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二氧化硅晶體是空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，如下圖所示．關(guān)于二氧化硅晶體的下列說(shuō)法中，不正確的是

A．

1 mol　SiO2晶體中Si－O鍵為2 mol

B．

晶體中Si、O原子個(gè)數(shù)比為1∶2

C．

晶體中Si、O原子最外層電子層都滿(mǎn)足8電子結(jié)構(gòu)

D．

晶體中最小環(huán)上的原子數(shù)為8

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是 [ ]

　　A．二氧化硅中，硅氧原子個(gè)數(shù)之比為1∶2

　　B．二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體

　　C．二氧化硅中，SI-O鍵的鍵能大

　　D．二氧化硅晶體中原子以共價(jià)鍵相結(jié)合

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是 （    ）

A．二氧化硅中，硅氧原子個(gè)數(shù)之比為1∶2

B．二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體

C．二氧化硅中，SI-O鍵的鍵能大

D．二氧化硅晶體中原子以共價(jià)鍵相結(jié)合

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

二氧化硅晶體是空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，如右圖所示。關(guān)于二氧化硅晶體的下列說(shuō)法中，不正確的是   

A．1 mol SiO2 晶體中Si―O鍵為2mol

B．晶體中Si、O原子個(gè)數(shù)比為1：2

C．晶體中Si、O原子最外電子層都滿(mǎn)足8電子結(jié)構(gòu)

D．晶體中最小環(huán)上的原子數(shù)為8

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

二氧化硅晶體是空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，如右圖所示。關(guān)于二氧化硅晶體  

的下列說(shuō)法中，不正確的是                     （   ）

A．1 mol SiO2 晶體中Si—O鍵為2mol

B．晶體中Si、O原子個(gè)數(shù)比為1：2

C．晶體中Si、O原子最外電子層都滿(mǎn)足8電子結(jié)構(gòu)

D．晶體中最小環(huán)上的原子數(shù)為8

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