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下列除去雜質(zhì)的方法正確的是

A．

除去SiO₂中少量NH₄Cl：在空氣中充分灼燒

B．

除去銅器表面的銅綠[Cu₂(OH)₂CO₃]：用鹽酸浸泡，再用清水沖洗

C．

除去CO₂中混有的SO₂：用NaOH溶液洗氣，再干燥

D．

除去苯中溶解的Br₂：加入足量NaI溶液，充分振蕩后，靜置分液

《Inorganic Syntheses》(無(wú)機(jī)合成)一書(shū)中，有一如圖所示的裝置，用以制備某種干燥的純凈氣體．該裝置中所裝的藥品正確的是

A．

A中裝濃硫酸，B中裝濃鹽酸

B．

A中裝濃鹽酸，B中裝濃硫酸

C．

A中裝氫氧化鈉濃溶液，B中裝濃氨水

D．

A中裝濃氨水，B中裝氫氧化鈉濃溶液

下列兩種氣體的分子數(shù)一定相等的是

A．

等體積等密度的CO和C₂H₄

B．

等溫等體積的O₂和N₂

C．

等壓等體積的N₂和CO₂

D．

質(zhì)量相等、密度不等的N₂和C₂H₄

將下列濃溶液蒸干并灼燒，可以得到原溶質(zhì)的是

A．

氯化鈉

B．

碳酸氫鈉

C．

偏鋁酸鈉

D．

氯化鐵

由短周期元素和長(zhǎng)周期元素共同組成的族可能是

A．

0族

B．

主族

C．

副族

D．

Ⅶ族

離子晶體熔點(diǎn)的高低決定于晶體中陽(yáng)離子與陰離子之間的靜電引力，靜電引力大則熔點(diǎn)高，引力小則反之．試根據(jù)你學(xué)到的電學(xué)知識(shí)，判斷KCl、NaCl、CaO、BaO四種晶體熔點(diǎn)的高低順序

A．

KCl＞NaCl＞BaO＞CaO

B．

NaCl＞KCl＞CaO＞BaO

C．

CaO＞BaO＞NaCl＞KCl

D．

CaO＞BaO＞KCl＞NaCl

已知CsCl晶體的密度為pg/cm³，N_A為阿伏加德羅常數(shù)，相鄰的兩個(gè)Cs⁺的核間距為acm，如圖所示，則CsCl的相對(duì)分子質(zhì)量可以表示為

A．

B．

C．

D．

氯化硼B(yǎng)Cl₃的熔點(diǎn)為－107℃，沸點(diǎn)為12.5℃，在其分子中鍵與鍵之間的夾角為120°，它能水解，有關(guān)敘述正確的是

A．

氯化硼液態(tài)時(shí)能導(dǎo)電而固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電

B．

氯化硼中心原子采用sp雜化

C．

三氯化硼遇水蒸氣會(huì)產(chǎn)生白霧

D．

氯化硼分子呈平面正三角形，屬非極性分子

氮化硼是一種新合成的結(jié)構(gòu)材料，它是超硬、耐磨，耐高溫的物質(zhì)，下列各組物質(zhì)熔化時(shí)所克服的粒子間的作用與氮化硼熔化時(shí)所克服的粒子間作用相同的是

A．

C₆₀和金剛石

B．

晶體硅和水晶

C．

冰和干冰

D．

碘和金剛砂

下列現(xiàn)象和應(yīng)用與電子躍遷無(wú)關(guān)的是：

A．

激光

B．

焰色反應(yīng)

C．

原子光譜

D．

霓虹燈

E．

石墨導(dǎo)電

F．

燃燒放熱