科目: 來源:不詳 題型:填空題
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
| | | X | Y |
| Z | W | | |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
| A.沸點(diǎn):NH3>PH3>AsH3 |
| B.熔點(diǎn):Si3N4>NaCl>SiI4 |
| C.酸性:HClO4>H2SO4>H3PO4 |
| D.堿性:NaOH>Mg(OH)2>Al(OH)3 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
| A.原子半徑:Y>Z>X |
| B.氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性:X<Z |
| C.Y和Z的最高價氧化物對應(yīng)水化物均為強(qiáng)酸 |
| D.若Z的最高正價為+m,則X的最高正價也一定為+m |
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科目: 來源:不詳 題型:填空題
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
| A.原子半徑的大小順序:r(W)>r(Z)>r(Y) |
| B.元素Z、W的簡單離子的離子半徑大小:W+> Z2- |
| C.元素Y的簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性比Z的強(qiáng) |
| D.只含X、Y、Z三種元素的化合物,可能是離子化合物,也可能是共價化合物 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
| A.原子半徑從大到小順序為:W>Z>Y>X |
| B.X與Y可形成既含離子鍵又含非極性共價鍵的化合物 |
| C.X、W分別形成簡單的氫化物中,前者的沸點(diǎn)高 |
| D.X形成單核陰離子的核外電子數(shù)與Y、Z、W原子的核外內(nèi)層電子數(shù)相同 |
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科目: 來源:不詳 題型:填空題
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
| A.元素X與氫形成原子個數(shù)比為1:1的化合物有多種 |
| B.元素Y的單質(zhì)與氫氧化鈉溶液或鹽酸反應(yīng)均有氫氣生成 |
| C.Z的原子半徑比Y的原子半徑大 |
| D.元素Z可與元素X形成共價化合物XZ2,且各微粒均滿足8電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu) |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
| A.用“百度”搜索知,Y、Z形成的化合物“室溫下強(qiáng)度高,……。導(dǎo)熱性好,熱膨脹系數(shù)小,是良好的耐熱沖擊材料。”由此可推測該化合物屬于離子晶體 |
| B.化合物YW3水解產(chǎn)物之一具有強(qiáng)氧化性,由此可知Y在該化合物中的化合價為+3 |
| C.由非金屬元素組成的化合物YX5是一種是否存在尚待確證的化合物,假如存在,該物質(zhì)與水反應(yīng)必然生成氣體X2,同時得到一種弱堿溶液 |
| D.因為Z的氧化物熔點(diǎn)很高,不適宜于電解,故工業(yè)上常用電解Z與W的化合物的方法制取單質(zhì)Z |
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