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（14分）有A、B、C、D、E、F、G七種元素，除E為第四周期元素外其余均為短周期元素。A、E、G位于元素周期表的s區(qū)，其余元素位于p區(qū)。A、E的原子外圍電子層排布相同，A的原子中沒(méi)有成對(duì)電子；B元素基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道且每種軌道中的電子總數(shù)相同；C元素原子的外圍電子層排布式為nsⁿnpⁿ⁺¹；D元素形成的一種單質(zhì)為淡黃色，不溶于水、微溶于酒精、易溶于CS₂；F的基態(tài)原子核外成對(duì)電子數(shù)是成單電子數(shù)的3倍；G原子有三個(gè)電子層，其基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道，且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)相同�；卮鹣铝袉�(wèn)題：

（1）寫(xiě)出下列元素的符號(hào)：D          ，G           ；（每空2分）

（2）寫(xiě)出基態(tài)C原子的軌道表示式：                       （2分）

（3）由A、B、C形成的ABC分子中，含有        個(gè)σ鍵，      個(gè)π鍵；（每空2分）

（4）由D、E、F、G形成的鹽E₂DF₄、GDF₄的共熔體在冷卻時(shí)首先析出的物質(zhì)是：           （寫(xiě)化學(xué)式），原因是                                ；（每空2分）

（10分）計(jì)算題：

已知：晶體“二氧化硅”可由晶體“硅”衍生得到；下圖是晶體“硅”及“二氧化硅”的晶胞示意圖：

試回答：

（1）請(qǐng)寫(xiě)出SiO₂晶體的兩種主要用途：                                  （4分）

（2）請(qǐng)寫(xiě)出與晶體SiO₂化學(xué)鍵及晶體類型完全相同的兩種物質(zhì)的名稱：           （2分）

（3）已知：二氧化硅晶體的密度為ρg/cm³ , 試求二氧化硅晶體中最近的兩個(gè)Si原子之間的距離的表達(dá)式？（保留原表達(dá)式，不用化簡(jiǎn)）（4分）

1999年，世界重大科技成果之一是超鈾元素的發(fā)現(xiàn)，它有力地支持了“穩(wěn)定島”假說(shuō)，原子X的中子數(shù)為

A．0            B．57           C．118         D．175

下列燒杯中盛放的都是稀硫酸，在銅電極上能產(chǎn)生大量氣泡的是

提出元素周期律并根據(jù)元素周期律編制第一個(gè)元素周期表的科學(xué)家是

A、道爾頓  B、普利斯特里   C、門(mén)捷列夫   D、阿伏加德羅

下列物質(zhì)的電子式書(shū)寫(xiě)正確的是

下列元素中，最高正化合價(jià)數(shù)值最大的是

A．C                           B．F        C．S                             D．Ne

A、B、C都是金屬，把A浸入C的硝酸鹽溶液中，A的表面有C析出，A與B和酸溶液組成原電池時(shí)，B為電池的負(fù)極。A、B、C三種金屬的活動(dòng)性順序?yàn)?/p>

A．A>B>C               B．A>C>B

C．B>A>C               D．B>C>A

將等物質(zhì)的量的甲烷和氯氣混合后，在漫射光的照射下充分反應(yīng)，生成物中物質(zhì)的量最大的是

A.一氯甲烷   B. 二氯甲烷   C.四氯甲烷   D.氯化氫

對(duì)于放熱反應(yīng)  ，下列說(shuō)法正確的是

A．產(chǎn)物H₂O所具有的總能量高于反應(yīng)物H₂和O₂所具有的總能量

B．反應(yīng)物H₂和O₂所具有的總能量高于產(chǎn)物H₂O所具有的總能量

C．反應(yīng)物H₂和O₂所具有的總能量等于產(chǎn)物H₂O所具有的總能量

D．反應(yīng)物H₂和O₂具有的能量相等