科目: 來(lái)源:2011-2012學(xué)年浙江省瑞安中學(xué)高一3月月考化學(xué)試卷(帶解析) 題型:單選題
氮化硅(Si3N4)是一種高溫陶瓷材料,它難溶于水、硬度大、熔點(diǎn)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。則由此推測(cè)氮化硅是( )
| A.離子晶體 | B.原子晶體 | C.分子晶體 | D.金屬晶體 |
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科目: 來(lái)源:2011-2012學(xué)年福建省羅源縣第一中學(xué)高二下學(xué)期第一次月考化學(xué)試卷 題型:單選題
某離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示:![]()
則該離子晶體的化學(xué)式為
| A.a(chǎn)bc | B.a(chǎn)bc3 | C.a(chǎn)b2c3 | D.a(chǎn)b3c |
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科目: 來(lái)源:2011-2012學(xué)年福建省羅源縣第一中學(xué)高二下學(xué)期第一次月考化學(xué)試卷 題型:單選題
下列晶體中,熔點(diǎn)最高的是:
| A.KF | B.MgO | C.CaO | D.NaCl |
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科目: 來(lái)源:2011-2012學(xué)年福建省羅源縣第一中學(xué)高二下學(xué)期第一次月考化學(xué)試卷 題型:單選題
下列敘述正確的是:
| A.氯化鈉晶體不能導(dǎo)電,所以氯化鈉不是電解質(zhì) |
| B.氯化鈉溶液能導(dǎo)電,所以氯化鈉溶液是電解質(zhì) |
| C.熔融的氯化鈉和氯化鈉溶液都能產(chǎn)生自由移動(dòng)的離子 |
| D.氯化鈉熔融時(shí)不破壞氯化鈉晶體中的離子鍵。 |
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科目: 來(lái)源:2011-2012學(xué)年福建省羅源縣第一中學(xué)高二下學(xué)期第一次月考化學(xué)試卷 題型:單選題
.在下列有關(guān)晶體的敘述中正確的是:
| A.晶體中有陽(yáng)離子就一定存在陰離子 |
| B.原子晶體中,一定只存在共價(jià)鍵 |
| C.金屬晶體的熔點(diǎn)一定比分子晶體高 |
| D.分子晶體中一定存在共價(jià)鍵和分子間作用力 |
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科目: 來(lái)源:2011-2012學(xué)年福建省羅源縣第一中學(xué)高二下學(xué)期第一次月考化學(xué)試卷 題型:單選題
美國(guó)Lawrece Liermore國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(LINL)成功地在高壓下將
轉(zhuǎn)化為具有類似
結(jié)構(gòu)的原子晶體,下列關(guān)于
的原子晶體說(shuō)法,正確的是:
| A. |
| B.在一定條件下, |
| C. |
| D.在 |
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科目: 來(lái)源:2011-2012學(xué)年福建省羅源縣第一中學(xué)高二下學(xué)期第一次月考化學(xué)試卷 題型:單選題
金屬的下列性質(zhì)中與金屬晶體結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān)的是:
| A.導(dǎo)電性 | B.化學(xué)反應(yīng)中易失去電子 |
| C.延展性 | D.硬度 |
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科目: 來(lái)源:2011--2012學(xué)年四川省成都二十中高二上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:單選題
已知CsCl晶體的密度為
,NA為阿伏加德羅常數(shù),相鄰的兩個(gè)
的核間距為a cm,如圖所示,則CsCl的相對(duì)分子質(zhì)量可以表示為( )![]()
| A. | B. |
| C. | D. |
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科目: 來(lái)源:2011--2012學(xué)年四川省成都二十中高二上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:單選題
下列敘述不正確的是( )
| A.在干冰晶體中,每一個(gè)二氧化碳分子周圍有12個(gè)二氧化碳分子緊密相鄰 |
| B.金剛石網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中,由共價(jià)鍵構(gòu)成的碳原子環(huán)中,最小的環(huán)上有4個(gè)碳原子 |
| C.熔點(diǎn)由高到低的順序是:金剛石>碳化硅>晶體硅 |
| D.在12g金剛石晶體中,含共價(jià)鍵為2NA |
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科目: 來(lái)源:2011--2012學(xué)年四川省成都二十中高二上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:單選題
有下列離子晶體的空間結(jié)構(gòu)示意圖。圖中●和化學(xué)式中M分別代表陽(yáng)離子,圖中○和化學(xué)式中N分別代表陰離子,則化學(xué)式為MN2的晶體結(jié)構(gòu)為( )![]()
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