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氧族元素在化合物中常見(jiàn)的化合價(jià)有，________，其最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的通式為（氧族元素的元素符號(hào)設(shè)為R）________。

 

答案：
解析：

－2、＋4、＋6  H2RO4

 


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：閱讀理解

【化學(xué)--選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
VA族的氮、磷、砷（As）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）白磷單質(zhì)的中P原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
；
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
N＞P＞As
N＞P＞As
；
（3）As原子序數(shù)為
33
33
，其核外M層和N層電子的排布式為
3s23p63d104s24p3
3s23p63d104s24p3
；
（4）NH3的沸點(diǎn)比PH3
高
高
（填“高”或“低”），原因是
NH3分子間存在較強(qiáng)的氫鍵，而PH3分子間僅有較弱的范德華力
NH3分子間存在較強(qiáng)的氫鍵，而PH3分子間僅有較弱的范德華力
．
PO43-離子的立體構(gòu)型為
正四面體
正四面體
；
（5）H3PO4的K1、K2、K3分別為7.6×10-3、6.3×10-8、4.4×10-13．硝酸完全電離，而亞硝酸K=5.1×10-4，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
①H3PO4的K1遠(yuǎn)大于K2的原因
第一步電離出的氫離子抑制第二步的電離
第一步電離出的氫離子抑制第二步的電離
；
②硝酸比亞硝酸酸性強(qiáng)的原因
硝酸中N呈+5價(jià)，N-O-H中O的電子更向N偏移，導(dǎo)致其越易電離出氫離子
硝酸中N呈+5價(jià)，N-O-H中O的電子更向N偏移，導(dǎo)致其越易電離出氫離子
；
（6）NiO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體類似，其晶胞的棱長(zhǎng)為a cm，則該晶體中距離最近的兩個(gè)陽(yáng)離子核間的距離為
2
2
a
2
2
a
cm（用含有a的代數(shù)式表示）．
在一定溫度下NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”（如圖），可以認(rèn)為氧離子作密致單層排列，鎳離子填充其中，列式并計(jì)算每平方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量為
1.83×10-3
1.83×10-3
g （氧離子的半徑為1.40×10-10m）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：閱讀理解

ⅥA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）S單質(zhì)的常見(jiàn)形式是S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
；
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
O＞S＞Se
O＞S＞Se
；
（3）Se的原子序數(shù)為
34
34
，其核外M層電子的排布式為
3s23p63d10
3s23p63d10
；
（4）H2Se的酸性比 H2S
強(qiáng)
強(qiáng)
（填“強(qiáng)”或“弱”）．氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為
平面三角形
平面三角形
，
SO
2-
3
離子的立體構(gòu)型為
三角錐形
三角錐形
；
（5）H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8，H2SeO4的第一步幾乎完全電離，K2是1.2×10-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因：
第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子
第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子
；
②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：
H2SeO3和H2SeO4可表示為（HO）SeO和（HO）SeO2．H2SeO3中Se為+4價(jià)，而H2SeO4中Se為+6價(jià)，正電性更高．導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移，越易電離出H+
H2SeO3和H2SeO4可表示為（HO）SeO和（HO）SeO2．H2SeO3中Se為+4價(jià)，而H2SeO4中Se為+6價(jià)，正電性更高．導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移，越易電離出H+
．
（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛．立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0pm，密度為
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
g?cm-3（列式并計(jì)算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
270.0
1-cos109°28′
或
135.0×
2
sin
109°28′
2
或135
3
270.0
1-cos109°28′
或
135.0×
2
sin
109°28′
2
或135
3
pm（列式表示）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2013-2014學(xué)年江西省贛州市高三上學(xué)期期末聯(lián)考理綜化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）S單質(zhì)的常見(jiàn)形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是______；

（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)_____；

（3）Se原子序數(shù)為_(kāi)_____，其核外M層電子的排布式為_(kāi)_____；

（4）H2Se的酸性比H2S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為_(kāi)_____平面三角形，SO32－離子的立體構(gòu)型為_(kāi)_____三角錐形；

（5）H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10－3和2.5×10－8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.2×10－2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：

①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因：                    ；第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子；

②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：______；

（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm，密度為_(kāi)___________(列式并計(jì)算)，a位置S2－離子與b位置Zn2＋離子之間的距離為_(kāi)__________________pm(列式表示)。

 

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2014屆福建省高二下學(xué)期期末聯(lián)考化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

氧族元素的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià)，含氧族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1) S單質(zhì)的常見(jiàn)形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是                 。

（2）Se原子在元素周期表中位置為                                 ；

其基態(tài)原子核外價(jià)電子的軌道表示式為                       。

（3）氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為                               。

（4）H+可與H2O形成H3O+，H3O+中存在的共價(jià)鍵類型為：                  。H3O+中H—O—H鍵角比H2O中H—O—H鍵角大，原因?yàn)開(kāi)____________________________________________________

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2012-2013學(xué)年江蘇省高三12月質(zhì)量檢測(cè)化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

（12分）ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）氧元素能形成繁多的氧化物，請(qǐng)寫(xiě)出一個(gè)與CO2等電子的化合物         。

（2）把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列         。

（3）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>      ；

（4）Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ；H2Se的沸點(diǎn)：－41.1℃，H2S的沸點(diǎn)：-60.4℃引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是         ；

（5）SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 ；

（6）某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，則該氧化物的化學(xué)式為         。

 

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同步練習(xí)冊(cè)答案