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有A、B、C、D、E 5種元素，它們的核電荷數(shù)依次增大，且都小于20。其中C、E是金屬元素；A和E屬同一族，它們原子的最外層電子排布為ns¹。B和D也屬同一族，它們原子最外層的p能級電子數(shù)是s能級電子數(shù)的兩倍，C原子最外層上電子數(shù)等于D原子最外層上電子數(shù)的一半。請用化學(xué)符號回答下列問題：
（1）A是________，B是________，C是________，D是________，E是_________。
（2）C、D、E四種元素的簡單離子按半徑由小到大的順序為（用離子符號表示）_____________________。
（3）用電子排布圖表示D元素原子的價電子構(gòu)型____________________。
（4）寫出A和B按原子個數(shù)比1 : 1形成的化合物的電子式                    。

（1）某元素原子的價電子構(gòu)型為3s²3p³，它屬于第        族，最高正化合價為     ，元素名稱是      。
（2）某元素原子的價電子構(gòu)型為3d¹⁰4s²，它屬于第      族，     區(qū)元素，元素符號是       。

X、Y、Z、M、R、Q是短周期主族元素，部分信息如下表所示：

（7分）設(shè)X、Y、Z為三種短周期元素，已知：
①Y^m—和Z^n—兩種離子具有相同電子層結(jié)構(gòu)(m-n＝1)；②X是原子序數(shù)最小的元素，Y與X可以形成兩種共價化合物甲和乙；③Z與X形成原子個數(shù)比為l:l的共價化合物丙，其分子與乙的分子所含質(zhì)子數(shù)相同。據(jù)此，填寫下列空白：
(1)Y元素是(填寫元素符號)               ； Z元素在周期表中的位置           。
(2)化合物甲的電子式是                  。
(3)Z單質(zhì)與化合物乙反應(yīng)的化學(xué)方程式是                               。
(4)化合物丙與氫氧化鈉溶液反應(yīng)的離子方程式是                          。

（6分）W、X、Y、Z是原子序數(shù)依次增大的同一短周期元素，W、X是金屬元素，Y、Z是非金屬元素。
（1）W、X各自的最高價氧化物對應(yīng)的水化物可以反應(yīng)生成鹽和水，該反應(yīng)的離子方程式是                                                               。
（2）Y 的低價氧化物通入Z單質(zhì)的水溶液中，發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)方程式是    。
（3）比較Y、Z氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性                           （用化學(xué)式表示）。
（4）W、X、Y、Z四種元素簡單離子的離子半徑由大到小的順序是            
（用離子符號表示）。

（9分）下表是元素周期表中的一部分，回答下列有關(guān)問題：[來源:學(xué).科.網(wǎng)]

（4分）有5種短周期元素的原子序數(shù)按E、D、B、A、C的順序依次增大；A、C同周期，B、C同主族；A與B可形成離子化合物A₂B，A₂B中所有粒子的電子數(shù)相同，且電子總數(shù)為30；D和E可形成5核10電子的離子X⁺ 。試回答下列問題：
（1）用電子式表示離子化合物A₂B的形成過程：                            
(2) A、B兩元素組成的化合物A₂B₂存在的化學(xué)鍵是                      （填“離子鍵”、“極性鍵”或“非極性鍵”）

下表是元素周期表的一部分，回答下列問題：

下列曲線分別表示元素的某種性質(zhì)與核電荷數(shù)的關(guān)系(Z為核電荷數(shù)，Y為元素的有關(guān)性質(zhì))。把與下面元素有關(guān)的性質(zhì)相符的曲線標(biāo)號填入相應(yīng)的空格中：

(1)ⅡA族元素的最外層電子數(shù)________；  (2)第3周期元素的最高化合價________；
(3)F^－、Na^＋、Mg^2＋、Al^3＋的離子半徑________。

已知A、B、C、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)依次遞增。B原子的P軌道半充滿，形成氫化物的沸點是同主族元素的氫化物中最低的。D原子得到一個電子后3P軌道全充滿。A⁺比D原子形成的離子少一個電子層。C與A形成A₂C型離子化合物。E的原子序數(shù)為31，F(xiàn)與B屬同一主族，E與F形成的化合物常用于制造半導(dǎo)體。根據(jù)以上信息，回答下列問題：
（1）A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序為              （用元素符號表示）。
（2）化合物BD₃的分子空間構(gòu)型是              。
（3）上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)，其材料是E與F形成的化合物甲（屬于第三代半導(dǎo)體），用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%。化合物甲的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖（白球代表F，黑球代表E）。試回答：
①該晶胞中所包含的F原子(白色球)個數(shù)為       。
②與同一個E原子相連的F原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為                 。
③下列說法正確的是          。

A．該晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同   B．半導(dǎo)體EB與EF互為等電子體
C．電負(fù)性：F>E             D．EF晶體中含有配位鍵
④ (CH₃)₃E中E原子的雜化方式為          。
⑤該晶體中緊鄰的F原子之間與緊鄰的F、E兩原子之間距離的比值為      
（寫出計算過程）