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下圖為氯化鈉晶體的晶胞。已知：Mr(NaCl)=58.5 g·mol-1，ρ(NaCl)=2.2 g·cm-3，NA=6.02×1023mol-1，試求氯化鈉晶體中兩個(gè)最近的Na+離子中心間的距離。

解析：選定圖示的一個(gè)晶胞來(lái)進(jìn)行計(jì)算。

一個(gè)晶胞含有的Na+—Cl-離子對(duì)數(shù)：

Na+數(shù)＝12×+1=4

Cl-數(shù)＝8×+6×=4

故 Na+—Cl-離子對(duì)數(shù)為4。

一個(gè)Na+—Cl-離子對(duì)的質(zhì)量：m(Na+—Cl-)==9.7×10-23 g

一個(gè)晶胞的質(zhì)量：

?m(晶胞)=9.7×10-23g×4=3.887×10-22g

一個(gè)晶胞的體積：

?V(晶胞)==1.8×10-22 cm3

設(shè)晶胞中兩個(gè)最近Na+中心間距離為a，則：

=V(晶胞)＝1.8×10-22cm3

解得a=4.0×10-8cm

答案：4.0×10-8cm


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類(lèi)型相同的是__     ___(請(qǐng)用相應(yīng)的編號(hào)填寫(xiě))

（2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽(yáng)離子A以表示，陰離子B以表示。則每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為_(kāi)_______，含B離子數(shù)目為_(kāi)_______。 若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

（3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（4）通常人們把拆開(kāi)1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

鍵能/kJ·mol—1

360

436

431

176

已知:工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制�。�

SiCl4(g) + 2H2(g)高溫 Si(s) + 4 HCl(g)

則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：09～10年黃岡中學(xué)高一下學(xué)期期末考試化學(xué)卷 題型：填空題

（10分）由陰陽(yáng)離子通過(guò)離子鍵結(jié)合而成的晶體稱(chēng)為離子晶體，離子化合物固態(tài)時(shí)一般為晶體，在離子晶體中，陰、陽(yáng)離子按一定規(guī)律在空間排列。下圖是NaCl晶體的晶胞結(jié)構(gòu)。（空心點(diǎn)為Cl—,實(shí)心球?yàn)镹a+）

（1）在NaCl晶體中，每個(gè)Na+離子同時(shí)吸引著_______個(gè)Cl—離子，在周?chē)c它最接近且等距離的Cl—共有___________個(gè)，Cl—離子位于Na+圍成的___________體中心，而Na＋離子數(shù)目與Cl－離子數(shù)目之比為_(kāi)__________。
（2）若CuO晶體中O2-采取NaCl晶胞結(jié)構(gòu)中Na＋的堆積方式，Cu2+占據(jù)O2-圍成的正四面體空隙，則Cu2+占據(jù)O2-圍成的正四面體空隙的占據(jù)率為 __________。
在離子晶體中，陰、陽(yáng)離子具有或接近具有球形對(duì)稱(chēng)的電子云，它們可以被看成是不等徑的剛性圓球，并彼此相切（如下圖），離子鍵的鍵長(zhǎng)是相鄰陰、陽(yáng)離子的半徑之和（如下圖）。已知a為常數(shù)。試回答下列問(wèn)題：

NaCl晶體中微粒間排布             NaCl晶體中離子鍵鍵長(zhǎng)
（3）NaCl晶體離子鍵的鍵長(zhǎng)為_(kāi)___________。
（4）Na＋離子半徑與Cl－離子半徑之比=_______________。
（已知）
（5）NaCl晶體中不存在分子，但在溫度達(dá)到1413℃時(shí)，NaCl晶體形成氣體，并以分子形成存在，現(xiàn)在29.25g NaCl晶體，強(qiáng)熱使溫度達(dá)到1450℃，測(cè)得氣體體積為5.6L（已折算為標(biāo)準(zhǔn)狀況），則此時(shí)氯化鈉氣體的分子式（化學(xué)式）為_(kāi)___________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2010-2011學(xué)年湖北省孝感高中高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：填空題

（13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類(lèi)型相同的是__    ___(請(qǐng)用相應(yīng)的編號(hào)填寫(xiě))

（2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽(yáng)離子A以表示，陰離子B以表示。則每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為_(kāi)_______，含B離子數(shù)目為_(kāi)_______。若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

（3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（4）通常人們把拆開(kāi)1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵
Si—Cl
H—H
H—Cl
Si—Si
鍵能/kJ·mol—1
360
436
431
176
已知:工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制�。�
SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g)
則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2012屆湖北省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：填空題

（13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類(lèi)型相同的是__     ___(請(qǐng)用相應(yīng)的編號(hào)填寫(xiě))

（2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽(yáng)離子A以表示，陰離子B以表示。則每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為_(kāi)_______，含B離子數(shù)目為_(kāi)_______。 若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

（3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（4）通常人們把拆開(kāi)1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

鍵能/kJ·mol—1

360

436

431

176

已知:工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制�。�

SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g)

則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.

 

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