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新型納米材料MFe2Ox (3<x<4)中M表示+2價的金屬元素,在反應中M化合價不發(fā)生變化.常溫下,MFe2Ox能使工業(yè)廢氣中的SO2轉(zhuǎn)化為S,流程如下:MFe2Ox
常溫下
SO2
MFe2Oy下列判斷正確的是(  )
A、SO2是該反應的催化劑
B、MFe2Ox是還原劑
C、x>y
D、SO2發(fā)生了置換反應
考點:氧化還原反應
專題:
分析:在圖示反應中,SO2轉(zhuǎn)化為S,S元素化合價降低,說明SO2在反應中為氧化劑,則MFe2Ox為還原劑,反應后Fe元素的化合價升高,根據(jù)Fe元素常見化合價為+2、+3價判斷x、y大小關系.
解答: 解:A.SO2在反應中為氧化劑,轉(zhuǎn)化為S,不是催化劑,故A錯誤;
B.SO2轉(zhuǎn)化為S,S元素化合價降低,說明SO2在反應中為氧化劑,則MFe2Ox為還原劑,故B正確;
C.MFe2Ox為還原劑,反應后Fe元素的化合價升高,根據(jù)化合價代數(shù)和,則有(2y-2)>(2x-2),即y>x,故C錯誤;
D.化合物與化合物反應生成單質(zhì)和化合物,不屬于置換反應,SO2轉(zhuǎn)化為S,發(fā)生氧化還原反應,故D錯誤.
故選B.
點評:本題主要考查學生根據(jù)題目所給的信息和所學的化學知識進行解題的能力,解答時注意根據(jù)化合價的變化和化合物化合價代數(shù)和為0分析解答問題,要細心分析,題目難度不大.
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:

對于反應Br2+SO2+2H2O=H2SO4+2HBr,下列說法不正確的是(  )
A、SO2是還原劑
B、Br2的氧化性強于SO42-
C、HBr是還原產(chǎn)物
D、Br2發(fā)生氧化反應

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科目:高中化學 來源: 題型:

下列在有關工業(yè)生產(chǎn)的主要設備中采取的措施能達到相應目的是( 。
選項化學工業(yè)主要設備措施目的
A合成氨合成塔500℃左右防止催化劑中毒
B電解食鹽水電解槽石棉隔膜防止氯氣和氫氧化鈉反應
C接觸法制硫酸接觸室五氧化二釩提高二氧化硫的轉(zhuǎn)化率
D侯式制堿沉淀池先通氨氣,再通二氧化碳有利于二氧化碳的吸收
A、AB、BC、CD、D

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科目:高中化學 來源: 題型:

下列各組離子在水溶液中因發(fā)生氧化還原反應而不能大量共存的是( 。
A、H+、K+、CO32-、HCO3-
B、Na+、Fe3+、Cl-、I-
C、K+、Al3+、NO3-、AlO2-
D、K+、Br-、HCO3-、CO32-

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科目:高中化學 來源: 題型:

氧化還原反應在生產(chǎn)、生活中具有廣泛的用途.下列生產(chǎn)、生活中的事例中沒有發(fā)生氧化還原反應的是( 。
A、燃放鞭炮B、配制生理鹽水
C、食物腐爛D、濕法煉銅

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科目:高中化學 來源: 題型:

寫出下列元素基態(tài)原子的電子排布式:
?29 Cu
 

?32Ge(簡式)
 

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科目:高中化學 來源: 題型:

研究性學習小組進行SO2的制備及性質(zhì)探究實驗.

(1)根據(jù)反應Na2SO3(固)+H2SO4(濃)=Na2SO4+SO2+H2O,制備SO2氣體.
①用下列簡圖,在答題卡的方框中畫出制備并收集SO2的實驗裝置(含試劑)示意圖.
②實驗過程中,使用分液漏斗滴加濃硫酸的操作是
 

(2)將SO2氣體分別通入下列溶液中:
①品紅溶液,現(xiàn)象是
 
;
②溴水溶液,現(xiàn)象是
 
;
③硫化鈉溶液,現(xiàn)象是
 

(3)有一小組在實驗中發(fā)現(xiàn),SO2氣體產(chǎn)生緩慢,以致后續(xù)實驗現(xiàn)象很不明顯,但又不存在氣密性問題.請你推測可能的原因并說明相應的驗證方法(可以不填滿).
①原因
 
,驗證方法
 

②原因
 
,驗證方法
 

③原因
 
,驗證方法
 

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科目:高中化學 來源: 題型:

元素周期表中第 VIIA族元素的單質(zhì)及其化合物的用途廣泛.
(1)與氯元素同族的短周期元素的原子核外電子排布式為
 

(2)能作為氯、溴、碘元素非金屬性(原子得電子能力)遞變規(guī)律的判斷依據(jù)是
 
(填序號).
a.Cl2、Br2、I2的熔點 
b. Cl2、Br2、I2的氧化性
c.HCl、HBr、HI的熱穩(wěn)定性 
d. HCl、HBr、HI的酸性
(3)工業(yè)上,通過如下轉(zhuǎn)化可制得KClO3晶體:NaCl溶液
80℃,通電
 NaClO3溶液
室溫,KCl
KClO3晶體II中轉(zhuǎn)化的基本反應類型是
 
,該反應過程能析出KClO3晶體而無其它晶體析出的原因是
 

SiCl4(粗)  SiCl4460℃Cl2Si(粗)蒸餾1100℃H2Si(純)
(4)晶體硅(熔點1410℃)是良好的半導體材料;四氯化硅熔點-70℃,沸點57.6℃;由粗硅制純硅過程如下:Si(粗)
Cl2
460℃
SiCl4
蒸餾
SiCl4(粗)
H2
1100℃
Si(純)寫出SiCl4的電子式:
 
;在上述由SiCl4制純硅的反應中,測得生成7kg純硅需吸收akJ熱量,寫出該反應的熱化學方程式:
 

(5)ClO2是常用于水的凈化,工業(yè)上可用Cl2氧化NaClO2溶液制取ClO2.寫出該反應的離子方程式,并用單線橋標出電子轉(zhuǎn)移的方向和數(shù)目
 

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科目:高中化學 來源: 題型:

短周期主族元素X、Y、Z、W原子序數(shù)依次增大,已知Y是四種元素中金屬性最強的元素,Y、Z、W同周期,且三種元素原子的最外層電子數(shù)之和為11,X2-和Y+具有相同的電子層結構,下列敘述正確的是( 。
A、離子半徑:X2->Y+
B、原子的最外層電子數(shù):X>Y>Z>W(wǎng)
C、單質(zhì)沸點:X>Y>Z>W(wǎng)
D、X與Y形成的化合物中只2含有離子鍵

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