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CO2溶于水，所得溶液能導(dǎo)電，但CO2不是電解質(zhì)．
 
．（判斷對錯）
考點：電解質(zhì)與非電解質(zhì)
專題：
分析：電解質(zhì)：在水溶液中或熔融狀態(tài)下能夠?qū)щ姷幕衔铮?br />非電解質(zhì)：在熔融狀態(tài)和水溶液中都不能導(dǎo)電的化合物．
解答： 解：二氧化碳在水溶液中與水反應(yīng)生成碳酸，碳酸電離出自由移動的離子導(dǎo)電，二氧化碳自身不能電離，二氧化碳是非電解質(zhì)，
故答案為：對．
點評：本題考查電解質(zhì)、非電解質(zhì)概念的辨析，難度不大．要注意電解質(zhì)必須是自身能夠電離的化合物．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

近年來，“三聚氰胺”、“吊白塊”、“蘇丹紅”、“瘦肉精”等化工原料逐漸被人們所熟悉，食品安全問題也日益受到社會的廣泛關(guān)注，下列對食品的處理不符合食品安全要求的是（　�。�
A、在食品中加入適量胡蘿卜素以改善食品的外觀
B、用甲醛溶液保鮮水產(chǎn)品
C、在醬油中加鐵、糧食制品中加賴氨酸
D、用蔗糖做食品的甜味劑

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

PH=3和PH=5的鹽酸等體積混合后溶液的PH是（　�。�
A、3.3B、3C、5D、4.7

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列物質(zhì)中，屬于強電解質(zhì)的是
 
，屬于弱電解質(zhì)
 
，屬于非電解質(zhì)的是
 
．（填序號）
A．氯化鈉  B．硫酸溶液 C．醋酸   D．氯化銀   E．氨氣  F．銅   G．氫氧化銅．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列有關(guān)敘述中正確的是（　�。�
A、強電解質(zhì)的水溶液導(dǎo)電能力一定比弱電解質(zhì)的水溶液導(dǎo)電能力強
B、膽礬不能導(dǎo)電，所以它屬于非電解質(zhì)
C、同一弱電解質(zhì)的溶液，當(dāng)溫度、濃度不同時，其導(dǎo)電能力也不同
D、強電解質(zhì)都是離子化合物，弱電解質(zhì)都是共價化合物

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

已知下列變化過程中，0.2mol R2O72-與0.2mol K2SO3恰好反應(yīng)，則R被還原的價態(tài)為
 
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

A、B、C都是元素周期表中的短周期非金屬元素，它們的核電荷數(shù)依次增大．A原子的核外成對電子數(shù)是未成對電子數(shù)的2倍，B原子的最外層p軌道的電子為半滿結(jié)構(gòu)，C是地殼中含量最多的元素．D、E是第四周期元素，D原子核外最外層電子數(shù)有1個電子，其余各層電子均充滿；E原子核外未成對電子數(shù)在同周期中最多．請用對應(yīng)的元素符號或化學(xué)式填空：
（1）A、B、C的第一電離能由小到大的順序為
 
． A和C的氫化物沸點大小關(guān)系為
 
，原因為
 
．
（2）D與E的原子化熱分別為340kJ?mol-1和400kJ?mol-1，則它們的熔點：D
 
 E（填“＞”、“＜”、“=”）．
（3）分子A2B2中鍵與鍵之間的夾角為180°，并有對稱性，為非極性分子，每個原子最外層電子數(shù)均滿足八電子，其結(jié)構(gòu)式為
 
，1mol該分子中含有π鍵的數(shù)目為
 
．
（4）基態(tài)E原子的外圍電子排布式為
 
．EO2Cl2熔點：-96.5℃，沸點：117℃，則固態(tài)EO2Cl2屬于
 
晶體．
（5）D的氫化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，其化學(xué)式是
 
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

在反應(yīng) KClO3+6HCl=KCl+3Cl2↑+3H2O中，當(dāng)生成1molCl2時轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量（　　）
A、5mol
B、3 mol
C、5/3 mol
D、1 mol

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料．鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法，該制備過程示意圖如下：

（1）焦炭在過程Ⅰ中做
 
劑．
（2）過程Ⅱ中Cl2用電解飽和食鹽水制備，制備Cl2的化學(xué)方程式為
 
．
（3）整過生產(chǎn)過程必須嚴(yán)格控制無水．
①SiCl4遇水劇烈水解生成SiO2和一種酸，反應(yīng)方程式為
 
．
②干燥Cl2時從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮，需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃，然后再通入濃H2SO4中．
（4）Zn還原SiCl4的反應(yīng)如下：
反應(yīng)①：400℃～756℃，SiCl4（g）+2Zn（l）═Si（S）+2ZnCl2（l）△H1＜0
反應(yīng)②：756℃～907℃，SiCl4（g）+2Zn（l）═Si（S）+2ZnCl2（g）△H2＜0
反應(yīng)③：907℃～1410℃，SiCl4（g）+2Zn（g）═Si（S）+2ZnCl2（g）△H3＜0
i．反應(yīng)②的平衡常數(shù)表達(dá)式為
 
．
ii．對于上述三個反應(yīng)，下列說明合理的是
 
．
a．升高溫度會提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率     
b．還原過程需在無氧的氣氛中進(jìn)行
c．增大壓強能提高反應(yīng)速率          
d．Na、Mg可以代替Zn還原SiCl4
（5）用硅制作太陽能電池時，為減弱光在硅表面的反射，可用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層．腐蝕劑常用稀HNO3和HF的混合液．硅表面首先形成SiO2，最后轉(zhuǎn)化成H2SiF6．用化學(xué)方程式表示SiO2轉(zhuǎn)化為H2SiF6的過程
 
．

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