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如圖是固體反應(yīng)物表面積跟反應(yīng)速率關(guān)系的探究實(shí)驗(yàn)裝置．錐形瓶中盛有過(guò)量的碳酸鈣，注射器內(nèi)盛有等量的鹽酸，量筒里盛滿水，倒置在水槽中．同時(shí)把注射器內(nèi)的鹽酸迅速注入錐形瓶中，觀察現(xiàn)象并解釋．

答案：
解析：

　　答案：可以看到粉末狀的碳酸鈣呈沸騰狀，氣泡小而密集，迅速將量筒中的水排盡；塊狀碳酸鈣中氣泡大而稀，較慢排出量筒中的水．說(shuō)明固體的表面積越大，固體在同一時(shí)間內(nèi)與其他反應(yīng)物的接觸越多，化學(xué)反應(yīng)速率越快．

　　解析：本題考查固體表面積對(duì)反應(yīng)速率的影響．粉末狀的CaCO3比塊狀CaCO3表面積大，反應(yīng)速率塊．


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（2008?重慶）某學(xué)習(xí)小組用如圖裝置測(cè)定鋁鎂合金中鋁的質(zhì)量分?jǐn)?shù)和鋁的相對(duì)原子質(zhì)量．
（1）A中試劑為
NaOH溶液
NaOH溶液
．
（2）實(shí)驗(yàn)前，先將鋁鎂合金在稀硝酸中浸泡片刻，其目的是
除去鋁鎂合金表面的氧化膜
除去鋁鎂合金表面的氧化膜
．
（3）檢查氣密性，將藥品和水裝入各儀器中，連接好裝置后，需進(jìn)行的操作還有：①記錄C的液面位置；②將B中剩余固體過(guò)濾、洗滌、干燥，稱重；③待B中不再有氣體產(chǎn)生并恢復(fù)至室溫后，記錄C的液面位置；④由A向B中滴加足量試劑；⑤檢查氣密性．上述操作的順序是
⑤①④③②
⑤①④③②
（填序號(hào)）；記錄C的液面位置時(shí)，除視線平視外，還應(yīng)
使D和C的液面相平
使D和C的液面相平
．
（4）B中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
2Al+2NaOH+2H2O=2NaAlO2+3H2↑
2Al+2NaOH+2H2O=2NaAlO2+3H2↑
．
（5）若實(shí)驗(yàn)用鋁鎂合金的質(zhì)量為a g，測(cè)得氫氣體積為b mL （已換算為標(biāo)準(zhǔn)狀況），B中剩余固體質(zhì)量為c g，則鋁的相對(duì)原子質(zhì)量為
33600(a-c)
b
33600(a-c)
b
．
（6）實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，若未洗滌過(guò)濾所得的不溶物，則測(cè)得鋁的質(zhì)量分?jǐn)?shù)將
偏小
偏小
（填“偏大”、“偏小”、“不受影響”）．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

如圖轉(zhuǎn)化關(guān)系中A-H為中學(xué)常見(jiàn)化合物，甲、乙、丙、丁為常見(jiàn)單質(zhì)，其中甲、丁常溫為氣體．已知單質(zhì)乙、化合物A為黃色（或淡黃色）固體．乙經(jīng)過(guò)連續(xù)與甲反應(yīng)后，再與水化合，是工業(yè)上制H的反應(yīng)過(guò)程．B、F兩種氣體都能使澄清石灰水變渾濁．（部分反應(yīng)物或產(chǎn)物略去）

（1）寫出下列反應(yīng)的化學(xué)方程式：
A與B
2Na2O2+2CO2=2Na2CO3+O2
2Na2O2+2CO2=2Na2CO3+O2
，甲與F
2SO2+O2
催化劑
.
△
2SO3
2SO2+O2
催化劑
.
△
2SO3

