ICl:Cl以一個3p軌道與I以一個5p軌道重合組成一對共價鍵;?
NI3:N原子不等性sp3雜化,除一孤電子對外的三個雜化軌道分別與三個I原子的各一5p軌道雜化成鍵;?
CH3Cl:C原子sp3雜化形成四個雜化軌道,其中三個與三個H原子的1s軌道重疊形成三對sp3-sδ共價鍵,另一雜化軌道與Cl原子的含單電子的3p軌道重疊,形成一個sp3-pδ共價鍵;
CO2:C原子的一個2s軌道與一個2p軌道實行sp雜化,形成兩個成分相同,能量相等的sp雜化軌道,再與兩個O原子中各一個含單電子的2p軌道重疊,形成sp-pδ鍵;C原子中余下的兩個2p軌道(各含一個電子)再分別與一個O原子(共兩個)中的另一個2p軌道重疊形成sp-pπ鍵。因此每一對碳—氧組合間含有一個δ鍵和一個π鍵,為雙鍵結構。
科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解
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| a3NA |
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科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解
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科目:高中化學 來源:2011-2012學年陜西省長安一中高二上學期期末考試化學試卷 題型:填空題
(13分)有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有1個未成對電子,A+比B—少一個電子層,B原子得一個電子填入3p軌道后, 3p軌道已充滿;C原子的p軌道中有3個未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大;D的最高化合價和最低化合價的代數和4,其最高價氧化物中含D的質量分數為40%,且其核內質子數等于中子數。R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其中A+與D2—離子數之比為2:1。請回答下列問題:
(1)A元素形成的晶體屬于密置堆積方式,則其晶體晶胞類型屬于 。(填寫“六方”、“面心立方”或“體心立方”)。
(2)B—的電子排布式 ,在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是_______雜化。
(3)C的氫化物空間構型為 ,其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點最高的原因是 。
(4)B元素的電負性 D元素的電負性(填“>”,“<”或“=”);用一個化學方程
式說明B、D兩元素形成的單質的氧化性強弱: 。![]()
(5)如上圖所示是R形成的晶體的晶胞,設晶胞的邊
長為acm。則R晶體的密度為 。(阿伏加德數常數用NA表示)
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科目:高中化學 來源:2012-2013學年山西省高三1月月考化學試卷(解析版) 題型:填空題
[化學—選修物質結構和性質](15分)有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有1個未成對電子,A+比B-少一個電子層,B原子得一個電子填入3p軌道后,3p軌道已充滿;C原子的p軌道中有3個未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大;D的最高化合價和最低化合價的代數和為4,其最高價氧化物中含D的質量分數為 40%,且其核內質子數等于中子數。R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其中A+與D2-離子數之比為2∶1。請回答下列問題:
(1)A元素形成的晶體屬于A2密堆積型式,則其晶體內晶胞類型應屬于 (填寫“六方”、“面心立方”或“體心立方”)。
(2)B-的電子排布式為 ,在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是 雜化。
(3)C的氫化物的空間構型為 ,其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點最高的原因是 。
(4)B元素的電負性 D元素的電負性(填“>”、“<”或“=”);用一個化學方程式說明B、D兩元素形成的單質的氧化性強弱: 。
(5)如圖所示是R形成的晶體的晶胞,設晶胞的棱長為a cm。試計算R晶體的密度為 。(阿伏加德羅常數用NA表示)![]()
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