科目: 來源:2011屆江蘇省蘇北四市高三第二次調(diào)研考試化學(xué)試卷 題型:填空題
氧元素與多種元素具有親和力,所形成化合物的種類很多。
(1)氮、氧、氟元素的第一電離能從大到小的順序為 ▲ 。氧元素與氟元素能形成OF2分子,該分子的空間構(gòu)型為 ▲ 。
(2)根據(jù)等電子原理,在NO2+離子中氮原子軌道雜化類型是 ▲ ;1 mol O22+中含有的π鍵數(shù)目為 ▲ 。
(3)氧元素和過渡元素可形成多種價態(tài)的金屬氧化物,如和鉻可生成Cr2O3、CrO3、CrO5等。Cr3+基態(tài)核外電子排布式為 ▲ 。
(4)鈣在氧氣中燃燒時得到一種鈣的氧化物晶體,其晶體結(jié)構(gòu);如圖所示,則該鈣的氧化物的化學(xué)式為 ▲ 。![]()
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科目: 來源:2011屆江西省重點中學(xué)協(xié)作體高三第二次聯(lián)考(理綜)化學(xué)部分 題型:填空題
已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于48。X的一種1:1型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵。Z是金屬元素,Z的單質(zhì)和化合物有廣泛的用途。已知Z的核電荷數(shù)小于28,且次外層有2個未成對電子。工業(yè)上利用ZO2和碳酸鋇在熔融狀態(tài)下制取化合物M(M可看做一種含氧酸鹽)。M有顯著的“壓電性能”,應(yīng)用于超聲波的發(fā)生裝置。經(jīng)X射線分析,M晶體的最小重復(fù)單位為正方體(如右圖),邊長為4.03×10-10 m,頂點位置為Z4+所占,體心位置為Ba2+所占,所有棱心位置為O2-所占。![]()
⑴Y在周期表中位于______________;Z4+的核外電子排布式為______________;
⑵X的該種氫化物分子構(gòu)型為___________,X在該氫化物中以_____________方式雜化。X和Y
形成的化合物的熔點應(yīng)該_____________(填“高于”或“低于”)X氫化物的熔點。
⑶①制備M的化學(xué)反應(yīng)方程式是________________________________________;
②在M晶體中,若將Z4+置于立方體的體心,Ba2+置于立方體的頂點,則O2-處于立方體的______;
③在M晶體中,Z4+的氧配位數(shù)為________;
④已知O2-半徑為1.40×10-10 m,則Z4+半徑為___________m。
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科目: 來源:2011屆黑龍江省慶安縣第三中學(xué)高三第三次考試(理綜)化學(xué)部分 題型:填空題
最近,由鎂、鎳和碳三種元素組成的化合物引起了科學(xué)家的注意。
(1)寫出鎳基態(tài)原子的電子排布式
(2)MgCN2中的陰離子為CN
,與CN
互為等電子體的分子有N2O和 (填化學(xué)式),由此可推知CN
的空間構(gòu)型為 。
(3)四羰基鎳[Ni(CO)4]為無色揮發(fā)性劇毒液體。熔點一250C。沸點430 C。不溶于水,易溶于乙醇、乙醚、苯、四氯化碳等有機溶劑,呈四面體構(gòu)型。四羰基鎳的晶體類型是 ,鎳原子和羰基之間的作用力為 。
(4)據(jù)報道,只含鎂、鎳和碳三種元素的晶體竟然也具有超導(dǎo)性。鑒于這三種元素都是常見元素,從而引起廣泛關(guān)注。該晶體的結(jié)構(gòu)可看作由鎂原子和鎳原子在一起進行面心立方最密堆積,如圖,試寫出該晶體的化學(xué)式 。晶體中每個鎂原子周圍距離最近的鎳原子有 個。![]()
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科目: 來源:2011屆江蘇省淮陰中學(xué)高三上學(xué)期期末模擬化學(xué)試卷 題型:填空題
決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素是物質(zhì)結(jié)構(gòu)。請回答下列問題。
(1)已知A和B為第三周期元素,其原子的第一至第四電離能如下表所示:
| 電離能/kJ·mol-1 | I1 | I2 | I3 | I4 |
| A | 578 | 1817 | 2745 | 11578 |
| B | 738 | 1451 | 7733 | 10540 |
| 離子晶體 | NaCl | KCl | CaO |
| 晶格能/kJ·mol-1 | 786 | 715 | 3401 |
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科目: 來源:2011屆新疆烏魯木齊一中高三上學(xué)期第一次月考化學(xué)試題 題型:填空題
(8分).C70分子是形如橢球狀的多面體,該結(jié)構(gòu)的建立基于以下考慮:![]()
(1)C70分子中每個碳原子只跟相鄰的3個碳原子形成化學(xué)鍵;
(2)C70分子中只含有五邊形和六邊形;
(3)多面體的頂點數(shù)、面數(shù)和棱邊數(shù)的關(guān)系遵循歐拉定理:頂點數(shù)+面數(shù)-棱邊數(shù)=2。
根據(jù)以上所述確定:
(1)C70分子中所含的單鍵數(shù)和雙鍵數(shù);(2)C70分子中的五邊形和六邊形各有多少?