（2）工業(yè)制H時(shí)，甲與F反應(yīng)發(fā)生在
接觸室
接觸室
（設(shè)備名稱）
（3）寫出丙與D溶液反應(yīng)的離子方程式
2Al+2OH-+2H2O=2AlO2-+3H2↑
2Al+2OH-+2H2O=2AlO2-+3H2↑

（4）常溫時(shí)H的濃溶液與丙物質(zhì)并不能看到明顯的反應(yīng)現(xiàn)象，原因是
鋁在濃硫酸中表面形成致密的氧化膜，阻止內(nèi)部金屬的反應(yīng)（或鋁在濃硫酸中發(fā)生鈍化）
鋁在濃硫酸中表面形成致密的氧化膜，阻止內(nèi)部金屬的反應(yīng)（或鋁在濃硫酸中發(fā)生鈍化）
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：閱讀理解

（2012?長(zhǎng)寧區(qū)一模）Ⅰ．工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．
（1）原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用．精制時(shí)，粗鹽溶于水過(guò)濾后，還要加入的試劑分別為①Na2CO3、②HCl（鹽酸）③BaCl2，這3種試劑添加的合理順序是
③①②
③①②
（填序號(hào)）洗滌除去NaCl晶體表面附帶的少量KCl，選用的試劑為
③
③
．（填序號(hào)）（①飽和Na2CO3溶液  ②飽和K2CO3溶液  ③75%乙醇�、芩穆然迹�
（2）如圖是離子交換膜（允許鈉離子通過(guò)，不允許氫氧根與氯離子通過(guò)）法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是
氯氣
氯氣
；NaOH溶液的出口為
a
a
（填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為
d
d
（填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是
濃硫酸
濃硫酸
．

Ⅱ．多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注．
（1）SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl
．
（2）SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用．一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：
3SiCl4（g）+2H2（g）+Si（s）?4SiHCl3（g）
達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為
0.351
0.351
kg．
（3）實(shí)驗(yàn)室制備H2和Cl2通常采用下列反應(yīng)：
Zn+H2SO4→ZnSO4+H2↑；MnO2+4HCl（濃）
△
MnCl2+Cl2↑+2H2O
據(jù)此，從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H2的裝置
e
e
（填代號(hào)）和制備并收集干燥、純凈Cl2的裝置
d
d
（填代號(hào)）．
可選用制備氣體的裝置：

（4）采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣
134.4
134.4
m3（標(biāo)準(zhǔn)狀況）．（忽略可能存在的其他反應(yīng)）
某工廠生產(chǎn)硼砂過(guò)程中產(chǎn)生的固體廢料，主要含有MgCO3、MgSiO3、CaMg（CO3）2、Al2O3和Fe2O3等，回收其中鎂的工藝流程如下：

沉淀物 Fe（OH）3 Al（OH）3 Mg（OH）2
PH 3.2 5.2 12.4
Ⅲ．部分陽(yáng)離子以氫氧化物形式完全沉淀時(shí)溶液的pH見(jiàn)上表，請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）“浸出”步驟中，為提高鎂的浸出率，可采取的措施有
適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時(shí)間
適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時(shí)間
（要求寫出兩條）．
（2）濾渣I的主要成分是
Fe（OH）3、Al（OH）3
Fe（OH）3、Al（OH）3
．
Mg（ClO3）2在農(nóng)業(yè)上可用作脫葉劑、催熟劑，可采用復(fù)分解反應(yīng)制備：
MgCl2+2NaClO3→Mg（ClO3）2+2NaCl
已知四種化合物的溶解度（S）隨溫度（T）變化曲線如圖所示：

