科目： 來(lái)源：2010—2011學(xué)年浙江省海鹽元濟(jì)高級(jí)中學(xué)高二12月月考化學(xué)試卷 題型：單選題
下列物質(zhì)按熔沸點(diǎn)由低到高的順序排列的是
| A．二氧化硅、氫氧化鈉、萘 | B．鈉、鉀、銫 |
| C．干冰、氧化鎂、磷酸 | D．C2H6、C(CH3)4、CH3(CH2)3CH3 |
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科目： 來(lái)源：2011屆四川省成都七中高三第二次診斷性模擬檢測(cè)（理綜）化學(xué)部分 題型：單選題
下列各組物質(zhì)各自形成的晶體，都屬于分子晶體的化合物是
A.CCl4、NH4NO3、H2O2 B.P2O5、SO2、H3PO4
C.H2O、HD、C2H5OH D.SO2、SiO2、CS2
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科目： 來(lái)源：2011屆四川省南充高中高三第七次月考化學(xué)卷 題型：單選題
硅酸鹽與二氧化硅一樣，都是以硅氧四面體作為基本結(jié)構(gòu)單元。硅氧四面體可以用投影圖表示成
，其中O表示氧原子，中心黑點(diǎn)表示硅原子。硅氧四面體通過(guò)不同方式的連接可以組成各種不同的多聚硅酸根離子。下圖為某無(wú)限長(zhǎng)單鏈的多聚硅酸根離子：
試確定該陰離子中硅原子與氧原子的個(gè)數(shù)之比為
| A．1︰2 | B．1︰3 | C．1︰4 | D．2︰5 |
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科目： 來(lái)源：2011屆河北省冀州中學(xué)高三一�？荚嚕ɡ砭C）化學(xué)部分 題型：單選題
某物質(zhì)的晶體內(nèi)部一個(gè)截面上原子的排布情況如右圖
|
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科目： 來(lái)源：2011屆湖南省雅禮中學(xué)高三第六次月考理綜化學(xué)部分 題型：單選題
關(guān)于晶體和非晶體,下列說(shuō)法正確的是 (填人正確選項(xiàng)前的字母)。
| A．金剛石、食鹽、玻璃和水晶都是晶體 |
| B．晶體的分子(或原子、離子)排列是有規(guī)則的 |
| C．單晶體和多晶體有固定的熔點(diǎn)，非晶體沒(méi)有固定的熔點(diǎn) |
| D．單晶體和多晶體的物理性質(zhì)是各向異性的，非晶體是各向同性的 |
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科目： 來(lái)源：2011屆河北省冀州中學(xué)高三一輪復(fù)習(xí)檢測(cè)三化學(xué)試卷 題型：單選題
下列說(shuō)法正確的是: （ ）
| A．能與酸反應(yīng)的氧化物，一定是堿性氧化物 |
| B．SiO2晶體中，1個(gè)Si原子與2個(gè)O原子形成兩個(gè)共價(jià)鍵 |
| C．分子晶體中分子間作用力越大，其分子越穩(wěn)定 |
| D．分子晶體溶于水時(shí)，分子中的化學(xué)鍵可能被破壞 |
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科目： 來(lái)源：2011屆黑龍江省哈爾濱六中高三上學(xué)期期末考試化學(xué)試卷 題型：單選題
有關(guān)晶體的下列說(shuō)法中正確的是（ ）
| A．分子晶體中分子間作用力越大，分子越穩(wěn)定 |
| B．原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高 |
| C．金屬晶體發(fā)生形變時(shí)，金屬鍵發(fā)生斷裂 |
| D．氯化鈉熔化時(shí)離子鍵未被破壞 |
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科目： 來(lái)源：2011屆黑龍江省哈爾濱六中高三上學(xué)期期末考試化學(xué)試卷 題型：單選題
下面圖像是從NaCl或CsCl晶體結(jié)構(gòu)圖中分割出來(lái)的部分結(jié)構(gòu)圖，試判斷屬于NaCl晶體結(jié)構(gòu)的是 ( )
①
② 
③ 
④ 
| A．①和④ | B．②和③ | C．①和③ | D．②和④ |
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科目： 來(lái)源：2011屆廣東省高州市大井中學(xué)高三上學(xué)期期末考試（理綜）化學(xué)部分 題型：單選題
下列各物質(zhì)中存在極性鍵和非極性鍵，且屬于離子晶體的是
| A．醋酸鈉 | B．過(guò)氧化鈉 |
| C．氯化銨 | D．過(guò)氧化氫 |
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科目： 來(lái)源：2011屆浙江省杭州市高級(jí)中學(xué)高三上學(xué)期第三次月考化學(xué)試卷 題型：單選題
下列說(shuō)法正確的是（ ）
| A．熔點(diǎn)：金剛石>晶體硅>干冰>氯化鈉晶體 |
| B．由于HCl的分子間作用力大于HI，故HCl比HI穩(wěn)定 |
| C．等質(zhì)量的金剛石和石墨晶體所含碳碳鍵的數(shù)目相等 |
| D．已知AB離子晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，則每個(gè)A+周?chē)嚯x最近且等距的B-有8個(gè) |
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