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下列制備金屬單質的方法或原理正確的是(  )

A.在高溫條件下,用H2還原MgO制備單質Mg

B.在通電條件下,電解熔融Al2O3制備單質Al

C.在通電條件下,電解飽和食鹽水制備單質Na

D.加強熱,使CuO在高溫條件下分解制備單質Cu


答案 B

解析 制備單質Mg應該用電解熔融MgCl2的方法;制備單質Na采用電解熔融NaCl的方法;制備單質Cu用熱還原法。


練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:


下列過程中,共價鍵被破壞的是(  )

A.碘升華  B.溴蒸氣被木炭吸附

C.酒精溶于水  D.氯化氫氣體溶于水

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科目:高中化學 來源: 題型:


在做化學實驗時必須注意安全操作,下列實驗操作或事故處理正確的是(  )

①在點燃易燃氣體前,必須檢驗氣體的純度

②濃硫酸對皮膚有腐蝕性,如不慎濺到皮膚上,用較多的水沖洗,再涂上稀硼酸溶液

③給試管中的液體加熱時,液體體積不超過試管容積的1/3

④點燃添滿酒精的酒精燈

⑤用10 mL量筒量取8.55 mL蒸餾水

A.僅①  B.僅①②  C.僅①③  D.全部

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科目:高中化學 來源: 題型:


能否用電解AlCl3和MgO的方法冶煉Al、Mg?

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科目:高中化學 來源: 題型:


用鋁和金屬氧化物反應制備金屬單質是工業(yè)上較常用的方法。如:

2Al+4BaO3Ba↑+BaO·Al2O3

常溫下Al的金屬性比Ba的金屬性______(選填“強”、“弱”)。利用上述方法可制取Ba的主要原因是______。

A.高溫時Al的活潑性大于Ba

B.高溫有利于BaO分解

C.高溫時BaO·Al2O3比Al2O3穩(wěn)定

D.Ba的沸點比Al的低

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科目:高中化學 來源: 題型:


氫化亞銅(CuH)是一難溶物質,用CuSO4溶液和另一種“反應物”在40~50 ℃時反應可生成它。CuH不穩(wěn)定,易分解;CuH在氯氣中能燃燒,跟鹽酸反應能產(chǎn)生氣體。下列有關推斷中錯誤的是(  )

A.這里的“另一種反應物”具有還原性

B.CuH可作氧化劑、還原劑

C.CuH+Cl2CuCl+HCl

D.CuH+HCl===CuCl+H2↑(常溫)

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科目:高中化學 來源: 題型:


從元素周期表的位置看,碳和硅均為ⅣA族元素,自然界中有碳的多種單質存在,自然界中有硅的單質嗎?為什么?

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科目:高中化學 來源: 題型:


單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度450~500 ℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物;

c.有關物質的物理常數(shù)見下表:

物質

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl5

沸點/℃

57.7

12.8

315

熔點/℃

-70.0

-107.2

升華溫度/℃

180

300

162

請回答下列問題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式:

________________________________________________________________________。

(2)裝置A中g管的作用是____________;裝置C中的試劑是__________;裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是_________________________________________________

________________________________________________________________________。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是______________________(填寫元素符號)。

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科目:高中化學 來源: 題型:


某研究性學習小組的同學利用MnO2、濃鹽酸反應來制取干燥的氯氣并驗證其有無漂白性,所用裝置如圖所示(可重復使用,不含制氣裝置)。下列說法正確的是(  )

A.按氣流流動的先后順序,裝置連接順序依次為DACBE

B.按氣流流動的先后順序,裝置連接順序依次為DABAE

C.裝置E的主要用途是制備NaClO

D.若實驗中使用到裝置C且有色布條褪色,則說明濕潤的氯氣有漂白性

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同步練習冊答案