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下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是( 。
A.最小的環(huán)上,有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子
B.最小的環(huán)上,Si和O原子數(shù)之比為1:2
C.最小的環(huán)上,有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子
D.存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處于中心,Si處于4個(gè)頂角
A.最小的環(huán)上,有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子,故A錯(cuò)誤;
B.最小的環(huán)上,有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子,所以最小的環(huán)上碳氧原子數(shù)之比為1:1,故B錯(cuò)誤;
C.最小的環(huán)上,有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子,故C正確;
D.二氧化硅晶體中存在四面體結(jié)構(gòu)單元,每個(gè)硅原子能構(gòu)成四個(gè)共價(jià)鍵,每個(gè)氧原子能形成2個(gè)共價(jià)鍵,Si處于中心,O處于4個(gè)頂角,故D錯(cuò)誤.
故選C.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2010?湖北)下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是(  )

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

A.存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處于中心,Si處于4個(gè)頂角

B.最小的環(huán)上,有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子

C.最小的環(huán)上,Si和O原子數(shù)之比為1:2

D.最小的環(huán)上,有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子

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科目:高中化學(xué) 來源:2010-2011學(xué)年黑龍江省雞西市高三第二次模擬考試化學(xué)試卷 題型:選擇題

下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

A.存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處于中心,Si處于4個(gè)頂角

B.最小的環(huán)上,有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子

C.最小的環(huán)上,Si和O原子數(shù)之比為1:2

D.最小的環(huán)上,有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2012屆福建省高二3月月考化學(xué)試卷 題型:選擇題

下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

A.存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處于中心,Si處于4個(gè)頂角

B.最小的環(huán)上,有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子

C.最小的環(huán)上,Si和O原子數(shù)之比為1:2

D.最小的環(huán)上,有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子

 

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