（3）將反應(yīng)物按化學(xué)反應(yīng)方程式計(jì)量數(shù)比混合制備Mg（ClO3）2．簡(jiǎn)述可制備Mg（ClO3）2的原因：
在某一溫度時(shí)，NaCl最先達(dá)到飽和析出；Mg（ClO3）2的溶解度隨溫度變化的最大，NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別；
在某一溫度時(shí)，NaCl最先達(dá)到飽和析出；Mg（ClO3）2的溶解度隨溫度變化的最大，NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別；
．
（4）按題（3）中條件進(jìn)行制備實(shí)驗(yàn)．在冷卻降溫析出Mg（ClO3）2過(guò)程中，常伴有NaCl析出，原因是：
降溫前，溶液中NaCl已達(dá)飽和，降低過(guò)程中，NaCl溶解度會(huì)降低，會(huì)少量析出；
降溫前，溶液中NaCl已達(dá)飽和，降低過(guò)程中，NaCl溶解度會(huì)降低，會(huì)少量析出；
．除去產(chǎn)品中該雜質(zhì)的方法是：
重結(jié)晶
重結(jié)晶
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2013-2014學(xué)年陜西省高三上學(xué)期第三次教學(xué)質(zhì)量檢測(cè)理綜化學(xué)試卷（解析版） 題型：實(shí)驗(yàn)題

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機(jī)物，無(wú)機(jī)鹽，金屬、Si、SiO2粉塵等）。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對(duì)太陽(yáng)光的吸收。單晶制絨通常用NaOH、Na2SiO3等混合溶液在75～90℃反應(yīng)25～35 min，效果良好�；卮鹣铝袉�(wèn)題

Ⅰ.（1）寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式               ，對(duì)單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型，他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與OH一反應(yīng)，生成SiO44一，然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4�；诖嗽矸治龇磻�(yīng)中氧化劑為                   。

（2）本�；瘜W(xué)興趣小組同學(xué)，為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確，完成以下實(shí)驗(yàn)：

 

實(shí)驗(yàn)事實(shí)

事實(shí)一

水蒸汽在600℃時(shí)可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。

事實(shí)二

盛放于鉑或石英器皿中的純水長(zhǎng)時(shí)間對(duì)粉末狀還原硅無(wú)腐蝕作用。

事實(shí)三

普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。

事實(shí)四

在野外環(huán)境里，用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH，點(diǎn)著后燜燒，可劇烈放出H2。

事實(shí)五

1g（0.036mo1）Si和20mL含有l(wèi)gNaOH（0.025mol）的溶液，小心加熱（稍微預(yù)熱），收集到約1700mL H2，很接近理論值（1600mL）。

結(jié)論：從實(shí)驗(yàn)上說(shuō)明堿性水溶液條件下，H2O可作                劑；NaOH作_____             劑，降低反應(yīng)             。高溫?zé)o水環(huán)境下，NaOH作               劑。

Ⅱ.在工業(yè)中利用鎂制取硅：2Mg＋SiO22MgO＋Si，同時(shí)有副反應(yīng)發(fā)生：2Mg＋SiMg2Si，Mg2Si遇鹽酸迅速反應(yīng)生成SiH4(硅烷)，SiH4在常溫下是一種不穩(wěn)定、易分解的氣體。如圖是進(jìn)行Mg與SiO2反應(yīng)的實(shí)驗(yàn)裝置：

由于氧氣的存在對(duì)該實(shí)驗(yàn)有較大影響，實(shí)驗(yàn)中應(yīng)通入氣體X作為保護(hù)氣，試管中的固體藥品可選用________(填序號(hào))。        a．石灰石　　　b．鋅�！　　．純堿

（4）實(shí)驗(yàn)開(kāi)始時(shí)，必須先通入X氣體，再加熱反應(yīng)物，其理由是______________________________，當(dāng)反應(yīng)開(kāi)始后，移走酒精燈反應(yīng)能繼續(xù)進(jìn)行，其原因是___________________________。

（5）反應(yīng)結(jié)束后，待冷卻至常溫時(shí)，往反應(yīng)后的混合物中加入稀鹽酸�？捎^察到閃亮的火星，產(chǎn)生此現(xiàn)象的原因用化學(xué)方程式表示為_(kāi)______________________________________。

 

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