Question

下列說法中正確的是（　　）

• A、1s²2s¹2p¹表示的是激發(fā)態(tài)原子的電子排布
• B、處于同一軌道上的電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相同
• C、在含4 mol Si-O鍵的二氧化硅晶體中，氧原子的數(shù)目為4N_A
• D、晶體硅、晶體氖均是由相應(yīng)原子直接構(gòu)成的原子晶體

Answer 1

考點(diǎn)：原子核外電子排布,金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系

專題：原子組成與結(jié)構(gòu)專題,化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)

分析：A、原子的核外電子排布符合能量最低原理、泡利不相容原理及洪特規(guī)則，原子處于基態(tài)，否則為激發(fā)態(tài)；
B、同一軌道上最多排2個(gè)電子，其運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同；
C、根據(jù)1mol硅原子形成4mol硅氧鍵計(jì)算；
D、氖是分子晶體．

解答： 解：A、1s²2s¹2p¹為激發(fā)態(tài)，根據(jù)能量最低原理，其基態(tài)應(yīng)為1s²2s²，故A正確；
B、同一軌道上最多排2個(gè)電子，其自旋方向相反，故B錯(cuò)誤；
C、在含4molSi-O鍵的二氧化硅的物質(zhì)的量為1mol，含有2mol氧原子，所以氧原子的數(shù)目為4N_A，故C錯(cuò)誤；
D、晶體硅屬于原子晶體，氖是分子晶體，故D錯(cuò)誤．
故選A．

點(diǎn)評(píng)：本題考查了原子電子排布式、二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)以及軌道等知識(shí)點(diǎn)，題目難度不大，注意相關(guān)知識(shí)點(diǎn)積累．