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科目: 來源:2011屆新疆烏魯木齊一中高三上學(xué)期第一次月考化學(xué)試題 題型:填空題
(5分)如圖所示為高溫超導(dǎo)領(lǐng)域里的一種化合物——鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)是具有代表性的最小重復(fù)單位。![]()
(1)在該物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)中,每個鈦離子周圍與它最接近且距離相等的鈦離子、鈣離子各有 、 個。
(2)該晶體結(jié)構(gòu)中,元素氧、鈦、鈣的離子個數(shù)比是 。該物質(zhì)的化學(xué)式可表示為 。
(3)若鈣、鈦、氧三元素的相對質(zhì)量分別為a,b,c,晶體結(jié)構(gòu)圖中正方體邊長(鈦原子之間的距離)為dnm(1nm=10-9m),則該晶體的密度為 g/cm3。
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科目: 來源:2011屆新疆烏魯木齊一中高三上學(xué)期第一次月考化學(xué)試題 題型:填空題
(6分)二氧化硅晶體是立體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。其晶體模型如圖所示。認(rèn)真觀察晶體模型并回答下列問題:![]()
(1)二氧化硅晶體中最小的環(huán)為 元環(huán)。
(2)每個硅原子為 個最小環(huán)共有。
(3)每個最小環(huán)平均擁有 個氧原子。
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科目: 來源:2010年吉林省東北師大附中高三上學(xué)期第二次摸底考試化學(xué)卷 題型:填空題
(8分)現(xiàn)有①CaBr2 ②金剛石 ③ 銅 ④干冰 ⑤Na2SO4 ⑥碘片 ⑦NH4Cl ⑧晶體硅八種物質(zhì),按下列要求回答(填序號):
(1)晶體熔化時需
要破壞共價鍵的是 ,熔點最低的是 。
(2)屬于離子晶體的是 。
(3)晶體中只存在一種微粒間作用力是 。
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科目: 來源:2010年河北省唐山一中高三上學(xué)期期中考試化學(xué)卷 題型:填空題
晶體具有規(guī)則的幾何外形,晶體中最基本的重復(fù)單位稱晶胞。氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,已知NixO晶體晶胞結(jié)構(gòu)為氯化鈉型,由于晶體缺陷,x值小于1,測知NixO晶體的密度為7.4g/cm3,晶胞邊長為4.0×10-10m(NA用6.0x1023計算)。試回答(要求計算過程):![]()
(1)NixO晶體中的x值_________(精確到0.01)。
(2)晶體中的Ni分別為Ni2+、Ni3+,此晶體化學(xué)式____________(用含Ni2+、Ni3+表示)。
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科目: 來源:2010—2011年江蘇泰州中學(xué)上學(xué)期高三質(zhì)量檢測化學(xué)卷 題型:填空題
(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為 ▲ 。在GaN晶體中,與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為 ▲ 。在四大晶體類型中,GaN屬于 ▲ 晶體。
⑵K^S*5U.C#O%銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對的原子或離子,另一方是具有 ▲ 的原子或離子![]()
⑶CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子:請回答下列問題:![]()
① H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是 ▲ 。
②SO2分子的空間構(gòu)型為 ▲ 。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為 ▲
③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點高的多,原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有 ▲ 。
a.配位鍵 b.極性鍵 c.離子鍵 d.非極性鍵![]()
⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如上圖所示,其中Cl原子的配位數(shù)為 ▲ 。
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