),其中一種工藝流程示意圖及主要反應(yīng)如下:

①工業(yè)上用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱到1600℃-1800℃除生成粗硅外,也可以生產(chǎn)碳化硅,則在電弧爐內(nèi)可能發(fā)生的反應(yīng)的化學(xué)方程式為                       。
②在流化床反應(yīng)的產(chǎn)物中,SiHCl3大約占85%,還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,粗硅生成SiHCl3的化學(xué)反應(yīng)方程式                              。
(3)有關(guān)物質(zhì)的沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表,提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和       ;SiHCl3極易水解,其完全水解的產(chǎn)物為       。

物質(zhì)
Si
SiCl4
SiHCl3
SiH2Cl2
SiH3Cl
HCl
SiH4
沸點(diǎn)/℃
2355
57.6
31.8
8.2
-30.4
-84.9
-111.9
 
(4)還原爐中發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)為:                                。
(5)氯堿工業(yè)可為上述工藝生產(chǎn)提供部分原料,這些原料是       。

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科目: 來(lái)源: 題型:填空題

請(qǐng)從圖中選用必要的裝置進(jìn)行電解飽和食鹽水的實(shí)驗(yàn),要求測(cè)定產(chǎn)生的氫氣的體積(大于25mL),并檢驗(yàn)氯氣的氧化性。

(1)A極發(fā)生的電極反應(yīng)式是_____________________·B極發(fā)生的電極反應(yīng)式是_______________________;電解飽和食鹽水的化學(xué)方程式是______________________。
(2)電源的M端應(yīng)連接的電極為_(kāi)___________(A或B)極。
(3)設(shè)計(jì)上述氣體實(shí)驗(yàn)裝置時(shí),各接口的正確連接順序?yàn)椋篲_____________________________
__________________________________(填接口編號(hào))。
(4)實(shí)驗(yàn)中,在盛有KI淀粉溶液的容器中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)_______________。
(5)已知飽和食鹽水50mL,某時(shí)刻測(cè)得H2體積為56mL(標(biāo)準(zhǔn)狀況)。此時(shí)溶液pH約為_(kāi)__________________。

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科目: 來(lái)源: 題型:填空題

氯酸鎂晶體[Mg(ClO3)2·6H2O]可用作棉花收獲前脫葉劑、小麥催熟劑、除草劑、干燥劑。實(shí)驗(yàn)室制備少量Mg(ClO3)2的操作步驟如下:

(1)制備N(xiāo)aClO3晶體:在實(shí)驗(yàn)室里可用如圖所示裝置制取NaClO3。圖中:a為氯氣發(fā)生裝置;b為NaClO3的制備裝置;c為尾氣吸收裝置。
①裝置a中反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)___________________________
②工業(yè)上用石灰乳代替燒堿溶液吸收尾氣的原因是___________________________
③裝置b中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為3Cl2+6NaOH5NaCl+NaClO3+3H2O,請(qǐng)推測(cè)在加熱NaClO溶液時(shí)發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式:______________________________。
(2)制備氯酸鎂晶體:由上述提純制得的NaClO3和MgCl2按化學(xué)反應(yīng)方程式計(jì)量數(shù)之比混合可制得Mg(ClO3)2,原理為MgCl2+2NaClO3=Mg(ClO3)2+2NaCl。已知四種化合物的溶解度(S)隨溫度(T)變化曲線(xiàn)如下圖所示:

請(qǐng)補(bǔ)充由(1)制得的NaClO3制備Mg(ClO3)2·6H2O的操作步驟:
①按計(jì)量數(shù)之比將MgCl2和NaClO3混合溶于85 ℃的熱水中,加熱蒸發(fā);
②______________________;
③______________________;
④重結(jié)晶。
(3)問(wèn)題討論:①用60 ℃ Na2CO3溶液吸收Cl2也可制得NaClO3,請(qǐng)寫(xiě)出該反應(yīng)的化學(xué)方程式:__________________________________________。
②制備氯酸鎂晶體時(shí)最后進(jìn)行重結(jié)晶操作的目的是___________________________。

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科目: 來(lái)源: 題型:填空題

(1)下列與含氯化合物有關(guān)的說(shuō)法正確的是________(填字母)。

A.HClO是弱酸,所以NaClO是弱電解質(zhì)
B.向沸水中逐滴加入少量飽和FeCl3溶液,可制得Fe(OH)3膠體
C.HCl溶液和NaCl溶液均通過(guò)離子導(dǎo)電,所以HCl和NaCl均是離子化合物
D.電解NaCl溶液得到22.4 L H2(標(biāo)準(zhǔn)狀況),理論上需要轉(zhuǎn)移NA個(gè)電子(NA表示阿伏加德羅常數(shù))
(2)無(wú)水AlCl3(183 ℃升華)遇潮濕空氣即產(chǎn)生大量白霧,實(shí)驗(yàn)室可用下列裝置制備。

