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科目： 來源：2008年高考北京理綜化學 題型：單選題

X、Y均為元素周期表中前20號元素，其簡單離子的電子層結構相同，下列說法正確的是

A．由mXan與nYn-1,得m+a=n－b
B．X2－的還原性一定大于Y－
C．X,Y一定不是同周期元素
D．若X的原子半徑大于Y,則氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性HmX一定大于HnY

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科目： 來源：北京市石景山區(qū)2010學年第一學期期末考試試卷 題型：單選題

X、Y、Z、W為四種短周期主族元素。其中X、Z同主族，Y、Z同周期，W與X、
Y既不同主族也不同周期；X原子最外層電子數(shù)是核外電子層數(shù)的3倍；Y的最高正
價與最低負價的代數(shù)和為6。下列說法正確的是

A．X與W可以形成W2X、W2X2兩種化合物
B．Y元素最高價氧化物對應水化物的化學式為H2YO4
C．Z的氫化物的沸點比X的氫化物的沸點高
D．Y、Z兩元素的簡單離子的半徑Y＞Z

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科目： 來源：北京市石景山區(qū)2010學年第一學期期末考試試卷 題型：單選題

下列化學用語正確的是

A．硫的原子結構示意圖：B．NH4Cl的電子式：
C．原子核內有8個中子的氧原子：D．Be2+離子中的質子數(shù)和電子數(shù)之比為2:1

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科目： 來源：2010年江西省上高二中高一下學期第一次月考化學試題 題型：單選題

短周期元素分別為X、Y和Z，已知X元素的原子最外層只有1個電子，Y元素原子的M電子層上的電子數(shù)是它的K層和L層電子總數(shù)的一半，Z元素原子的L層上的電子數(shù)比Y元素原子的L電子層上的電子數(shù)少2個，則三種元素所形成的化合物的分子式不可能是(    )

A．X2YZ4B．XYZ3C．X3YZ4D．X4Y2Z7

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科目： 來源：西南師大附中2010屆高三第五次月考（理綜）試題化學部分 題型：單選題

由部分短周期元素形成的單質或氧化物之間有以下關系
單質X + 氧化物M氧化物N
單質Y + 氧化物M單質X + 氧化物R
單質X + 氧化物Z單質D + 氧化物N
若X為非金屬單質，則組成Y單質的元素在周期表的位置是

A．第二周期ⅣA族B．第二周期ⅥA族
C．第三周期ⅡA族D．第三周期ⅣA族

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科目： 來源：黑龍江省哈六中2009—2010學年度上學期高三期末（化學）試題 題型：單選題

X、Y、Z、W四種短周期元素在周期表中相對位置如表所示，Y、Z質子數(shù)之和為21，下列說法中不正確的是

A．X、Y、Z、W均為非金屬元素
B．Y、Z形成的化合物為離子晶體
C．乙的陽離子與Y的陰離子電子層結構相同
D．X、Y、W的氫化物中，Y的氫化物沸點最高

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科目： 來源：黑龍江省哈六中2009—2010學年度上學期高三期末（化學）試題 題型：單選題

由短周期的兩種元素形成化合物XY3，下列說法正確的是

A．X和Y不可能位于同一周期B．X不可能是非金屬
C．X和Y一定位于不同主族D．化合物XY3溶于水可能顯堿

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科目： 來源：黑龍江省哈六中2009—2010學年度上學期高三期末（化學）試題 題型：單選題

－NMR（核磁共振）可用于含碳化合物的結構分析，表示的含義錯誤的是

A．表示碳元素的一種同位素
B．表示碳元素的一種核素
C．質量數(shù)是13，原子序數(shù)是6，核內有7個質子
D．質量數(shù)是13，原子序數(shù)是6，核內有7個中子

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科目： 來源：2007年普通高等學校招生全國統(tǒng)一考試（山東卷）理綜化學部分 題型：單選題


請完成下列各題：
（1）前四周期元素中，基態(tài)原子中未成對電子與其所在周期數(shù)相同的元素有   種。
（2）第ⅢA、ⅤA原元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為           。在GaN晶體中，每個Ga原子與     個N原子相連，與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為          。在四大晶體類型中，GaN屬于        晶體。
（3）在極性分子NCl3中，N原子的化合物為―3，Cl原子的化合價為＋1，請推測NCl3水解的主要產物是           （填化學式）。

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科目： 來源：2007年普通高等學校招生全國統(tǒng)一考試（海南卷）化學試題 題型：單選題


用價層電子對互斥理論預測H2S和BF3的立體結構，兩個結論都正確的是（  ）

A．直線形；三角錐形B．V形；三角錐形
C．直線形；平面三角形D．V形；平面三角形

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