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A、B兩元素可組成化合物A2B，每個(gè)A2B分子中有46個(gè)電子，中子數(shù)比電子數(shù)多2個(gè)。已知1 mol A2B可以與2 mol 硝酸反應(yīng)，則9.4 g A2B可與　　   g 10%的硝酸恰好完全反應(yīng)。

 

答案：126
提示：

A2B分子中含46個(gè)電子，48個(gè)中子，得其相對(duì)分子質(zhì)量約為94；9.4 g A2B約為0.1 mol，據(jù)題意需0.2 mol HNO3，再根據(jù)質(zhì)量守恒計(jì)算求解。

 


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

已知：A、B、C、D、E、F是周期表中前36號(hào)元素，A是原子半徑最小的元素，B元素基態(tài)原子的2P軌道上只有兩個(gè)電子，C元素的基態(tài)原子L層只有2對(duì)成對(duì)電子，D是元素周期表中電負(fù)性最大的元素，E2+的核外電子排布和Ar原子相同，F(xiàn)的核電荷數(shù)是D和E的核電荷數(shù)之和．
請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）分子式為BC2的空間構(gòu)型為
直線型
直線型
；F2+的核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d9
1s22s22p63s23p63d9
．
（2）A分別與B、C形成的最簡(jiǎn)單化合物的穩(wěn)定性B
小于
小于
C（填“大于”或“小于”）；
A、C兩元素可組成原子個(gè)數(shù)比為1：1的化合物，C元素的雜化類(lèi)型為
sp3
sp3
．
（3）A2C所形成的晶體類(lèi)型為
分子晶體
分子晶體
；F單質(zhì)形成的晶體類(lèi)型為
金屬晶體
金屬晶體
，其采用的堆積方式為
面心立方最密堆積
面心立方最密堆積
．
（4）F元素氧化物的熔點(diǎn)比其硫化物的
高
高
（填“高”或“低”），請(qǐng)解釋其原因
CuO的晶格能大于CuS的晶格能
CuO的晶格能大于CuS的晶格能
．
（5）D跟E可形成離子化合物其晶胞結(jié)構(gòu)如圖．該離子化合物晶體的密度為ρg?cm-3．則晶胞的體積是
5.2×10-22
ρ
cm-3
5.2×10-22
ρ
cm-3
（用含ρ的代數(shù)式表示）．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

短周期中五種元素A、B、C、D、E原子序數(shù)依次增大，其中A、B、C原子核外電子層數(shù)之和是5，且C原子最外層上的電子數(shù)為A和B兩元素原子最外電子層上電子數(shù)的總和，C原子的價(jià)電子構(gòu)型為nsnnpn+1，A原子的最外層電子數(shù)等于其電子層數(shù)．D和E可以形成原子個(gè)數(shù)比為1：1和1：2的兩種離子化合物，且D原子的2p能級(jí)上有兩個(gè)未成對(duì)電子，試回答下列問(wèn)題：
（1）B、C、D、E四種元素的原子，半徑從大到小的順序是
 
（填元素符號(hào)或化學(xué)式，下同）；第一電離能從大到小的順序是
 

（2）C原子的電子排布圖
 
，D2-的結(jié)構(gòu)示意圖
 
．A、D可形成多種化合物，其中一種是氧化劑，其水溶液有弱酸性，寫(xiě)出該化合物的結(jié)構(gòu)式
 
，分子中含有
 
鍵（填“極性”或“非極性”，下同）是
 
分子．
（3）A、B、D三種元素可以形成多種有機(jī)化合物分子，其中最簡(jiǎn)單原子數(shù)最少的一種是室內(nèi)裝潢時(shí)形成的主要?dú)怏w污染物．試寫(xiě)出它的電子式
 
，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥（VSEPR）理論推測(cè)該分子中心原子的雜化方式為
 
雜化，空間構(gòu)型為
 
．
（4）C和E形成一種離子化合物Y，其摩爾質(zhì)量為65g/mol，Y受熱或撞擊時(shí)立即分解為兩種單質(zhì)．則Y的化學(xué)式為
 
，Y的陰離子是一種弱酸根離子，全由C元素組成，Y與鹽酸反應(yīng)的離子方程式為
 
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2010-2011學(xué)年河南省許昌新鄉(xiāng)平頂山高三第三次調(diào)研考試（理綜）化學(xué)部分 題型：填空題

