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科目: 來源:2011-2012學年陜西省師大附中高二下學期期中考試化學試卷(帶解析) 題型:單選題

σ鍵可由兩個原子的s軌道、一個原子的s軌道和另一個原子的p軌道以及一個原子的p軌道和另一個原子的p軌道以“頭碰頭”方式重疊而成。則下列分子中的σ鍵是由一個原子的s軌道和另一個原子的p軌道以“頭碰頭”方式重疊構(gòu)建而成的是

A.H2B.HClC.Cl2D.F2

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科目: 來源:2011-2012學年陜西省師大附中高二下學期期中考試化學試卷(帶解析) 題型:單選題

下列有關物質(zhì)性質(zhì)的比較順序中,不正確的是

A.熱穩(wěn)定性:HF>HCl>HBr>HI
B.微粒半徑:K+>Na+>Mg2+>Al3+
C.酸性:HClO4>H2SO4>H3PO4>H2SiO3
D.第一電離能:Na<Mg<Al<Si

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科目: 來源:2011-2012學年陜西省師大附中高二下學期期中考試化學試卷(帶解析) 題型:單選題

若某原子在處于能量最低狀態(tài)時,外圍電子排布為4d15s2,則下列說法正確的是

A.該元素原子處于能量最低狀態(tài)時,原子中共有3個未成對電子
B.該元素原子核外共有5個電子層
C.該元素原子的M能層共有8個電子
D.該元素原子最外層共有3個電子

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科目: 來源:2011-2012學年陜西省師大附中高二下學期期中考試化學試卷(帶解析) 題型:單選題

下列敘述中,正確的是

A.兩種粒子,若核外電子排布完全相同,則其化學性質(zhì)一定相同
B.單原子形成的離子,一定具有與稀有氣體原子相同的核外電子排布式
C.如果兩原子核外電子排布相同,則一定屬于同種元素
D.陰離子的核外電子排布與上一周期稀有氣體元素原子核外電子排布相同

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科目: 來源:2011-2012學年陜西省師大附中高二下學期期中考試化學試卷(帶解析) 題型:單選題

元素電負性隨原子序數(shù)的遞增而增強的是

A.Na, K, RbB.N, P, As
C.Si, P, ClD.O, S, Cl

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科目: 來源:2011-2012學年陜西省師大附中高二下學期期中考試化學試卷(帶解析) 題型:單選題

以下各分子中,所有原子都滿足最外層為8電子結(jié)構(gòu)的是

A.NCl3B. BF3C. PCl5D. H3O+

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科目: 來源:2011-2012學年陜西省師大附中高二下學期期中考試化學試卷(帶解析) 題型:單選題

某元素質(zhì)量數(shù)51,中子數(shù)28,其基態(tài)原子未成對電子數(shù)為

A.0B.1C.2D.3

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科目: 來源:2011-2012學年陜西省師大附中高二下學期期中考試化學試卷(帶解析) 題型:單選題

下列有特殊性能的材料中,由主族元素和副族元素形成的化合物是

A.半導體材料砷化鎵B.透明陶瓷材料硒化鋅
C.吸氫材料鑭鎳合金D.超導材料K3C60

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科目: 來源:2011-2012學年陜西省師大附中高二下學期期中考試化學試卷(帶解析) 題型:單選題

下列原子或離子原子核外電子排布不屬于基態(tài)排布的是

A. Na: 1s22s22p53s2B. S2-: 1s22s22p63s23p6
C. N: 1s22s22p3D. Si: 1s22s22p63s23p2

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科目: 來源:2011-2012學年陜西省岐山縣高一下學期期中考試化學試卷(帶解析) 題型:單選題

已知短周期元素的離子aA2+、bB+、cC2-、dD-都具有相同的電子層結(jié)構(gòu),則下列敘述正確的是  

A.原子半徑:A>B>D>CB.離子半徑:C2->D->B+>A2+
C.原子序數(shù):d>c>b>aD.原子的最外層電子數(shù)目:A>B>D>C

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