科目: 來源:2011屆上海市松江區(qū)高三5月模擬測試化學試卷 題型:填空題
2011年3月,日本福島核電站發(fā)生核泄漏,核泄漏的放射性物質中,大量存在一種叫做“碘-131”的放射性元素。傳說吃含碘食品或服碘片可以減緩碘-131對人體的影響,有些人就去搶購碘鹽、碘片。下表是某食用碘鹽包裝袋上的部分說明:
| 配 料 | 食鹽、碘酸鉀、抗結劑 |
| 碘含量 | 35±15mg/kg |
| 儲藏方法 | 密封、避光、防潮 |
| 食用方法 | 烹飪時,待食品熟后加入碘鹽 |
| A.碘酸鉀可氧化氯化鈉 | B.只用淀粉就能檢驗碘鹽中的碘酸鉀 |
| C.高溫會導致碘的損失 | D.該碘鹽中碘酸鉀含量約為34~84mg/kg |
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科目: 來源:2011屆福建省福州市八縣(市)高三上學期期中聯考化學卷 題型:填空題
海藻中含有豐富的碘元素(以I-形式存在)。實驗室中提取碘的流程如下:![]()
(1)實驗操作①的名稱是 ;實驗操作③的名稱是 、 ,所用主要儀器名稱為 。
(2)提取碘的過程中,可供選擇的有機試劑是 (填序號)。
A.酒精(沸點78℃) B.四氯化碳(沸點77℃) C.甘油(沸點290℃)
D.苯(沸點80℃)
(3)在操作②中,溶液中生成少量ICl,為消除此雜質,使碘全部游離出來,應加入適量的(填序號) 溶液,反應的離子方程式為 。
A.KIO3 B.KClO C.KI D.Br2
(4)為使從含碘有機溶液中提取碘并回收溶劑順利進行,采用水浴加熱蒸餾(如下圖所示)。請指出圖中實驗裝置中錯誤之處(有幾處填幾處,下列空白可不填滿,也可補充)
① ,② ,③ ,
④ ……![]()
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科目: 來源:2010年江西省高安中學高二上學期期中考試化學卷 題型:填空題
(10分)常溫下已知pH=2的高碘酸(HIO4)溶液與pH=12的NaOH溶液等體積混合,所得溶液顯酸性;0.01mol·L-1的碘酸(HIO3)或高錳酸(HMnO4)溶液與pH=12的NaOH溶液等體積混合,所得溶液顯中性。請回答下列問題:
(1)高碘酸是 (填“強酸”或“弱酸”),理由是 。
(2)0.01mol·L-1的碘酸(HIO3)溶液與pH=12的NaOH溶液等體積混合所得溶液中
與Na+的濃度關系是 (填“大于”“小于”或“等于”)。
(3)已知高碘酸和硫酸錳(MnSO4)在溶液中反應生成高錳酸、碘酸和硫酸,此反應的還原劑是 ,該反應的離子方程式可表示為 。
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科目: 來源:新課標2010-2011學年度上學期高三一輪復習單元測試1(新人教) 題型:填空題
硼酸晶體成片狀,有滑膩感,可作潤滑劑,硼酸分子結構可表示為
。硼酸對人體的受傷組織有緩和的防腐作用,故可用于醫(yī)藥和食品防腐等方面
(1)根據以上所述可知硼酸應屬于_____________。
A.強酸 B.中強酸 C.弱酸
(2)研究表明:在大多數情況下,
元素的原子在形成分子或離子時,其最外電子層具有達到8電子穩(wěn)定結構的趨勢。在硼酸分子中,最外層達到8個電子穩(wěn)定結構的原子有_______個。
(3)硼酸和甲醇在濃硫酸存在的條件下,可生成揮發(fā)性硼酸三甲酯,試寫出硼酸完全酯化的化學方程式(注明反應條件)_______________________________________。
(4)已知硼酸0.01mol可被20mL0.5mol·L-1NaOH溶液恰好完全中和,據此推測:硼酸在水中顯酸性的原因是(寫電離方程式)_________________________________。
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科目: 來源:新課標2010-2011學年度上學期高三一輪復習單元測試1(新人教) 題型:填空題
結構化學家鮑林(Pauling)曾提出一條經驗規(guī)則:設含氧酸的化學式為HnROm,其中(m-n)為非羥基氧的原子數。而含氧酸的強弱與非羥基氧原子數(m-n)有如下關系:
(m-n) 0 1 2 3
含氧酸強度 弱酸 中強 強 很強
實例 HClO H3PO4 HNO3 HClO4
請回答:
(1)按此規(guī)則判斷:H3AsO4,H2SO4,HMnO4三處酸性由強到弱的順序是_________。