裝置B中盛放飽和NaCl溶液,該裝置的主要作用是______________。F中試劑的作用是____________________。用一件儀器裝填適當(dāng)試劑后可同時(shí)起到F和G的作用,所裝填的試劑為_(kāi)_______________。

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科目: 來(lái)源: 題型:填空題

如圖是一個(gè)制取氯氣并以氯氣為原料進(jìn)行特定反應(yīng)的裝置。

(l)A是氯氣發(fā)生裝置,寫(xiě)出其中的化學(xué)反應(yīng)方程式           
(2)a儀器的名稱(chēng)為           。
(3)實(shí)驗(yàn)開(kāi)始時(shí),先點(diǎn)燃A處的酒精燈,打開(kāi)活塞K,讓氯氣充滿(mǎn)整個(gè)裝置,再點(diǎn)燃D處酒精燈,連接上E裝置。D裝置的硬質(zhì)玻璃管內(nèi)盛有炭粉,反應(yīng)產(chǎn)物為CO2和HC1。寫(xiě)出D中反應(yīng)的化學(xué)方程式         ,裝置C的作用是          。
(4)在E處,若漏斗內(nèi)氣體帶有黃綠色,則紫色石蕊試液的顏色變化為       。
(5)若將E處燒杯中溶液改為澄清石灰水,反應(yīng)過(guò)程中現(xiàn)象為           (填序號(hào))。
①有白色沉淀生成;②無(wú)白色沉淀生成;③先生成白色沉淀,而后白色沉淀消失。
(6)D處反應(yīng)完畢后,關(guān)閉活塞K,移去酒精燈,由于余熱的作用,A處仍有Cl2產(chǎn)生,則裝置B
中的現(xiàn)象是        ;若發(fā)現(xiàn)裝置B中該現(xiàn)象不明顯,可能的原因是        ;查找原因時(shí)可用肥皂水或濕潤(rùn)的碘化鉀淀粉試紙等,若用蘸有濃氨水的玻璃棒檢查時(shí)觀察到有白煙產(chǎn)生,寫(xiě)出該氧化還原反應(yīng)的化學(xué)方程式                         。

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科目: 來(lái)源: 題型:填空題

一些常見(jiàn)化學(xué)反應(yīng)可用下式表示 A + B → C+D+H2O 其中A為單質(zhì) (必要時(shí)可加熱),請(qǐng)你根據(jù)下面的提示回答下列問(wèn)題:
(1)若A、C、D均含有氯元素,則A與B溶液反應(yīng)的離子方程式為:                                                                    
(2)若C、D均為氣體且有一種為紅棕色,則B是                        。
(3)若C、D均為氣體且都能使澄清石灰水變渾濁,則A與B反應(yīng)的化學(xué)方程式為:                                                                。
如何稀釋B的濃溶液                                                           
(4) 若A為紫紅色的固體,D為無(wú)色無(wú)味的氣體,則A與B溶液反應(yīng)的離子方程式為:                                                       。若產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)狀況下4.48L的D氣體,則被還原的B的物質(zhì)的量是               mol。

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科目: 來(lái)源: 題型:填空題

利用圖所示裝置收集以下4種氣體(圖中燒瓶的位置不得變化)

①NO、贑l2 ③NH3、躍O2 (寫(xiě)序號(hào))
(1)若燒瓶是干燥的,則由B口進(jìn)氣收集的氣體有________;
(2)若燒瓶是干燥的,則由A口進(jìn)氣,可收集的氣體有_______。
(3)若燒瓶充滿(mǎn)水,可收集的氣體有________,這時(shí)氣體由________進(jìn)入。
(4)若在燒瓶?jī)?nèi)裝入濃硫酸使氣體干燥,則可用此裝置來(lái)干燥的氣體有_____     ___,這時(shí)氣體由________口進(jìn)入。

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科目: 來(lái)源: 題型:填空題

獲取知識(shí)和信息是現(xiàn)代人不可缺少的素質(zhì),信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展離不開(kāi)材料科學(xué)的推動(dòng)。信息產(chǎn)業(yè)的核心材料是高純度的硅,單晶硅可用來(lái)制作大規(guī)模集成電路、整流器等,硅純度越高,大規(guī)模集成電路的性能就越好。高純度的單晶硅生產(chǎn)方法有:
方法一:三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:

方法二:用金屬硅化物(Mg2Si)與鹽酸作用制得硅烷,再熱分解硅烷可得高純硅。
根據(jù)上述信息回答以下問(wèn)題:
(1)從方法一生產(chǎn)單晶硅的過(guò)程看,由焦炭還原得到的硅為何還要進(jìn)一步處理?_________________________________________________________。
(2)寫(xiě)出方法二中生產(chǎn)高純硅的兩個(gè)化學(xué)方程式:
①____________________________________________________________;
②__________________________________________________________。
(3)寫(xiě)出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)方程式:____________________________________。
(4)在方法一中,整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式:________________;H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2,可能引起的后果是_____________________________________________________。
(5)比較方法一和方法二,分析一下各自的優(yōu)缺點(diǎn)____________________________________。

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