已知：A、B、C、D、E、F是周期表中前36號(hào)元素，A是原子半徑最小的元素，B元素基態(tài)原子的2P軌道上只有兩個(gè)電子，C元素的基態(tài)原子L層只有2對(duì)成對(duì)電子，D是元素周期表中電負(fù)性最大的元素，E2+的核外電子排布和Ar原子相同，F(xiàn)的核電荷數(shù)是D和E的核電荷數(shù)之和。

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）分子式為BC2的空間構(gòu)型為_(kāi)_        __；F2+的核外電子排布式為              。

（2）A分別與B、C形成的最簡(jiǎn)單化合物的穩(wěn)定性B____C（填“大于”或“小于”）；A、C兩元素可組成原子個(gè)數(shù)比為1：1的化合物，C元素的雜化類(lèi)型為             。

（3）A2C所形成的晶體類(lèi)型為_(kāi)        ___；F單質(zhì)形成的晶體類(lèi)型為             ，其采用的堆積方式為             。

（4）F元素氧化物的熔點(diǎn)比其硫化物的____（填“高”或 “低”），請(qǐng)解釋其原因____。

（5）D跟E可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。該離子化合物晶體的密度為pg．cm。3，則晶胞的體積是             。（用含p的代數(shù)式表示）。

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

已知：A、B、C、D、E、F是周期表中前36號(hào)元素，A是原子半徑最小的元素，B元素基態(tài)原子的2P軌道上只有兩個(gè)電子，C元素的基態(tài)原子L層只有2對(duì)成對(duì)電子，D是元素周期表中電負(fù)性最大的元素，E2+的核外電子排布和Ar原子相同，F(xiàn)的核電荷數(shù)是D和E的核電荷數(shù)之和。

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）分子式為BC2的空間構(gòu)型為_(kāi)_       __；F2+的核外電子排布式為             。

（2）A分別與B、C形成的最簡(jiǎn)單化合物的穩(wěn)定性B____C（填“大于”或“小于”）；A、C兩元素可組成原子個(gè)數(shù)比為1：1的化合物，C元素的雜化類(lèi)型為            。

（3）A2C所形成的晶體類(lèi)型為_(kāi)       ___；F單質(zhì)形成的晶體類(lèi)型為            ，其采用的堆積方式為            。

（4）F元素氧化物的熔點(diǎn)比其硫化物的____（填“高”或 “低”），請(qǐng)解釋其原因____。

（5）D跟E可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。該離子化合物晶體的密度為pg．cm。3，則晶胞的體積是            。（用含p的代數(shù)式表示）。

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2011屆河南省許昌新鄉(xiāng)平頂山高三第三次調(diào)研考試（理綜）化學(xué)部分 題型：填空題

已知：A、B、C、D、E、F是周期表中前36號(hào)元素，A是原子半徑最小的元素，B元素基態(tài)原子的2P軌道上只有兩個(gè)電子，C元素的基態(tài)原子L層只有2對(duì)成對(duì)電子，D是元素周期表中電負(fù)性最大的元素，E2+的核外電子排布和Ar原子相同，F(xiàn)的核電荷數(shù)是D和E的核電荷數(shù)之和。
請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）分子式為BC2的空間構(gòu)型為_(kāi)_       __；F2+的核外電子排布式為             。
（2）A分別與B、C形成的最簡(jiǎn)單化合物的穩(wěn)定性B____C（填“大于”或“小于”）；A、C兩元素可組成原子個(gè)數(shù)比為1：1的化合物，C元素的雜化類(lèi)型為            。
（3）A2C所形成的晶體類(lèi)型為_(kāi)       ___；F單質(zhì)形成的晶體類(lèi)型為            ，其采用的堆積方式為            。
（4）F元素氧化物的熔點(diǎn)比其硫化物的____（填“高”或“低”），請(qǐng)解釋其原因____。
（5）D跟E可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。該離子化合物晶體的密度為pg．cm。3，則晶胞的體積是            。（用含p的代數(shù)式表示）。

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