(2)H3PO3和H3AsO3的分子組成相似,但酸性強弱相差很大,已知H3PO3為中強酸而H3AsO3為弱酸,試推斷它們的結構式,H3PO3為__________,H3AsO3為_________。
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科目: 來源:2013年全國普通高等學校招生統一考試化學(海南卷帶解析) 題型:填空題
硅在地殼中的含量較高。硅及其化合物的開發(fā)由來已久,在現代生活中有廣泛應用;卮鹣铝袉栴}:
(1)1810年瑞典化學家貝采利烏斯在加熱石英砂、木炭和鐵時,得到一種“金屬”。這種“金屬”可能是 。
(2)陶瓷、水泥和玻璃是常用的硅酸鹽材料。其中,生產普通玻璃的主要原料有 。
(3)高純硅是現代信息、半導體和光伏發(fā)電等產業(yè)都需要的基礎材料。工業(yè)上提純硅有多種路線,其中一種工藝流程示意圖及主要反應如下:![]()
| | 發(fā)生的主要反應 |
| 電弧爐 | SiO2+2C |
| 流化床反應器 | Si+3HCl |
| 還原爐 | SiHCl3+H2 |
| 物質 | Si | SiCl4 | SiHCl3 | SiH2Cl2 | SiH3Cl | HCl | SiH4 |
| 沸點/℃ | 2355 | 57.6 | 31.8 | 8.2 | -30.4 | -84.9 | -111.9 |
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科目: 來源:2012-2013學年江蘇省新馬高級中學高二下學期期末考試化學試卷(帶解析) 題型:填空題
已知:Pb的化合價只有+2、+4,且+4價的Pb具有強氧化性,常溫下能氧化濃HCl生成Cl2;PbO2不穩(wěn)定,隨溫度升高按下列順序逐步分解:PbO2→Pb2O3→Pb3O4→PbO。
現將a mol PbO2加熱分解,收集產生的O2;加熱反應后所得固體中,Pb2+占Pb元素的物質的量分數為x;向加熱后所得固體中加入足量的濃鹽酸,收集產生的Cl2。兩步反應中收集的O2和Cl2的物質的量之和為y mol。
(1)若Fe3O4可表示為FeO·Fe2O3,則Pb3O4可表示為
(2)試寫出Pb2O3與濃鹽酸反應的化學方程式
(3)通過計算確定y與a、x的函數關系式____________________________。
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科目: 來源:2012-2013學年吉林省長春外國語學校高一下學期期中考試化學試卷(帶解析) 題型:填空題
氮化硅(氮顯-3價,硅顯+4價)是一種高溫陶瓷材料,它的硬度大、熔點高、化學性質穩(wěn)定,工業(yè)上曾普遍采用高純硅與純氮在1300 ℃時反應獲得。
(1)寫出N的原子結構示意圖________和氮化硅的化學式________。
(2)氮化硅陶瓷抗腐蝕能力強,除氫氟酸外,它不與其他無機酸反應。試推測該陶瓷被氫氟酸腐蝕的化學方程式____________________________。
(3)現用四氯化硅和氮氣在氫氣氣氛保護下,加強熱發(fā)生反應,可得較高純度的氮化硅,反應的化學方程式為_____________________。
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科目: 來源:2011-2012學年浙江省蒼南縣靈溪二高高一第一次月考化學試卷(帶解析) 題型:填空題
單晶硅是制作電子集成電路的基礎材料?茖W家預計,到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管,其功能遠比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學方法可制得高純度硅,其化學方程式為:
① SiO2 + 2C
Si + 2CO ② Si + 2Cl2
SiCl4 ③ SiCl4 + 2H2
Si + 4HCl。
回答下列問題:
(1)上述反應中,屬于氧化還原反應的是 (填序號)。
(2)反應①和③屬于 。
A.化合反應 B.分解反應 C.置換反應 D.復分解反應
(3)下列描述正確的是 。
A.氧化還原反應都是置換反應
B.判斷一個反應是否為氧化還原反應的依據是是否有化合價的升降
C.化合反應全部都是氧化還原反應
D.復分解反應全部都是氧化還原反應
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