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（14分）由氧化物經(jīng)氯化作用生成氯化物是工業(yè)生產(chǎn)氯化物的常用方法，Cl₂、CCl₄是常用的氯化劑。如：
Na₂O＋Cl₂＝2NaCl＋O₂
CaO＋Cl₂＝CaCl₂＋O₂
SiO₂＋2CCl₄＝SiCl₄＋2COCl₂
Cr₂O₃＋3CCl₄＝2CrCl₃＋3COCl₂
請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
⑴寫(xiě)出鉻的原子結(jié)構(gòu)示意圖為                            與鉻同周期的所有元素的基態(tài)原子中最外層電子數(shù)與鉻原子相同的元素有____________（填元素符號(hào)），其中一種金屬的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該晶胞中含有金屬原子的數(shù)目為_(kāi)_______。

⑵ CCl₄分子中C原子采取          雜化成鍵。
⑶ COCl₂俗稱光氣，分子中C原子采取sp²雜化成鍵。光氣分子的結(jié)構(gòu)式是         ，其中碳氧原子之間共價(jià)鍵是        （填序號(hào)）
a．2個(gè)σ鍵     b．2個(gè)π鍵     c．1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵

⑷ CaO晶胞如右圖所示，CaO晶體中Ca^2＋的配位數(shù)為        。CaO晶體和NaCl晶體中離子排列方式相同，其晶格能分別為：CaO－3401kJ?mol^－1、NaCl－786kJ?mol^－1。導(dǎo)致兩者晶格能差異的主要原因是                                         。

（20分）
（I）多項(xiàng)選擇題（6分）
下列說(shuō)法中正確的是       。

Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：
（1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為                          。
（2）下列說(shuō)法正確的是            （選填序號(hào)）。
A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C．電負(fù)性：As＞Ga                  D．第一電離能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是  （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為        。
Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為             。
（2）已知Ca²⁺的半徑為a cm，O^2-的半徑為b cm，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，
該晶體的密度為         g/cm³。（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）

已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E<F。其中A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子；化合物B₂E的晶體為離子晶體，E原子核外的M層中只有兩對(duì)成對(duì)電子；C元素是地殼中含量最高的金屬元素；D單質(zhì)的晶體類型在同周期的單質(zhì)中沒(méi)有相同的；F原子核外最外層電子數(shù)與B相同，其余各層電子均充滿。請(qǐng)根據(jù)以上信息，回答下列問(wèn)題：（答題時(shí)，A、B、C、D、E、F用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）

（1）A的簡(jiǎn)單氫化物分子中其中心原子采取________雜化，E的最高價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是____________。
（2）B的氯化物的熔點(diǎn)比D的氯化物的熔點(diǎn)________（填高或低），理由是_____________.
（3）A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)?br /> _________________。（用元素符號(hào)表示）                      
（4）A、F形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示（其中A顯－3價(jià)），則其化學(xué)式為_(kāi)___________；（每個(gè)球均表示1個(gè)原子）
（5）F的價(jià)電子軌道表示式是______________，A、C形成的化合物具有高沸點(diǎn)和高硬度，是一種新型無(wú)機(jī)非金屬材料，則其化學(xué)式為_(kāi)_____________________。

（10分）計(jì)算題：
已知：晶體“二氧化硅”可由晶體“硅”衍生得到；下圖是晶體“硅”及“二氧化硅”的晶胞示意圖：

試回答：
（1）請(qǐng)寫(xiě)出SiO₂晶體的兩種主要用途：                                  （4分）
（2）請(qǐng)寫(xiě)出與晶體SiO₂化學(xué)鍵及晶體類型完全相同的兩種物質(zhì)的名稱：           （2分）
（3）已知：二氧化硅晶體的密度為ρg/cm³ , 試求二氧化硅晶體中最近的兩個(gè)Si原子之間的距離的表達(dá)式？（保留原表達(dá)式，不用化簡(jiǎn)）（4分）

（8分）選擇下列物質(zhì)填空(填寫(xiě)序號(hào))
①氯化鈣　②干冰 ③過(guò)氧化鈉 ④氯化銨 ⑤銅晶體 ⑥氬晶體 ⑦晶體硅 ⑧石墨 
（1）固態(tài)時(shí)能導(dǎo)電的原子晶體有                    
（2）熔化時(shí)不破壞化學(xué)鍵的化合物有                 
（3）含有非極性共價(jià)鍵的離子晶體有                 
（4）晶體內(nèi)同時(shí)存在共價(jià)鍵、范德華力和金屬鍵的是               

X、Y、Z、Q、W為按原予序數(shù)由小到大排列的五種短周期元素。已知：①X與Q處于同一主族，其原子價(jià)電子排布式都為ns²np²，且X原子半徑小于Q；②Y元素是地殼中含量最多的元素；W元素的電負(fù)性路小于Y元素，在W原子的價(jià)電子排布式中，p軌道上只有1個(gè)未成對(duì)電子；③Z元素的電離能數(shù)據(jù)見(jiàn)下表（kJ·mol^-1）

（13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__    ___(請(qǐng)用相應(yīng)的編號(hào)填寫(xiě))

（2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽(yáng)離子A以表示，陰離子B以表示。則每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為_(kāi)_______，含B離子數(shù)目為_(kāi)_______。若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

（3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（4）通常人們把拆開(kāi)1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

（10分）鐵及鐵的化合物在生產(chǎn)、生活中有著重要的用途。
(1)聚合硫酸鐵(簡(jiǎn)稱PFS)的化學(xué)式為 [ Fe (OH)_n(S0₄) _{(3-n) / 2} ]_m ，現(xiàn)代潛水處理工藝中常利用PFS在水體中形成絮狀物，以吸附重金屬離子。則PFS的中心原子未成對(duì)電子數(shù)為_(kāi)_          個(gè)。
(2)六氰合亞鐵酸鉀K₄[Fe(CN)₆]可用做顯影劑，該化合物中存在的化學(xué)鍵類型有_____                                          ____ 。
（3）CN^一中碳原子的雜化軌道類型是 _______ ：寫(xiě)出一種與CN^一互為等電子體的分子的化學(xué)式_____       ___；
(4)三氯化鐵常溫下為固體，熔點(diǎn)304℃，沸點(diǎn)316⁰C 在300⁰C以上可升華，易溶于水，也易溶于乙醚、丙酮等有機(jī)溶劑。據(jù)此判斷三氯化鐵晶體為_(kāi)_____       晶體。
(5)普魯士藍(lán)是一種配合物，可用作染料，它的結(jié)構(gòu)單元如下圖所示，普魯士藍(lán)中 n(K⁺)：n(Fe³⁺)：n(Fe²⁺)：n(CN^一)= _____                        ___。

（10分）已知有關(guān)物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表：