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下列曲線圖（縱坐標(biāo)為沉淀的量，橫坐標(biāo)為加入物的量）與對(duì)應(yīng)選項(xiàng)不正確的是（　�。�

（2008?洛陽(yáng)模擬）已知0.1mol?L^-1的二元酸H₂A溶液的pH=4，則下列說(shuō)法中正確的是（　�。�

在一密閉容器中通入A、C、D各為2mol和xmolB，按下式發(fā)生反應(yīng)：A（g）+4B（g）

高溫

2C（g）+D（g）；△H＞0達(dá)到平衡，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　　）

（2013?開(kāi)封模擬）有一種鋰電池，用金屬鋰和石墨做電極材料，電解質(zhì)溶液是由四氯鋁鋰（LiAlCl₄）溶解在亞硫酰氯（）中而形成的，電池總反應(yīng)方程式為：8Li+3SOCl₂═6LiCl+Li₂SO₃+2S，下列敘述中正確的是（　�。�

（2010?石景山區(qū)一模）在AlCl₃和FeCl₃的混合液中，先加入過(guò)量的KI溶液，再加入足量的Na₂S溶液，所得到的沉淀物是（　�。�

下列關(guān)于元素的敘述正確的是（　　）

表示下列各反應(yīng)的離子方程式，不正確的是（　�。�

阿伏加德羅常數(shù)約為6.02×10²³mol^-1，下列敘述中正確的是（　�。�

晶體硅是一種重要的非金屬材料，在現(xiàn)代電子工業(yè)中具有非常重要的應(yīng)用．工業(yè)上制備高純硅的主要步驟如下：

（1）下列有關(guān)硅及化合物的說(shuō)法，正確的是．
A．石英的主要成分是SiO₂
B．太陽(yáng)能電池使用單質(zhì)硅做材料，其應(yīng)用有利于環(huán)保、節(jié)能
C．粗硅制備高純硅的過(guò)程不涉及氧化還原反應(yīng)
D．玻璃、水泥、陶瓷都屬于硅酸鹽產(chǎn)品
（2）SiCl₄在室溫下為無(wú)色液體，易揮發(fā)，粗硅與氯氣反應(yīng)得到的粗SiCl₄中含有大量固體雜質(zhì)，通過(guò)“操作A”提純得到純SiCl₄，操作A的名稱(chēng)是．
（3）整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧．H₂還原SiCl₄過(guò)程中發(fā)生的反應(yīng)是：在該過(guò)程中若有O₂混入，可能引起的后果是．

已知CO和H₂的混合氣體稱(chēng)為水煤氣，可由碳（C）與水蒸氣（H₂O）在高溫下反應(yīng)生成．如下圖：

已知：?jiǎn)钨|(zhì)E可作為半導(dǎo)體材料，化合物F是有毒的氧化物，C為液態(tài)．據(jù)此，請(qǐng)?zhí)羁眨?BR>（1）氧化物A是
（2）化合物F是
（3）反應(yīng)①的化學(xué)方程式是
（4）反應(yīng)②的化學(xué)方程式是
（5）反應(yīng)③的化學(xué)方程式是．