已知A和B為短周期元素,其原子的第一至第四電離能如下表所示:
| 電離能(kJ/mol) | I1 | I2 | I3 | I4 |
| A | 932 | 1821 | 15390 | 21771 |
| B | 738 | 1451 | 7733 | 10540 |
(每空2分)(1)能量最低原理 (2) sp雜化
(3) 否, C60為分子晶體,熔化時(shí)破壞的是分子間作用力,無需破壞共價(jià)鍵
(4) 4s1, 3︰1 (5)N>C>Si,正四面體
解析試題分析:(1)根據(jù)A和B的電離能數(shù)據(jù)可知,均是第三電離能遠(yuǎn)大于第二電離能,所以都是第ⅡA族元素。同主族自上而下,金屬性逐漸增強(qiáng),第一電離能逐漸減小,所以A是Be,B是Mg。根據(jù)B的核外電子排布如圖所示,該同學(xué)所畫的電子排布圖違背能量最低原理。
(2)BeCl2是直線型結(jié)構(gòu),因此分子中Be的雜化類型為sp雜化。
(3)C60為分子晶體,熔化時(shí)破壞的是分子間作用力,無需破壞共價(jià)鍵。而金剛石是原子晶體,熔化時(shí)破壞的是共價(jià)鍵。
(4)根據(jù)構(gòu)造原理可知,基態(tài)鉀原子的價(jià)電子排布式為4s1。根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,物質(zhì)中K原子和C60分子的個(gè)數(shù)分別是12×1/4=3、8×1/8=1,則個(gè)數(shù)之比為3︰1。
(5)非金屬性越強(qiáng),電負(fù)性越大,則C、Si、N原子電負(fù)性由大到小的順序是N>C>Si。NCl3分子中氮原子含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)是(5-3×1)÷2=1,所以VSEPR模型為正四面體,但實(shí)際空間構(gòu)型是三角錐形。
考點(diǎn):考查核外電子排布式的書寫、共價(jià)鍵、雜化軌道類型、分子空間結(jié)構(gòu)、電負(fù)性以及晶體熔點(diǎn)大小比較
點(diǎn)評(píng):該題是高考中的常見題型,屬于中等難度的試題。試題綜合性強(qiáng),貼近高考,試題在注重對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)鞏固和訓(xùn)練的同時(shí),更側(cè)重對(duì)學(xué)生能力的培養(yǎng)和解題方法的指導(dǎo)與訓(xùn)練,有助于培養(yǎng)學(xué)生邏輯推理能力和空間的想象能力,提高學(xué)生靈活運(yùn)用基礎(chǔ)知識(shí)解決實(shí)際問題的能力,提升學(xué)生的學(xué)科素養(yǎng)。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解
| c2(SO3) |
| c2(SO2)?c(O2) |
| c2(SO3) |
| c2(SO2)?c(O2) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
| 元 素 | 有關(guān)信息 |
| A | 最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物(甲)能與其氣態(tài)氫化物(乙)反應(yīng)生成鹽 |
| B | 最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2倍 |
| C | M層上有3個(gè)電子 |
| D | 短周期原子半徑最大的主族元素 |
| E | 最高正價(jià)與最低負(fù)價(jià)代數(shù)和為6 |
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科目:高中化學(xué) 來源:新疆自治區(qū)模擬題 題型:推斷題
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